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[发明专利]一种功率放大器偏置调整电路及功率放大器芯片-CN202311139583.1在审
发明人：刘贝;李南 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：本申请属于微电子技术领域，具体公开了一种功率放大器偏置调整电路及功率放大器芯片。调整电路包括功率检测电路，检测输出端上的输出信号的功率并输出检测信号；比较电路，将检测信号与设定的门限值进行比较，检测信号小于门限值时输出第一比较信号，检测信号大于门限值时输出第二比较信号；第一偏置调整电路，包括第一A类偏置电路、第一AB类偏置电路、第一开关电路，第一开关电路接收比较信号，接收到第一比较信号时，第一开关电路控制第一AB类偏置电路工作向功率放大器输入偏置，接收到第二比较信号时，第一开关电路控制第一A类偏置电路工作向功率放大器输入偏置。本申请的优点在于在大动态功率范围内，保证了功率放大器的线性度。
一种功率放大器偏置调整电路芯片

[发明专利]一种射频衰减电路和射频芯片-CN202311110996.7在审
发明人：王天阳 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路领域，针对压控衰减器的衰减量不够稳定的问题，提供了一种射频衰减电路和射频芯片，该射频衰减电路包括控制电路和压控衰减器；控制电路基于接收的第一控制信号反馈生成第二控制信号，第一控制信号和第二控制信号的电压值呈现负相关；压控衰减器包括传输干路和2个衰减支路，每一衰减支路均包括串联连接的晶体管和固定电阻；其中，第一控制信号用于调整每一衰减支路的等效阻抗，第二控制信号用于调整传输干路的等效阻抗，该射频衰减电路的衰减量具有低电压敏感性且驻波稳定。
一种射频衰减电路芯片

[实用新型]一种移相单元结构及移相器芯片-CN202223247691.4有效
发明人：任栋 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：一种移相单元结构，包括：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器至少其中之一；至少其中之一的滤波器包括：串联电连接的第一电感、第二电感；串联电连接的所述第一电感和所述第二电感形成互耦电感结构，所述互耦电感结构包括：沿周向方向绕制的作为第一电感的第一导电线、沿周向方向绕制的作为第二电感的第二导电线，所述第一导电线、第二导电线沿周向绕制延伸方向彼此靠近形成互耦。本申请提供的移相单元结构，将滤波器中的两个电感分别采用互耦结构，使得整体结构减小为约一个差分电感大小，大大减小了结构面积，且结构带宽得到了一定的提高。
一种单元结构移相器芯片

[实用新型]一种射频电路板结构-CN202320893339.3有效
发明人：陈喜凤 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本申请属于微波器件领域，具体公开了一种射频电路板结构。所述射频电路板结构包括射频信号层、中间介质层和接地参考层，所述接地参考层包括接地的导电层，所述射频信号层包括信号线，所述中间介质层位于所述射频信号层与所述接地参考层之间，包括至少2层基材，以实现所述射频信号层的跨层参考。本申请的优点在于通过增加介质层中基材的层数的方式，来比较自由的调整信号线与地平面之间距离，从而解决了现有技术中在信号线与地平面之间只设置一层介质材料所带来的无法灵活调整信号线与地平面之间距离的问题。
一种射频电路板结构

[发明专利]补偿衰减器、移相器的方法-CN202310574705.3有效
发明人：张侨;王天阳 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种补偿衰减器寄生调相的方法，所述衰减器与移相器连通，所述移相器对来自所述衰减器的信号进行移相。本发明还公开了一种补偿移相器的寄生调幅的方法，所述移相器与衰减器连通，所述衰减器对来自所述移相器的信号进行衰减。本发明还涉及一种射频系统的T/R组件、控制单元、介质及程序产品。
补偿衰减器移相器方法

