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- [发明专利]一种IGBT模块插针机械手及插针设备-CN202311192589.5在审
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方建强;朱本化
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上海林众电子科技有限公司
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2023-09-15
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2023-10-24
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B25J15/00
- 本申请提供一种IGBT模块插针机械手及插针设备,其中,IGBT模块插针机械手包括多自由度机械臂、力检测装置、插针挡块和插针抓手。力检测装置安装在多自由度机械臂的位移输出末端;插针挡块安装在力检测装置上;插针抓手包括抓手和驱动装置,都安装在多自由度机械臂上,抓手处于插针挡块下方,抓手末端设置有朝向插针挡块的尾孔,驱动装置用于驱动抓手张开和闭合。在抓手夹持插针进行插针作业时,插针尾端从抓手的尾孔伸出并顶至插针挡块上给力检测装置施加作用力,力检测装置将插针挡块施加的作用力转为插针力,且输出插针力随时间的变化曲线。本申请的方案能够检测插针工艺中插针力变化趋势,并借此改善参数提高插针工艺精度,提升良品率。
- 一种igbt模块机械手设备
- [发明专利]一种功率模块及其封装方法-CN202310610652.6有效
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杨磊;方建强;张向东
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上海林众电子科技有限公司
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2023-05-29
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2023-08-11
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H01L23/498
- 本发明提供一种功率模块及其封装方法,该功率模块封装方法包括以下步骤:提供至少一包括底层金属层、介电层、顶层金属层及钎焊层的基板,顶层金属层包括引线区、芯片放置区及隔离沟槽,芯片放置区设有芯片区;提供一器件层,形成第一连接层于芯片区上,将器件层放置于第一连接层上并进行连接;于隔离沟槽底部形成隔离层,将器件层中的各芯片及对应引线区进行电连接;提供一上表面放置有第二连接层的底板,将基板置于第二连接层上并进行连接;提供一外壳,将外壳固定于底板上;形成封装层,并安装盖板。本发明通过于隔离沟槽底部形成隔离层,抑制了钎焊层的电迁移,提升了功率模块的性能,在半导体集成电路制造领域具有广阔的应用空间。
- 一种功率模块及其封装方法
- [发明专利]基于沟槽栅的逆导型IGBT-CN202310616682.8在审
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王天意;张庆雷;王波
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上海林众电子科技有限公司
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2023-05-29
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2023-07-28
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H01L29/739
- 本发明提供一种基于沟槽栅的逆导型IGBT,在IGBT关断时,器件承受负栅压二极管开始导通,重掺杂的P型掺杂区与P型掺杂的基区之间连通,相当于增大了二极管阳极的总掺杂浓度,提高了抗浪涌能力;另外,在IGBT导通时,器件承受正栅压,二极管区的沟道不会开启,重掺杂的P型掺杂区被隔断,不会影响二极管阳极的掺杂浓度,保持较低的空穴抽取速度以保证反向恢复过程具有更优软度;再者,二极管工作区的虚沟槽栅在二极管工作时作为二极管导通的控制栅,而在IGBT工作时作为IGBT的虚栅,有效提高了器件的表面利用率;最后,虚沟槽栅与沟槽栅受控于同一栅极,仅需一个栅极驱动器即可控制,有效降低器件的控制复杂度。
- 基于沟槽逆导型igbt
- [发明专利]一种快恢复二极管结构及其制备方法-CN202310166781.0在审
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王天意;张庆雷;王波
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上海林众电子科技有限公司
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2023-02-24
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2023-05-30
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H01L29/06
- 本发明提供一种快恢复二极管结构及其制备方法,在中掺杂N型漂移区内形成贯穿的重掺杂P柱区,从而在N型漂移区内形成水平PN结,使得二极管在反向关断时N漂移区具有高电阻率,从而让二极管承受较高的反向偏压;二极管正向导通时,N型漂移区的掺杂浓度可以被快速恢复,从而降低二极管的电阻率以获得更低的正向压降,降低了器件的损耗;在沟槽栅之间形成轻掺杂N阱区和P型重掺杂区,二极管正向导通时,由于轻掺杂N阱区位于P型重掺杂区的下方,从而可以隔断P型重掺杂区,最终改善载流子的分布状态,二极管处于反偏时,轻掺杂N阱区与沟槽栅之间的电流通道被反型成P型,使P型重掺杂区与P型轻掺杂区连通,从而提高器件的抗反向浪涌能力。
- 一种恢复二极管结构及其制备方法
- [发明专利]一种改进型SG IGBT的制备方法及应用-CN202210861671.1在审
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王波;张庆雷
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上海林众电子科技有限公司
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2022-07-20
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2022-12-16
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H01L29/739
- 本发明涉及H01L29/00技术领域,具体涉及一种改进型SG IGBT的制备方法及应用。一种改进型SG IGBT的制备方法,包括以下步骤:S1.通过在晶圆底层上进行刻蚀形成沟槽;S2.通过在沟槽处的硅层表面进行氧化形成Gate Oxide,或进行氮化硅的沉积,形成SiN层;S3.在Gate Oxide上进行多晶硅的沉积形成Poly层;S4.在Poly层上进行蚀形成Poly层;S5.经过离子注入硼,进行表面沉积形成氧化层,通过对接触孔刻蚀,经过离子注入含硼化合物,在高温热过程退火处理后形成P+区,并通过金属淀积形成金属层。通过本发明提供的制备方法可以获得具有提升SG IGBT的击穿电压,并降低了开通损耗和栅极‑集电极电容的改进型SG IGBT的结构。
- 一种改进型sgigbt制备方法应用
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