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[发明专利]有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备-CN202310382671.8在审
发明人：权五炫;朴范雨;V·K·莱;金炯俊;李芳璘;赵化英;崔炳基 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，在式1中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，并且n1和n2各自独立地为1或2，其中式1A和1B中的环CY1、环CY2、环CY4、R1、R2、R4、R31、R32、X1‑X4、Y1、Z1、Z2、a1、a2、b1、b2、b31、b32和b4分别如本文中所描述的，并且*和*'各自表示与M1的结合位点。式1M1(L1)n1(L2)n2#imgabs0#
有机金属化合物包括发光器件电子设备

[发明专利]用于在通信或广播系统中编码和解码信道的装置和方法-CN202310703904.X在审
发明人：吕贞镐;李晓镇;金泰亨;朴成珍 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于利用物联网(IoT)的技术来融合第五代(5G)通信系统以支持超出第四代(4G)系统的更高数据速率的通信方法和系统。本公开可以应用于基于5G通信技术和物联网相关技术的智能服务，诸如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车、联网汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安全和安全服务。提供了一种用于无线通信系统中的终端和基站的方法以及无线通信系统中的终端和基站。用于终端的方法包括：从基站接收包括调制和编码方案(MCS)信息的下行链路控制信息；基于下行链路控制信息识别第一传送块大小；基于第一传送块大小和传送块大小候选集合识别第二传送块大小，其中传送块大小候选集合包括具有8的倍数的间隔的元素。
用于通信广播系统编码解码信道装置方法

[发明专利]用于使图像稳定化的电子装置及其操作方法-CN202311095210.9在审
发明人：宋沅锡;李普熙;李世贤;曺正焕;河龙贤 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H04N23/45 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于使图像稳定化的电子装置及其操作方法。一种电子装置，包括：相机；运动传感器；存储器；以及至少一个处理器。所述至少一个处理器可被配置为：根据执行图像获取模式，从运动传感器获取电子装置的运动信息；基于运动信息的至少一部分确定图像稳定化方案；以及基于所确定的图像稳定化方案，对通过相机获取的至少一个图像执行稳定化操作。图像稳定化方案可包括：第一稳定化方案，用于基于第一边缘区域校正所述至少一个图像的抖动；以及第二稳定化方案，用于基于大于第一边缘区域的第二边缘区域来校正所述至少一个图像的抖动。
用于图像稳定电子装置及其操作方法

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的电子系统-CN202310304631.1在审
发明人：李奉镕;金兑泳;朴玄睦;赵始衍 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：提供了半导体装置和电子系统。半导体装置可以包括：第一衬底结构和在第一衬底结构上的第二衬底结构，第一衬底结构包括衬底、衬底上的电路元件和电路元件上的第一接合层。第二衬底结构可以包括板层、在板层下方并且包括氮化硅的中间绝缘层、在中间绝缘层下方并且被堆叠为在竖直方向上彼此间隔开的栅电极、在穿过中间绝缘层和栅电极的沟道孔中并且包括半导体层的沟道结构、以及连接到第一接合层的第二接合层。沟道孔可在穿过栅电极的第一部分中具有第一宽度，并且在穿过中间绝缘层的第二部分中具有比第一宽度宽的第二宽度。
半导体装置包括电子系统

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统-CN202310304788.4在审
发明人：权烔辉;闵忠基;尹普彦;张气薰 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：提供了半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括：源极结构；第一堆叠结构和第二堆叠结构，其包括堆叠在源极结构上以彼此间隔开的第一栅电极；伪结构，其在第一堆叠结构和第二堆叠结构之间在源极结构上，并且包括堆叠为彼此间隔开的第二栅电极；第一分离区，其穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构，并且彼此间隔开；第二分离区，其在第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每一个与伪结构之间延伸；沟道结构，其穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构，并且分别包括沟道层，通过沟道层连接到源极结构；以及第一源极接触结构，其穿过伪结构，并且分别包括第一接触层，第一接触层通过第一接触层的下表面连接到源极结构。
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]半导体器件-CN202310315781.2在审
发明人：郑文泳;李基硕;李相昊;卢亨俊 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板；在基板上的第一栅极结构和第二栅极结构；单个背栅极结构，在第一栅极结构和第二栅极结构之间；第一结构，包括在垂直方向上延伸的第一垂直沟道区，第一垂直沟道区的至少一部分在第一栅极结构和单个背栅极结构之间；以及第二结构，包括在垂直方向上延伸的第二垂直沟道区。第二结构与第一结构间隔开，第二垂直沟道区的至少一部分在第二栅极结构和单个背栅极结构之间。
半导体器件

