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[发明专利]一种去除硅片边缘SiO2的方法-CN202310821320.2在审
发明人：秦董礼 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆制造，公开了一种去除硅片边缘SiO2的方法。本发明中所提供的去除硅片边缘SiO2的方法，包括如下步骤：将保护罩罩设在硅片表面上，使需要保护的硅片表面置于保护罩内，使用氮气与氢氟酸溶液混合对硅片暴露在保护罩之外的区域进行喷射腐蚀去除SiO2，使用氮气吹干硅片表面液体，将硅片从保护罩上取下收纳。所述保护罩上设有密封圈，所述密封圈与硅片边缘抵接密合，将罩设在保护罩内的硅片表面给密封隔离。使得硅片边缘SiO2去除彻底，腐蚀边界齐整，有效减少了腐蚀边界的宽度。
一种去除硅片边缘 sio2 方法

[发明专利]一种酸碱废水回用的处理方法-CN202310836011.2在审
发明人：吴飞祥;施凯华;吴永川;陈嘉聪 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及废水处理技术领域。一种酸碱废水回用的处理方法，包括如下步骤：步骤一，将酸碱废液混合罐中的酸碱废水送至第一反应罐加入PH调整药剂调节PH值后，在送入第二反应罐；步骤二，将进入第二反应罐的酸碱废水经过UF膜处理，再经过R0膜处理后送入第三反应罐；步骤三，将第三反应罐中的废水加入PH调整药剂调节PH值后送入第四反应罐；步骤四，将第四反应罐中的废水送入净化水罐中，最后得到处理好的废水；步骤五，将处理好的废水送入自来水原水箱。本发明通过将酸碱废水通过反应罐后再经过UF膜、R0膜一系列处理后，将工业产生的酸碱废水转化成可二次使用的原水，不仅减少了废水的排放，而且也减少了自来水的使用。
一种酸碱废水处理方法

[发明专利]一种用于半导体硅片加工中的减少无效过度报警的方法-CN202310781732.8在审
发明人：翁剑峰 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体硅片加工中的减少无效过度报警的方法，通过在传统SPC控制图管控限计算方法的基础上拓展了管控限范围，有效减少了很多无效过度报警，提高了SPC的实际工作效率，减少误报警和过度报警带来的不必要的原因分析和调查和重复人力物力上的消耗，为提高半导体制造现场的工作效能起到作用。
一种用于半导体硅片加工中的减少无效过度报警方法

[发明专利]一种基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法-CN202310685134.0在审
发明人：苏利军;洪漪;王建华 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法，包括调配混合清洗药液，非离子表面活性剂浓度0.01％～0.1％；执行低频清洗时段以及高频清洗时段，本申请实施例中，采用上述的基于混频超声的硅片表面颗粒去除方法，针对1～10微米和10～20微米两种粒径的颗粒，利用混合频率下音波波长不同的特性，锁定不同粒径的颗粒并利用超声空化泡将其去除，保证了清洁的全面性，有效增强硅片表面颗粒的去除效果，同时在混合清洗药液内引入混合非离子表面活性剂，提高硅片表面在液体中的浸润程度，降低颗粒的去除难度，从而进一步提高清洁效果。
一种基于混频超声硅片表面颗粒去除方法

[发明专利]一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法-CN202310881750.3在审
发明人：邓雅之;洪漪 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及硅片抛光技术领域，具体地说，涉及一种改善硅片抛光工艺中表面产生浅坑的方法，包括于硅片的贴附面上涂敷的蜡膜厚度不小于颗粒的直径；所述蜡膜包覆所述颗粒；本申请通过提高蜡膜的厚度，能够较佳的覆盖贴附面上的颗粒，避免硅片上产生浅坑。
一种改善硅片抛光工艺表面产生方法

[发明专利]一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量管控的方法-CN202310791533.5在审
发明人：彭建明 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量管控的方法，所述方法包括以下步骤：将硅片依次经过CP前洗净、CP腐蚀、CP后洗净、LP前洗净后，进行LPCVD；本发明提供的方法在硅片上沉积多晶硅膜前，控制硅片浅表层内的镍含量，将硅片浅表层内的金属镍作为多晶硅膜内体镍的重要来源加以控制。控制沉积多晶硅膜前的硅片浅表层内的金属镍含量，即使在LPCVD机台中沉积多晶硅膜时会有高温(660℃±10℃)和已沉积的多晶硅(具有吸杂效果)的双重作用，也能控制住多晶硅膜内的体镍含量，使多晶硅膜内体镍(Ni)含量稳定的远低于1E14atoms/cm3，从而提高了产品良率，并使客户端器件的功能得到有力保障。
一种 lpcvd 工艺制备多晶硅膜内体镍含量方法

