专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2022-06-24 公布专利
2022-06-21 公布专利
2022-06-17 公布专利
2022-06-14 公布专利
2022-06-10 公布专利
2022-06-07 公布专利
2022-06-03 公布专利
2022-05-31 公布专利
2022-05-27 公布专利
2022-05-24 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种挂壁式空调内机-CN202011544113.X在审
  • 庞自豪 - 苏州三星电子有限公司;三星电子株式会社
  • 2020-12-23 - 2022-06-24 - F24F1/0011
  • 本发明公开了一种挂壁式空调内机,包括:底座,设置在底座上的风道支架,可旋转地设置在风道支架上且与风道支架密封连接并形成风道的风道壳,驱动风道壳旋转的第一驱动部件;其中,风道壳设置有出风口,在风道壳旋转过程中出风口的位置发生变化。本发明公开的挂壁式空调内机中,通过第一驱动部件驱动风道壳在风道支架上旋转,且风道壳与风道支架密封连接,由于出风口设置在风道壳上,则风道壳旋转过程中,出风口的位置发生变化。因此,通过第一驱动部件驱动风道壳旋转可调节出风口的位置,从而能够调整出风口范围,可实现在风道壳旋转方向上出风,有效增大了出风范围,从而提高了室内温度的均匀度以及人体体感。
  • 一种挂壁式空调
  • [发明专利]获取器的数据发送方法和获取器-CN202110610398.0在审
  • 朴炫宣;张准祐;金愈珍;金燦老 - 三星电子株式会社
  • 2021-06-01 - 2022-06-24 - G06N3/04
  • 公开了获取器的数据发送方法和获取器。所述获取器包括加载器、至少一个发送器、缓冲控制器和重用缓冲器。所述数据发送方法包括:由加载器基于存储在重用缓冲器中的输入数据、将用于卷积运算的内核的形状和内核的权重的二维(2D)零值信息,根据加载次序来加载输入特征图的输入数据;由缓冲控制器将加载的输入数据存储在根据加载次序循环地分配地址的重用缓冲器中;和由所述至少一个发送器中的每个基于权重的一维(1D)零值信息,在存储在重用缓冲器中的输入数据之中选择与卷积运算的每个输出数据对应的输入数据,并且输出选择的输入数据。
  • 获取数据发送方法
  • [发明专利]半导体封装件-CN202111152196.2在审
  • 金原永;姜善远 - 三星电子株式会社
  • 2021-09-29 - 2022-06-24 - H01L23/525
  • 公开了一种半导体封装件,其包括:半导体芯片,所述半导体芯片包括位于所述半导体芯片的一个表面上的芯片焊盘;再分布图案,所述再分布图案位于所述半导体芯片的所述一个表面上并且电连接至所述芯片焊盘;以及光敏介电层,所述光敏介电层位于所述半导体芯片与所述再分布图案之间。所述光敏介电层可以与所述再分布图案物理接触。所述再分布图案包括信号再分布图案、接地再分布图案和电力再分布图案。所述芯片焊盘与所述信号再分布图案之间的垂直距离可以大于所述信号再分布图案的宽度。
  • 半导体封装
  • [发明专利]预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法以及存储设备-CN202111227999.X在审
  • 尹钟轮;宋弦钟;崔城赫;孙弘乐 - 三星电子株式会社
  • 2021-10-21 - 2022-06-24 - G11C29/42
  • 提供了预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法以及执行该方法的存储设备。在预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法中,执行读取序列。所述读取序列包括多个读取操作,所述多个读取操作中的至少一个读取操作被顺序地执行,直到成功地得到所述非易失性存储器件中存储的读取数据。生成序列类别和纠错码(ECC)解码信息。基于所述序列类别和所述ECC解码信息中的至少一者确定所述非易失性存储器件的寿命阶段。当确定所述非易失性存储器件对应于第一寿命阶段时,执行对所述非易失性存储器件的所述剩余寿命的粗略预测。当确定所述非易失性存储器件对应于所述第一寿命阶段之后的第二寿命阶段,执行对所述非易失性存储器件的所述剩余寿命的精细预测。
  • 预测非易失性存储器剩余寿命方法以及存储设备
  • [发明专利]集成电路器件-CN202111256976.1在审
  • 郑秀珍;金奇奂;张星旭;曹荣大 - 三星电子株式会社
  • 2021-10-27 - 2022-06-24 - H01L27/088
  • 一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上纵长地延伸的鳍型有源区。纳米片在垂直方向上与鳍型有源区的鳍顶表面分开。内绝缘间隔物位于衬底与纳米片之间。栅极线包括主栅极部分和子栅极部分。主栅极部分在纳米片上在第二横向方向上纵长地延伸。子栅极部分一体地连接至主栅极部分,并且位于衬底与纳米片之间。源极/漏极区与内绝缘间隔物和纳米片接触。源极/漏极区包括单晶半导体主体和从内绝缘间隔物穿过单晶半导体主体线性地延伸的至少一个下堆垛层错面。
  • 集成电路器件
  • [发明专利]带状基板和半导体封装件-CN202111308348.3在审
  • 郑淳宁 - 三星电子株式会社