[发明专利]用于侧链路定位的方法和设备-CN202310319743.4在审
发明人：周昱含;菲利普·琼·马克·米歇尔·萨托里;亚瑟·穆罕默德·穆斯塔法·卡梅尔·福亚德 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H04L5/00 文献下载
摘要：公开了用于侧链路定位的方法和设备。提供了用户设备(UE)确定用于接收侧链路(SL)‑定位参考信号(PRS)的资源池的方法和设备。UE接收时隙并且确定所述时隙是否包括用于SL‑PRS的所述资源池中的资源。在所述时隙包括所述资源池中的所述资源的情况下，UE使用用于SL‑PRS的第一格式对所述时隙的SL控制信息(SCI)进行解码。
用于侧链路定位方法设备

[发明专利]半导体存储器件-CN202310320626.X在审
发明人：早川幸夫;李奉镕;朴玄睦;赵始衍 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：背栅电极、在背栅电极上的栅电极、在栅电极和背栅电极之间的沟道层、在沟道层和栅电极之间的栅绝缘层以及在背栅电极和沟道层之间的铁电层。
半导体存储器件

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的电子系统-CN202310324949.6在审
发明人：成政泰;张允瑄;崔茂林 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。该半导体器件包括：第一半导体结构，包括下接合结构；以及第二半导体结构，包括设置在第一半导体结构上的第二基板、在垂直于第二基板的下表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开的栅电极、接合到下接合结构的上接合结构、设置在第二基板的上表面上并电连接到沟道层且包括金属材料的板导电层、以及穿透全部栅电极并在垂直于第一方向的第二方向上延伸的隔离结构。隔离结构包括垂直导电层，该垂直导电层从板导电层延伸并与板导电层集成，并且包括与板导电层的金属材料相同的金属材料。
半导体器件包括电子系统

[发明专利]磁阻式随机存取存储器单元和形成其的方法、磁阻式随机存取存储器阵列和操作其的方法-CN202310331039.0在审
发明人：郑在佑;M·萨曼特;P·C·菲利波;S·法利夫;C·加格;Y·费兰特 -专利权人： 三星电子株式会社;国际商业机器公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明涉及磁阻式随机存取存储器单元和形成其的方法、磁阻式随机存取存储器阵列和操作其的方法。磁阻式随机存取存储器单元包括模板层。所述模板层包括具有交替层晶格结构的二元合金。所述单元进一步包括半金属性半赫斯勒层，所述半金属性半赫斯勒层包括具有四方晶格结构的半金属性半赫斯勒材料。所述半金属性半赫斯勒层位于所述模板层的外侧，并且具有与所述半金属性半赫斯勒材料的立方形式的面内晶格常数不同的半赫斯勒面内晶格常数。隧道势垒位于所述半金属性半赫斯勒层的外侧，并且磁性层位于所述隧道势垒的外侧。
磁阻随机存取存储器单元形成方法阵列操作