[发明专利]一种改善硅片腐蚀污迹的方法-CN202310821193.6在审
发明人：宁雨婷;王小波 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及硅片加工技术领域，具体地说，涉及一种改善硅片腐蚀污迹的方法，包括药液清洗槽和水洗槽，所述水洗槽包括第一清洗槽和第二清洗槽，所述药液清洗槽包括第三清洗槽和第四清洗槽，提供第一隔板和第二隔板；于所述第一清洗槽和所述第二清洗槽之间设置所述第一隔板；于所述第三清洗槽和所述第四清洗槽之间设置所述第二隔板；本申请通过第一隔板和第二隔板的设置，使得第一清洗槽和第二清洗槽之间相互独立，使得第三清洗槽和第四清洗槽之间相互独立，从而提高了硅片在第一清洗槽或第二清洗槽或第三清洗槽或第四清洗槽中进行清洗的稳定性，提高了清洗效果。
一种改善硅片腐蚀污迹方法

[发明专利]一种用于硅片加工的胶带研磨方法-CN202310685729.6在审
发明人：吴芬琦;庄云娟 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于硅片加工的胶带研磨方法，包括于边抛机上安装粒度参数大于#2000的研磨胶带；设定边抛机的研磨参数及抛光参数；其中，硅片BCF部分的研磨时间大于ACF、TOP部分的研磨时间，本申请实施例中，通过采用粒度参数更细的研磨胶带型号减小硅片研磨部分的机械损伤层，同时对硅片的BCF、ACF和TOP部分设置不同的研磨时间，由于硅片BCF部分的研磨时间参数大于ACF、TOP部分的研磨时间，使得硅片ACF部分产生的机械损伤层相对于BCF部分更小，在缩短边缘抛光时间的基础上保证硅片ACF部分良好的加工表面，避免直接缩短边缘抛光时间导致硅片外延产生滑移线和层错，同时极大的提高了硅片的研磨及抛光效率，从而提升了单台边抛机的产能。
一种用于硅片加工胶带研磨方法

[发明专利]一种去除处理槽金属的洗槽方法-CN202310764684.1在审
发明人：孟令猛 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B08B9/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除处理槽金属的洗槽方法，通过将清洗液在处理槽、管道和过滤器中循环清洗，从而将处理槽、管道和过滤器中残留的金属同步清洗去除，从而实现对后续硅片进行清洗时，处理槽、管道和过滤器中均无残留金属。高效去除金属污染。
一种去除处理金属方法

[发明专利]一种改善无端面处理硅片颗粒不良的方法及片盒-CN202310791148.0在审
发明人：吴礼文 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种改善无端面处理硅片颗粒不良的方法及片盒，其中，改善无端面处理硅片颗粒不良的方法，包括于片盒相对两侧面上的栅栏位置处对称开设两组避让口，本申请实施例中，在现有洗净机无法改造成无片盒洗净的基础上，直接对片盒进行改造，去除片盒侧面栅栏位置处的非必要阻挡部分，只留下承载硅片的骨架，从而减少片盒对水流和超声波的阻挡，不影响片盒的整体结构，且片盒的所有功能没有丧失，可正常执行硅片的承载、移动、保存功能，同时大大提高硅片表面的颗粒去除率，通过增大避让口的尺寸能够迭代获取优化的避让口尺寸，在该优化尺寸下避让口能够获取优化的硅片表面颗粒去除效果，从而进一步提高片盒的清洗性能。
一种改善端面处理硅片颗粒不良方法