[发明专利]校准电路、系统、方法、控制单元、存储介质、程序产品-CN202310548434.4有效
发明人：陈瑞;王曾祺 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：一种校准电路、系统、方法、控制单元、存储介质、程序产品。所述校准电路，用于对差分检波器进行校准，所述差分检波器电连接跨阻放大器，包括：失配电压校准电路，所述失配电压校准电路，包括：电流单元，用于向所述跨阻放大器的输入端输入校准电流；差分转单端单元，用于与所述跨阻放大器的输出端电连接，将差分检波器输出的差分信号转换为单端信号；比较单元，与所述差分转单端单元连接，用于确定所述单端信号是否0；控制单元，与所述比较单元、所述电流单元连接，在所述单端信号不为0时，输出第一控制信号，以调整所述校准电流的大小，直至所述单端信号为0。本申请的校准电路，通过对差分检波器进行校准，提高了差分检波器在使用时的性能。
校准电路系统方法控制单元存储介质程序产品

[实用新型]大动态范围的检波器-CN202320663919.3有效
发明人：陈琳;成赟;徐红钢 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H04B17/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及大动态范围的检波器，包括并联的放大检波支路和衰减检波支路；所述放大检波支路包括串联的可变增益放大电路和第一检波器；所述衰减检波支路包括串联的第一可调衰减电路和第二检波器；并联的所述放大检波支路和所述衰减检波支路的输出端连接加法器。
动态范围检波器

[发明专利]检波器校准电路、方法、控制单元、存储介质、程序产品-CN202310552141.3在审
发明人：陈瑞;王曾祺 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：一种差分检波器的功率校准电路、方法、控制单元、存储介质、程序产品。功率校准电路包括：差分转单端单元，用于与跨阻放大器的输出端电连接，将差分检波器输出的差分信号转换为单端信号；比较单元，与差分转单端单元连接，用于确定单端信号是否为设定的标定值；定标功率输入单元，用于与待校准的差分检波器电连接，输出稳定的标定值的标定功率信号至待校准的差分检波器；控制单元和功率校准单元，控制单元与比较单元、功率校准单元连接，在单端信号不为设定的标定值时，输出控制信号至功率校准单元，以校准差分检波器的功率，直至单端信号为设定的标定值本申请的差分检波器电路，通过对差分检波器进行校准，提高了差分检波器在使用时的性能。
检波器校准电路方法控制单元存储介质程序产品

[发明专利]一种电源阻抗的频响测试方法-CN202310362710.8有效
发明人：任达明;刘贝;李南 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本申请属于微电子技术领域，具体公开了一种电源阻抗的频响测试方法，应用于包含放大器的芯片，包括：使所述芯片中用于测试的放大器处于工作状态；向待测的所述放大器的输入端输入频率为f1的第一信号；向测试用的所述放大器的输入端输入模拟的电源干扰信号；测量输入第一信号f1的放大器的输出端的待测信号，获得以所述第一信号f1为中心频率的输出信号的频响曲线；根据所述频响曲线定性判定所述放大器的相对电源阻抗。本申请的优点在于可以通过对该频率响应曲线的包络线的观察来定性地判断电源端的实际阻抗随频率变化的趋势。
一种电源阻抗测试方法

[发明专利]射频芯片-CN202310210096.3有效
发明人：姚少钦;刘贝 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本发明涉及射频芯片。该射频芯片包括：射频信号发射通道，所述射频信号发射通道具有至少一级功放单元；加热补偿单元，所述加热补偿单元位于所述射频信号发射通道的最后一级功放单元的旁边，能够在通电状态下产生热量，用于向所述最后一级功放单元加热；控制单元，所述控制单元能够控制所述加热补偿单元先开启预设时间后关断，之后开启所述最后一级功放单元。本发明可以有效优化射频发射的动态EVM，使得其接近静态EVM性能，提高射频信号发射通道的性能。
射频芯片

