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[发明专利]IGBT及其制造方法-CN201810967106.7有效
发明人：王学良;刘建华;郎金荣;闵亚能 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT及其制造方法，其中，所述IGBT中的目标区域掺杂有第一离子，其中，所述目标区域包括P型衬底、P型阱区、P型源区中的至少一种，所述第一离子的扩散系数大于硼离子的扩散系数。本发明中IGBT目标区域所掺杂的第一例子的扩散系数大于硼离子的扩散系数，不似现有技术中采用硼离子作为掺杂杂质，从而在相同条件下形成的杂质分布形貌更为渐变，也即形成的PN结为渐变结，进而提高了击穿电压、缩短了关断时间、提升了抗闩锁能力，进一步改良了IGBT的性能。此外，由于本发明的杂质扩散系数较大，从而能够在较低温度、较短时间内形成更宽、更深的PN结，具有一定的成本优势。
igbt 及其制造方法

[发明专利]N型漏极延伸金属氧化物半导体及其制作方法-CN201910902288.4在审
发明人：林威 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型漏极延伸金属氧化物半导体及其制作方法，所述N型漏极延伸金属氧化物半导体包括：半导体衬底、P阱区、N型漂移区、栅极、两个半导体侧壁、N型源极区、N型漏极区，当所述N型漏极延伸金属氧化物半导体通电时，所述N型漂移区与所述半导体侧壁之间形成耦合电容，本发明实现当N型漏极延伸金属氧化物半导体通电时，N型漂移区与多晶硅侧壁之间形成耦合电容，该耦合电容能够有效地抑制热载流子聚集在N型漂移区的表面的情况，从而影响了电流分布，改善了电场强度，延长了热载流子寿命，提高了半导体的击穿电压，进而提升了N型漏极延伸金属氧化物半导体的使用性能及可靠性。
型漏极延伸金属氧化物半导体及其制作方法

[发明专利]肖特基二极管的制作方法以及肖特基二极管-CN201910886064.9在审
发明人：林威 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的制作方法以及肖特基二极管，所述制作方法包括：在P衬底上形成STI区域；在所述P衬底上用磷离子进行深N型注入形成DNW；在DNW中所述STI区域的一侧进行硼离子注入形成P‑层保护环，所述P‑层保护环由多个P‑掺杂区组成，P‑掺杂区之间相互隔开；在DNW中所述STI区域的另一侧进行磷离子注入形成N+层；在所述N+层和所述P‑层保护环上积淀金属层或合金层；在所述金属层或所述合金层上形成SiO2钝化层；在所述SiO2钝化层上开设接触孔；从所述接触孔引出电极。本发明技术方案可以实现在不增加肖特基二极管的总面积并且保持击穿电压的前提下，增加正向导通电流。
肖特基二极管制作方法以及

[发明专利]单环MOS器件及其制作方法-CN201910886732.8在审
发明人：刘东栋;张洁 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种单环MOS器件及其制作方法，其中单环MOS器件的制作方法包括以下步骤：在半导体基片的目标区域中注入第一掺杂离子；在炉管中进行热扩散的过程中，向炉管中注入氧气，以在半导体基片的上表面形成氧化层，并使第一掺杂离子向半导体基片的内部扩散以形成保护环。本发明在单环MOS器件的制作过程中通过在炉管推进的过程中加氧气，快速地在半导体基片表面形成一层保护作用的氧化层，极大地改善了单环MOS器件的耐压性能。
mos 器件及其制作方法

[发明专利]快恢复二极管和其制造方法-CN201910757776.0在审
发明人：高东岳;刘奇斌;刘建华 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管和其制造方法，该快恢复二极管包括PN结，PN结包括P区和N区，其中制造方法包括以下步骤：在半导体衬底上制作形成所述PN结；对P区中的目标区域进行氢离子辐照，并对目标区域中的氢离子进行激活，以在目标区域中形成复合中心。本发明通过在快恢复二极管的PN结的P区中进行氢离子辐照，引入复合中心，同时提高了快恢复二极管的软度。
恢复二极管制造方法