[发明专利]磁阻式随机存取存储器单元和形成其的方法、磁阻式随机存取存储器阵列和操作其的方法-CN202310331705.0在审
发明人：郑在佑;M·萨曼特;P·C·菲利普;S·法利夫;C·加格;Y·费兰特 -专利权人： 三星电子株式会社;国际商业机器公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明涉及磁阻式随机存取存储器单元和形成其的方法、磁阻式随机存取存储器阵列和操作其的方法。磁阻式随机存取存储器单元包括模板层。所述模板层包括具有交替层晶格结构的二元合金。所述单元进一步包括半金属性赫斯勒层，所述半金属性赫斯勒层包括具有四方晶格结构的半金属性赫斯勒材料。所述半金属性赫斯勒层位于所述模板层的外侧，并且具有与所述半金属性赫斯勒材料的立方形式的面内晶格常数不同的赫斯勒面内晶格常数。隧道势垒位于所述半金属性赫斯勒层的外侧，并且磁性层位于所述隧道势垒的外侧。
磁阻随机存取存储器单元形成方法阵列操作

[发明专利]半导体存储器件-CN202310340749.X在审
发明人：李珉浚;金容锡;金炫哲;柳民泰;李溶珍 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括在衬底上排列的多个存储单元。所述多个存储单元中的每个可以包括在衬底上的第一晶体管和在第一晶体管上的第二晶体管。第一晶体管可以包括在第一源极区和第一漏极区之间的第一沟道区、第一栅电极、以及第一栅极绝缘层。第二晶体管可以包括：柱结构，具有依次堆叠在第一栅电极上的第二漏极区、第二沟道区和第二源极区；第二栅电极，在第二沟道区的一侧；以及第二栅极绝缘层，在第二沟道区和第二栅电极之间。第二漏极区和第二源极区可以分别具有第一导电类型杂质区和第二导电类型杂质区。
半导体存储器件

[发明专利]主机装置的操作方法及存储装置的操作方法-CN202310349475.0在审
发明人：郑在桓 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06F9/455 文献下载
摘要：公开了主机装置的操作方法及存储装置的操作方法。被配置为控制存储装置的主机装置的操作方法包括：从所述存储装置接收初始映射信息；基于所述初始映射信息执行初始迁移，使得存在于所述存储装置的第一区域中的源数据迁移到第二区域；从所述存储装置接收关于所述源数据的第一脏数据的第一脏信息；基于所述第一脏信息对所述第一脏数据执行第一迁移；从所述存储装置接收关于所述源数据的第二脏数据的第二脏信息；以及基于所述第二脏信息对所述第二脏数据执行第二迁移，并且所述第一脏信息的大小不同于所述第二脏信息的大小。
主机装置操作方法存储

[发明专利]蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法-CN202310350734.1在审
发明人：黄圭荣;姜炳俊;金大铉;金圣玟;金煌奭;朴美贤;吴政玟;李晓山;崔炳基 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、铵盐、含水溶剂、和加速剂。所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，和所述加速剂包括由式1‑1表示的化合物、由式1‑2表示的化合物、由式1‑3表示的化合物、由式1‑4表示的化合物、由式1‑5表示的化合物、由式1‑6表示的化合物、由式1‑7表示的化合物、由式1‑8表示的化合物、或其任意组合，其中，在式1‑1至1‑8中，CY1、X1至X6、T1、T1a、R2、Z1和a1各自如说明书中所定义的。#imgabs0#
蚀刻组合通过使用含有金属方法制造半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202310354489.1在审
发明人：李善行;裵相友;李南显 -专利权人： 三星电子株式会社
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍图案，从基底的顶表面突出并沿第一方向延伸；第一有源层和第二有源层，在第一鳍图案上沿第一方向延伸，第二有源层设置在比第一有源层的水平高的水平处；第一栅极和第二栅极，与第一有源层和第二有源层相交，围绕第一有源层和第二有源层中的每个的上表面、下表面和相对的侧表面，并沿第二方向平行地延伸；第一接触插塞至第三接触插塞，位于由第一有源层和第二有源层形成的第一有源层结构上。第一有源层包括从第一有源层的与第一栅极叠置的区域沿远离第二栅极的方向延伸第一长度的区域，第二有源层包括从第二有源层的与第一栅极叠置的区域沿远离第二栅极的方向延伸比第一长度短的第二长度的区域。
半导体装置