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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多输出SEPIC转换器-CN202180095461.X在审
发明人：麻生真司 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：提高由供给正负输出电压的支持多输出的SEPIC电路构成的DC‑DC转换器的交叉调整精度。[解决手段]在由电抗器(Lin、L1、L2)、开关元件(Q1)、连接电容器(C1、C2)、整流元件(D1、D2)、输出电容器(Co1、Co2)构成的多输出SEPIC电路(1)中，变更连接电容器(C2)和电抗器(Lin)的连接。其特征在于，将连接电容器(C2)的连接变更为连接电容器(C1)、整流元件(D1)阳极、电抗器(L1)的连接点而进行连接。
输出 sepic 转换器

[发明专利]半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法-CN201810058084.2有效
发明人：鹿内洋志;保立伦则;田中雄季;工藤真二 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法。该半导体器件包括裂纹传感器，该裂纹传感器具有SBD结构；该SBD结构至少配置在半导体本体的第一面上，并且配置为检测该半导体本体的第一面上的裂纹。因此，该裂纹传感器能够检测该半导体器件的表面上的裂纹，精度高且结构简单。
半导体器件以及检测裂纹方法

[发明专利]内置式永磁电机的控制方法和装置以及控制器-CN202210299594.5在审
发明人：西岛哲也 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02P27/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种内置式永磁电机的控制方法和装置以及控制器。所述方法包括：根据来自位置传感器的位置信息检测电机转子的旋转速度和旋转方向；根据所述位置信息确定电机定子上对应的两个施加相和直流电压方向；以及根据所述直流电压方向对所述两个施加相施加逐渐增大的直流励磁电流，从而固定所述电机转子的初始位置。由此，能够消除急剧的扭矩变动，在顺利起动的情况下能够减少甚至避免电机发生振动和产生鸣音的情况。
内置永磁电机控制方法装置以及控制器

[发明专利]发光装置-CN202310269538.1在审
发明人：梅津阳介 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，该发光装置是琥珀色的发光装置，利用LED和荧光体发出琥珀色的光，使亮度飞跃性地提高。一种发光装置，其包含蓝色LED、第一荧光体和第二荧光体，发出琥珀色的光，其中，所述第一荧光体被所述蓝色LED的光激励而发出绿色至黄色的光，所述第二荧光体被所述蓝色LED的光激励而发出具有比所述第一荧光体的发光峰值波长大且625nm以下的发光峰值波长的光，发光装置的发光波长650nm的发光强度为发光装置的发光峰值波长的发光强度的60％以下。
发光装置

[发明专利]半导体装置-CN202211508789.2在审
发明人：花冈正行 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，该半导体装置不降低IGBT的阈值、负载短路耐量而降低了反向导通型IGBT的反向峰值电流(Irpeak)。与IGBT区域的基极区域的杂质浓度相比，降低了二极管区域的杂质浓度。
半导体装置

[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法-CN201810818358.3有效
发明人：鹿内洋志;鹫谷哲;田中雄季;韦宁 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。
半导体器件以及形成方法

[实用新型]半导体装置-CN202320918119.1有效
发明人：蓜岛孝史;川瀬启 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供半导体装置，其在树脂密封后的半导体装置的树脂表面所设置的凹部的孔、台阶凹陷区中，通过使树脂表面粗糙，能够抑制清洗液残留。本实用新型的半导体装置的特征在于，具有引线框、散热基板和半导体芯片，通过树脂密封体的树脂包覆这些部件，在树脂密封体的表面具有凹部，所述凹部具有表面粗糙度比所述树脂密封体的表面大的表面粗糙部。此外，其特征在于，所述树脂密封体的所述凹部的所述表面粗糙部的树脂表面粗糙度为Sa：3.5～5.0μm。
半导体装置

[实用新型]半导体装置-CN202320918349.8有效
发明人：茂木昌巳 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：提供半导体装置，通过将散热板强力地按压于模塑模具内表面，抑制树脂毛刺的产生，高效地进行散热。半导体装置具有：引线框，其具有悬吊部；散热板，其具有一个主面以及与一个主面相反侧的另一个主面，并在一个主面接合有引线框的一部分；及树脂密封体，其以引线框的一部分突出且散热板的另一个主面露出的方式进行树脂密封，引线框具有密封在树脂密封体中的悬吊部，悬吊部具有：第1面，其利用接合材料固定于散热板的一个主面；第2面，其形成为从第1面起在远离第1面(接合部)的方向上向树脂密封体的内部侧弯折；第3面，其与散热板的一个主面接触；第4面，其形成为从第3面起向第1面(接合部)侧弯折；及第5面，其将第2面与第4面相连。
半导体装置