[发明专利]离子注入机、晶圆片温度的实时监测方法及系统-CN201910700629.X在审
发明人：郑永哲 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入机、晶圆片温度的实时监测方法及系统。离子注入机包括靶盘和高真空腔体，高真空腔体壁上开设有一玻璃窗口，玻璃窗口的位置与靶盘上的装载的晶圆片的位置相适应；玻璃窗口的材料为硒化锌玻璃；玻璃窗口用于固设红外探测器的探温探头；红外探测器用于在进行离子注入工艺过程中实时监测高真空腔体内的靶盘上装载的晶圆片的温度，并在检测到的温度高于预设值时报警。本发明通过在高真空腔体壁上开设专用硒化锌玻璃窗口，能偶直接监测高速旋转的靶盘上的晶圆片的温度，当晶圆片温度发生异常时，能及时有效的发现问题发出报警，能够防止当离子注入机的靶盘的冷却系统出现异常时导致晶圆片温度过高造成产品报废的问题。
离子注入晶圆片温度实时监测方法系统

[发明专利]超低导通电阻LDMOS及其制作方法-CN201910701420.5在审
发明人：林威 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低导通电阻LDMOS及其制作方法，该方法包括P体区光罩版的版图和闸极光罩版的版图的制作步骤，P体区光罩版包括第一P体区区域，闸极光罩版包括第一闸极区域，两个区域相邻且位置相切，P体区光罩版还包括第二P体区区域，其以第一P体区区域的中心点位置为中心在第一P体区区域的四个方向分别增大一预设长度，在靠近第一闸极区域一侧扣除第一闸极区域部分；该制作方法还使用P体区光罩版进行P体区光罩版闸极刻蚀，以形成P体区窗口。本发明通过版图算法的更新，即将P体区光罩版上的PBD区域在四个方向上分别增大一预设长度，使PBD扩大范围，从而增大了该区域的透光率，提高了超低导通电阻LDMOS的生产良率。
超低导通电 ldmos 及其制作方法

[发明专利]等离子体设备、等离子体设备的腔体及其中心圈结构-CN201910680168.4在审
发明人：荣海洋 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体设备、等离子体设备的腔体及其中心圈结构，所述中心圈结构包括圆环本体和挡板；所述圆环本体的内侧壁上具有沿着所述内侧壁一圈分布的拼接缝；所述挡板贴设在所述圆环本体的内侧壁上且遮盖住所述拼接缝。本发明通过在等离子体设备中腔体内的中心圈结构上设置航空铝材质的挡板，来遮住圆环本体内侧壁的拼接缝；在等离子体喷嘴喷射等离子体时，采用挡板隔绝等离子体对密封圈的伤害(如轰击、腐蚀)，从而在不影响腔体工艺参数的前提下，有效地延长了密封圈的使用寿命，降低维护成本，减少了设备保养频率，提高了设备的利用率，从而达到了降本增效的目的。
等离子体设备及其中心结构

[发明专利]晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统-CN201910688718.7在审
发明人：芦冬云;张琼 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统，所述控制方法包括：获取晶圆片对应的第一区域；获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域；其中，所述第二区域中排布若干个管芯；根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域；在对所述TiNiAg层进行光刻版时，采用管芯对所述目标区域进行填充。本发明使得整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通，从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性，保证腐蚀时液体流动的通畅，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀，无Ni残留，进而提高了生产效率及产品良率。
晶圆片上 tiniag 腐蚀均匀控制方法系统

[发明专利]晶闸管的制造方法-CN201710725954.2有效
发明人：刘峰松 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管的制作方法，所述制作方法包括：S1、在P‑离子的半导体衬底内的进行P‑离子和N‑离子的注入，制作P阱和N阱；S2、第一次加热处理进行P阱与N阱的结推进；S3、在所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；S4、第二次加热处理激活所述N+离子和所述P+离子；S5、对半导体衬底进行深槽隔离。本发明的晶闸管的制作方法是以平面工艺结构制造的晶闸管，步骤简单，对工艺要求低，保证了成品率且成本低。
晶闸管制造方法