[发明专利]一种降低一次洗净表面金属的清洗方法-CN202310790974.3在审
发明人：张静 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种降低一次洗净表面金属的清洗方法，包括清洗前，于一次清洗机药液槽的液体循环路径上设置去金属纯化器；于药液槽内浸泡HF，并于第一预定时间后执行药液槽排空，本申请实施例中，通过药液循环系统实现药液的循环利用，同时于一次洗净机药液循环系统中安装去金属纯化器，能够有效去除SC1药液以及化学机械抛光过程中带来的金属颗粒，无需设备改造或增加任何其他繁琐过程，操作便捷，而且通过去金属纯化器对药液的过滤，能够避免SC1中金属颗粒对硅片的不良影响，大大降低硅片表面的金属残留，保证硅片的整体质量，使得硅片表面金属水平均得到了很好的降低，且整体数据趋于稳定，集中度变高，异常值出现的频率相对较少。
一种降低一次洗净表面金属清洗方法

[发明专利]一种平边硅片抛光方法-CN202310791277.X在审
发明人：陈奎 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆制造领域，公开了一种平边硅片抛光方法。本发明中所提供的平边硅片抛光方法，包括如下步骤：使用机械手，将硅片从运输盘上抓取后，沿着预设轨迹行进，将硅片涂有粘合剂的背面朝向基座的正面平面贴附固定；所述运输盘上设有平边校正器，在机械手抓取硅片之前，使用所述平边校正器对硅片的平边位置进行检验和校正；将基座固定安装在支撑座上，所述基座的背面朝向支撑座；移动支撑座带动基座的正面朝向定盘移动，直至所述硅片的正面与设置在定盘表面的抛光布抵接；支撑座对基座垂直施压并旋转，使硅片与抛光布之间相互摩擦，完成对硅片正面的抛光，使得硅片正面抛光面平整，能够避免硅片边缘产生抛光台阶，提高硅片的利用率。
一种硅片抛光方法

[发明专利]一种硅片背封的方法-CN202310685375.5在审
发明人：孙涛 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片背封的方法，所述方法包括如下步骤：(1)在硅片背面沉积一层LTO膜；(2)在步骤(1)的LTO膜面上沉积一层POLY膜；(3)在步骤(2)中的POLY膜面上沉积一层LTO膜，得到背封的硅片；本发明采用LTO+POLY+LTO工艺，即使经过高温外延过程，POLY层下P元素只能扩散贯穿POLY膜层，无法透过最外层LTO膜层，此工艺对硅片体内存在P污染时有着较好的背封效果，解决了超级背封品外延后边缘SRP异常问题，硅片产品送客户端外延后，硅片面内电阻率均匀性为2～4％，SRP特性曲线无异常。
一种硅片方法

[发明专利]机械手真空供给装置-CN202310561253.5在审
发明人：郭飞;周伟 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B24B41/00 文献下载
摘要：本发明涉及机械手技术领域，具体地说，涉及机械手真空供给装置，包括第一连接管、第一真空泵、第二真空泵、进料管和排料管，第一连接管的第一端连接第一真空泵的第一进气口和第二真空泵的第二进气口，第二端连接机械手；进料管的第一端连接第一真空泵的第一进料口和第二真空泵的第二进料口；进料管用于为第一真空泵和第二真空泵提供工作液；排料管的第一端连接第一真空泵的第一出料口和第二真空泵的第二出料口；通过对本申请中第一连接管的结构的设计，使第一真空泵和第二真空泵能够同时为十个机械手工作，实现了一对多的效果，进一步降低了工作成本；通过相应的线路设置，能够达到通过三台真空泵为十个机械手供给真空，降低了使用成本。
机械手真空供给装置

[发明专利]适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法-CN202210008578.6有效
发明人：钱杨友 -专利权人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工领域。适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法，在切片工艺之前，对晶棒沿着长度方向画设分批线；当晶棒的长度小于等于225mm时，分批线为一条油墨笔划出的直线；当晶棒的长度大于225mm时，从晶棒的头部开始用油墨笔画第一条直线到尾部，然后再用油墨笔从头部开始的226mm位置画至尾部的第二条直线，分批线为两条相互平行的直线；在倒角工艺前，将硅片上存有一道直线在一个批次倒角，将硅片上存有两道直线的另一个批次中倒角。本发明通过在晶棒切割之前增设有分批线，便于实现对硅片流转过程中对硅片在晶棒所处区域进行标定。简单，方便，杜绝了电阻率两山分布的问题。
适用于英寸硅片电阻率分布过程控制方法

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