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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]反射型光掩模坯料，制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模-CN202310388811.2在审
发明人：樱井敬佑;三村祥平;石井丈士 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种反射型光掩模坯料，制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模。所述反射型光掩模坯料包括：衬底，在衬底上形成且反射曝光光(即极紫外范围内的光)的多层反射膜，在多层反射膜上形成的保护多层反射膜的保护膜，在保护膜上形成并吸收曝光光的吸光膜，以及硬掩模膜，其形成于所述吸光膜上并与所述吸光膜接触，且在通过干刻蚀图案化所述吸光膜中充当硬掩模膜。所述硬掩模膜由多层构成，该多层包括第一层和第二层，所述第一层设置在离衬底最远的一侧，并由含硅且不含铬的材料组成，且第二层由含铬且不含硅的材料组成。
反射型光掩模坯料制造方法

[发明专利]反射型掩模坯料和反射型掩模-CN202210196580.0在审
发明人： 三村祥平;金子英雄;寺泽恒男 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料和反射型掩模。反射型掩模坯料，其为在使用EUV光作为曝光光的EUV蚀刻法中使用的反射型掩模用材料，包括基板、在基板的一个主表面上形成的并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成的并吸收曝光光的含有钨、和另一金属、半金属或轻元素的吸收体膜。
反射型掩模坯料

[发明专利]反射型掩模坯料及其制造方法-CN202210196543.X在审
发明人：寺泽恒男;金子英雄;三村祥平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料及其制造方法。反射型掩模坯料的吸收体膜用金属和半金属元素选自分别包括在第一、第二和第三区域中的第一、第二和第三元素，其由每种金属和半金属元素的单质的折射率n和消光系数k限定，并且通过所选择的金属和半金属元素形成吸收体膜从而具有反射率比为0.05至0.25和相位偏移为180至260°。
反射型掩模坯料及其制造方法

[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模的制造方法和相移掩模-CN202111268300.4在审
发明人： 三村祥平;松桥直树;高坂卓郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及相移掩模坯料、相移掩模的制造方法和相移掩模。相移掩模坯料，包括透明基板、在透明基板上形成的刻蚀保护膜、和与刻蚀保护膜接触地形成的相移膜，其中曝光光是ArF准分子激光。刻蚀保护膜包含含有铪和氧、或者铪、硅和氧的材料，并具有1至30nm的厚度和相对于曝光光不小于85％的透射率，并且相移膜包含含有硅且不含铪的材料，并具有50至90nm的厚度。
相移坯料制造方法

[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及相移掩模-CN202111076088.1在审
发明人：高坂卓郎;松桥直树;三村祥平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种具有相位控制性良好且通过使用氯氧气体的蚀刻而得到的图案形状优异的相移膜的相移掩模坯料。所述相移掩模坯料具有透明基板、及形成于透明基板上的相移膜，相移膜在波长200nm以下的曝光波长下的相位差为160～200°、透射率为3～15％，相移膜从透明基板侧开始依次包含下层与上层，上层含有过渡金属、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧，下层含有铬、硅、氮和/或氧，相对于下层的铬与硅的合计，硅的含有率为3％以上且小于15％，且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.7，且氟类的干法蚀刻中的上层与下层的蚀刻选择比为10以上。
相移坯料制造方法

[发明专利]反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模-CN202110380334.6在审
发明人：高坂卓郎;三村祥平;山本拓郎;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模。反射型掩模坯料，其是用于在使用EUV光作为曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模的材料，该反射型掩模坯料包括基板、在基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成并吸收曝光光的吸收体膜；吸收体膜是由第一层构成的单层、或由从基板侧开始的第一层和第二层构成的多层；第一层由钽和氮组成，并且含有55至70at％的钽和30至45at％的氮；第二层由钽和氮及40at％以下的氧组成。
反射型掩模坯料制造方法

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