[发明专利]超结场效应晶体管的制作方法-CN201910476806.0在审
发明人：刘龙平 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结场效应晶体管的制作方法，对所述超结场效应晶体管的光刻胶层进行曝光显影处理，以在所述光刻胶层上形成曝光窗口，所述曝光窗口的坡度为85°～88°。本发明在制作超结场效应晶体管时提高了光刻胶层的曝光窗口的坡度，通过对P柱曝光窗口形貌的改变，使P柱离子注入边界更为靠近完全曝光区域，有效减小斜坡光刻胶对注入剂量的影响，进而使P柱离子剂量大小均匀，实现对击穿电压更为精确的控制。该制作方法最终得到超结场效应晶体管器件的击穿电压在750V～780V左右范围，大幅改善了击穿电压在片内的均匀性，实现器件良率从58％左右提升到90％以上，满足了大规模生产要求。
场效应晶体管制作方法

[发明专利]碳化硅肖特基二极管及其制备方法-CN201910423350.1在审
发明人：郎金荣;刘奇斌;程小强 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。其中，所述碳化硅肖特基二极管的制备方法包括：制作SiC外延片，所述SiC外延片包括SiC衬底层，SiC衬底层上表面设有SiC外延层；在所述SiC外延层的内部形成P型浮空环；在所述SiC外延层的内部上表面形成P型保护环；在所述SiC外延层的上表面形成肖特基接触区；在所述肖特基接触区设置阳极电极；在所述SiC衬底层的下表面形成欧姆接触区；在所述欧姆接触区设置阴极电极。本发明采用浮空的P型环形成PN结，来屏蔽电场，达到提高反向击穿电压、减小反向漏电流的目的。
碳化硅肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]IGBT和其制作方法-CN201910395340.1在审
发明人：高东岳 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT和其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：在半导体衬底中注入砷离子以形成第一掺杂区；对第一掺杂区退火，以激活砷离子；在第一掺杂区中注入磷离子，以使第一掺杂区形成IGBT的发射区。本发明有效修复砷离子注入后形成的缺陷，有效降低漏电流，提高IGBT制作的良率。
igbt 制作方法

[发明专利]沟槽IGBT和其制作方法-CN201910395360.9在审
发明人：高东岳;薛维佳;蔡文伟 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽IGBT和其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：在半导体衬底的上表面注入p型杂质离子；对半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽；进行牺牲氧化，再进行栅氧化以在半导体衬底的上表面形成第一氧化层和在沟槽中形成栅氧化层；p型杂质离子在牺牲氧化和栅氧化的过程中的温度的作用下向半导体衬底的内部扩散以形成p型体区；在沟槽中淀积多晶硅。本发明在沟槽IGBT的制作过程中，将p型体区注入步骤移到沟槽形成之前，利用沟槽牺牲氧化和栅氧化的热过程推进以形成p型体区，使得半导体衬底的翘曲程度大大降低。
沟槽 igbt 制作方法

[发明专利]LDMOS和其制作方法-CN201910299950.1在审
发明人：林威 -专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS和其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：在半导体基片上形成衬底区；衬底区包括第一区域；在第一区域内制作第一STI、第二STI、漂移区和中压p阱；在第一区域的上方形成氧化层；在氧化层的上方形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的上表面设置第一光胶层，第一光胶层包括第一透射区和第一阻挡区；第一阻挡区用于阻挡杂质离子穿过；通过第一透射区向漂移区高能量注入第一杂质离子，以形成第一n型掺杂区。本发明通过在LDMOS的漂移区中高能注入杂质离子减小了漂移区的导通电阻，并能够维持击穿电压。
ldmos 制作方法

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