[发明专利]快速响应的LDO电路-CN202310350301.6有效
发明人：张侨 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及快速响应的LDO电路，包括：NMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3；其中，NMOS管M1的源极与NMOS管M2的源极之间电性连接；NMOS管M1的漏极与PMOS管M3的漏极之间电性连接，并引出LDO电路的输出端Vout；PMOS管M3的源极电性连接到电压源VDD，并经偏置电流源IB2分别电性连接到PMOS管M3的栅极和NMOS管M2的漏极；NMOS管M1的源极经偏置电流源IB1接地，NMOS管M2的源极经偏置电流源IB3接地，NMOS管M2的栅极经偏置电压源VB1接地。
快速响应 ldo 电路

[发明专利]一种测试座-CN202310048700.7有效
发明人：朱月月;陆建华;王宸星;陈喜凤;李佳雨 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：一种测试座，包括，测试座主体、芯片导向框、探针固定板、以及介质层，其中，所述芯片导向框，位于所述测试座主体的中间位置，用于放置待测芯片；所述探针固定板，位于所述测试座主体的下部，用于固定探针；所述探针固定板上，设置有与所述待测芯片的高频信号引脚相对应的缺口；所述介质层，位于所述缺口中。本发明通过介质层形成的耦合电容实现射频信号传输，可以明显的减少因探针接触不良导致的测试数据偏差；经过测试的芯片的高频信号引脚上不会留下扎痕，对高频信号引脚的焊接不会造成影响，从而减小芯片使用时的风险；介质层不需要更换，可以较大程度的节约成本。
一种测试

[发明专利]一种开关芯片的测试器件、方法、电子设备及存储介质-CN202310148565.3有效
发明人：周健;祖昀樵;李尊健 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请涉及开关芯片测试技术领域，特别是涉及一种开关芯片的测试器件、方法、电子设备及存储介质，所述测试器件包括：通路端测试组件，配置在待测开关芯片的各通路端，用于通过检波器分别获取各通路端的插损、隔离度、谐波和基波指标对应的信号；公共端测试组件，配置在待测开关芯片的公共端，用于测试信号源与待测开关芯片公共端之间的放大电路与直通电路的切换，并通过检波器获取驻波指标对应的信号。本申请的测试器件，提高了开关芯片的测试效率和速度，减低了测试成本。
一种开关芯片测试器件方法电子设备存储介质

[发明专利]一种芯片引脚接触可靠性检测方法-CN202310008675.X在审
发明人：周健 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：一种芯片引脚接触可靠性检测方法，包括以下步骤：提供待测芯片；提供透明假芯片，所述假芯片的外形、厚度、引脚布局与所述待测芯片相同；向测试座的芯片导向框内喷洒试剂，在测试座芯片导向框内针脚表面形成液体球珠；将所述假芯片的引脚与导向框内的所述针脚对应后置于所述芯片导向框内进行检测。本发明的方法采用透明材料制成与待测芯片外形、厚度、引脚布局相同的假芯片，并配合可挥发试剂喷洒于测试座内，在芯片引脚与测试座针脚接触良好的部位雾化成片浸润，形成明显的接触图像，方便直接检视引脚的接触情况。
一种芯片引脚接触可靠性检测方法

[发明专利]一种相控阵雷达电路板及阵列-CN202310357697.7有效
发明人：陈喜凤;朱月月 -专利权人： 上海安其威微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：一种相控阵雷达电路板及阵列，相控阵雷达电路板，包括：顶层电路层、底层电路层、底层电路层和顶层电路层之间的多层中间电路层，相邻电路层之间为绝缘层；底层电路层上设置有信号处理的元件摆放区、第一电源摆放区、本振摆放区；顶层电路层上设置有射频芯片摆放区、第二电源摆放区；摆放区按照预定的方式进行连接以实现供电、信号传输，摆放区设置有连接端，用于与待摆放的元件连接；至少一层所述中间电路层作为功分合路层，功分合路层设置有图形功分合路元件；中间电路层设置走线和过孔；顶层电路层、底层电路层、功分合路层通过相应的走线和过孔进行电连接。本发明的电路板能够缩小体积，降低成本，简化组装工艺，实现高度集成。
一种相控阵雷达电路板阵列

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