[发明专利]半导体元件和半导体装置-CN201711470436.7有效
发明人：鸟居克行 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体元件和半导体装置，该半导体元件的表面呈四边形，该半导体元件具有用于接收控制信号的栅极焊盘，其中，栅极焊盘的数量为至少两个，其中，至少两个所述栅极焊盘被分别设置在所述四边形的一边的两端部。根据本申请，在制造半导体装置时，不需要准备栅极焊盘位置不同的半导体元件，从而降低了制造半导体装置的复杂度。
半导体元件装置

[发明专利]光源驱动装置、方法以及光源设备-CN201910842043.7有效
发明人：林鼎杰;本居嵩一朗;郑明杰;菅原岳树 -专利权人： 三垦电气株式会社;台湾三垦电气股份有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种光源驱动装置、方法以及光源设备。光源驱动装置包括：开关元件，其进行导通/关闭以控制所述光源；以及控制电路，其基于调光信号驱动所述开关元件的导通/关闭，所述控制电路包括：计算部：其根据与所述调光信号对应的第1信息和与所述输出电流对应的第2信息，计算所述开关元件的导通时间和开关频率；以及驱动部，其根据计算出的所述导通时间和所述开关频率对所述开关元件进行驱动。在本申请实施例中，导通损失不会相对于漏电流和设备温度呈指数级增加，从而能够抑制导通损失。
光源驱动装置方法以及设备

[实用新型]半导体装置-CN202320628310.2有效
发明人：井上隆 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供半导体装置，其在设置于被树脂密封的半导体芯片上的多个引线布线中，相对于模塑树脂的流动，能够防止引线短路。本实用新型的半导体装置的特征在于，将半导体芯片搭载于基座并进行树脂密封，在半导体芯片形成有多个焊盘，用引线对焊盘间进行引线接合，引线并列，并且，与树脂密封的树脂流动方向垂直地布置，在树脂流动的前方侧具备低弧引线，在后方侧具备高弧引线。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210116403.7在审
发明人：内藤裕也 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体装置，所述半导体装置包括第一控制电路、第二控制电路、第一控制元件以及第二控制元件，通过将第一控制电路和第一控制元件之间的第一寄生元件的直流电流放大系数设为比第一控制电路和第二控制元件之间的第二寄生元件的直流电流放大系数小，从而在第二控制电路的供给电压发生变化时，能够抑制第一寄生元件的动作，防止第二控制电路持续输出高电平的第一控制信号，由此，在不会增大电路规模的同时防止负载持续流过大电流而损坏。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210269436.5在审
发明人：青木宏宪 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供半导体装置，能够抑制分离区域的反转层的形成，抑制从高压电路区域向分离区域、晶体管元件区域的漏电流。一种半导体装置，其具有设置在半导体衬底上的高压电路区域、晶体管元件区域、对所述晶体管元件区域和所述高压电路区域进行元件分离的分离区域、以及包含多列导电体的电容耦合型场板，其中，在俯视观察所述半导体装置时，所述电容耦合型场板以横穿所述晶体管元件区域并且包围所述高压电路区域的方式配置，所述电容耦合型场板的所述多列导电体中的至少1列具有截断部，该截断部将所述导电体截断而使之不连续。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210666032.X在审
发明人：青木宏宪 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供半导体装置，能够抑制分离区域的反转层的形成，抑制从高压电路区域向分离区域、晶体管元件区域的漏电流。一种半导体装置，其具有设置在半导体衬底上的高压电路区域、具有第1主电极、电位比第1主电极低的第2主电极和控制电极的晶体管元件区域、对所述晶体管元件区域和所述高压电路区域进行元件分离的分离区域、以及场板，其中，所述场板与所述第1主电极电连接，并且，在俯视观察所述半导体装置时，所述场板以从所述第1主电极越过所述分离区域的上方而到达所述高压电路区域上的方式延伸。
半导体装置

[发明专利]半导体晶片以及形成半导体的方法-CN201810151850.X有效
发明人：鹿内洋志;保立伦则;田中雄季;工藤真二 -专利权人： 三垦电气株式会社
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。
半导体晶片以及形成方法

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