  • 2021-11-05 - 2022-06-24 - H01L23/31
  • 公开了一种带状基板和半导体封装件,所述带状基板包括:介电层,所述介电层具有在第一方向上彼此间隔开的多个单元区域和在所述多个单元区域之间的锯线区域;多个导电虚设图案,所述多个导电虚设图案在所述介电层的相应的单元区域上;多个锯线图案,所述多个锯线图案在所述介电层的所述锯线区域上,并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸;以及保护图案,所述保护图案覆盖所述介电层。所述导电虚设图案的端部在平行于所述第一方向的方向上彼此间隔开。所述锯线图案的端部在平行于所述第二方向的方向上彼此间隔开。所述保护图案在所述导电虚设图案的端部之间以及所述锯线图案的端部之间。
  • 带状半导体封装
  • [发明专利]垂直型非易失性存储器件-CN202111210134.2在审
  • 郑基容;权永振;殷东锡 - 三星电子株式会社
  • 2021-10-18 - 2022-06-24 - H01L27/11524
  • 一种垂直型非易失性存储器件,具有对垂直沟道层的不对准的敏感性增强的多叠层结构。所述非易失性存储器件包括:(i)主芯片区,所述主芯片区包括单元区和被布置为具有台阶结构的延伸区,所述单元区和所述延伸区以多叠层结构形成,以及(ii)外芯片区,所述外芯片区围绕所述主芯片区并在其中包括台阶键。所述主芯片区包括位于衬底上的第一层和位于所述第一层上的第二层。在所述第一层中布置有下垂直沟道层。所述台阶键包括对准垂直沟道层,并且所述对准垂直沟道层的顶表面低于所述下垂直沟道层的顶表面。
  • 垂直非易失性存储器
  • [发明专利]存储设备和操作存储设备的方法-CN202111200412.6在审
  • 吴承俊;李地花;李庚德 - 三星电子株式会社
  • 2021-10-14 - 2022-06-24 - G11C29/02
  • 一种存储设备包括多个非易失性存储器件、存储控制器电路和泄露检测电路。所述存储控制器电路控制多个非易失性存储器件,所述存储控制器电路包括多个连接端子,所述多个连接端子中的每一个经由多个连接节点中的对应的连接节点与包括在所述多个非易失性存储器件中的多个引脚中的对应的引脚集共同连接。包括在每个引脚集中的引脚具有相同的属性。所述泄露检测电路被配置为基于由连接到每个引脚集的连接节点生成的合并信号确定在每个引脚集处是否出现泄露,并且被配置为向所述存储控制器电路提供对确定结果加以指示的检测信号。
  • 存储设备操作方法
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202111445439.1在审
  • 李炅奂;金容锡;金一权;金熙中;赵珉熙;弘载昊 - 三星电子株式会社
  • 2021-11-30 - 2022-06-24 - H01L27/108
  • 提供了性能和可靠性改善的半导体存储器件。所述半导体存储器件包括:导电线,所述导电线在衬底上在第一方向上延伸;层间绝缘膜,所述层间绝缘膜包括在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的单元沟槽,并且位于所述衬底上;第一栅电极和第二栅电极,所述第一栅电极和所述第二栅电极在所述第一方向上彼此间隔开并且均在所述第二方向上延伸,并且位于所述单元沟槽内部;沟道层,所述沟道层位于所述单元沟槽内部并电连接到所述导电线,并且位于所述第一栅电极和所述第二栅电极上;以及栅极绝缘层,所述栅极绝缘层介于所述第一栅电极和所述沟道层之间以及所述第二栅电极和所述沟道层之间。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]半导体装置-CN202111150121.0在审
  • 朴俊范;具湘谟;金旻怡;尹锡玄 - 三星电子株式会社
  • 2021-09-29 - 2022-06-24 - H01L27/02
  • 公开了半导体装置。所述半导体装置可以包括设置在基底上的有源图案和在有源图案上的源极/漏极图案。源极/漏极图案可以包括与有源图案的顶表面接触的底表面。半导体装置还可以包括连接到源极/漏极图案的沟道图案、延伸以越过沟道图案的栅电极以及从有源图案的侧表面延伸到源极/漏极图案的下侧表面的围栏绝缘层。一对中间绝缘图案可以在源极/漏极图案的底表面的两侧处且在有源图案与源极/漏极图案之间与围栏绝缘层的内侧表面接触。
  • 半导体装置
  • [发明专利]包括发光二极管背光单元的显示装置-CN202111477719.0在审
  • 金昺逸;金亮郁;金判洙;金炯泰;禹锡润;尹智秀;尹贤智 - 三星电子株式会社
  • 2021-12-06 - 2022-06-24 - G09G3/3233
  • 公开了包括发光二极管背光单元的显示装置。所述显示装置可包括:发光二极管(LED)背光单元(BLU);像素驱动电路,被配置为生成扫描信号和图像信号;以及像素电路,被配置为基于扫描信号和图像信号生成输出电流,并将输出电流发送到LED BLU。像素电路包括:第一晶体管,连接在输入引脚与节点之间,输入引脚被配置为接收图像信号,第一晶体管包括被配置为接收扫描信号的栅极端子;第二晶体管,连接在所述节点与地端子之间,第二晶体管包括连接到所述节点的栅极端子;第三晶体管,连接在所述节点与栅极节点之间;第四晶体管,被配置为根据栅极节点的电压生成输出电流;以及电容器,连接到栅极节点。
  • 包括发光二极管背光单元显示装置

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