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[实用新型]一种陶瓷封装结构及加速度传感器-CN202223153532.8有效
发明人：潘琴;尹灿;甘贤鹏;万启波;陈媛;任春桥 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种陶瓷封装结构及加速度传感器，所述封装结构包括：第一陶瓷基片，所述第一陶瓷基片用于安装外部元件；第二陶瓷基片，所述第二陶瓷基片设置在所述第一陶瓷基片和第三陶瓷基片的中间；第三陶瓷基片，所述第三陶瓷基片还与外部电源相连。通过设置第一陶瓷基片、第二陶瓷基片和第三陶瓷基片，将陶瓷基片直接作为封装外壳，无需采用基板安装，大大节约了空间，可以使封装做得更小，能够满足高集成度和复杂程度的需求同时实现电路小体积、低功耗、低寄生阻抗和强抗干扰性能；陶瓷基片本身具有良好的散热性，在温度和大幅波动的恶劣环境中仍能正常工作。
一种陶瓷封装结构加速度传感器

[发明专利]一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法-CN202211451224.5在审
发明人：甘贤鹏;尹灿;潘琴;陈媛;万启波;任春桥;陆章相;邓智杰;莫景勇 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-20 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：一种CrSi电阻及其激光修调仿真方法，属于集成电路设计领域。CrSi电阻的形状由修调区和非修调区组成，非修调区贯通CrSi电阻的左端和右端，修调区位于非修调区的左端和右端之间，与非修调区一体化；仿真方法为：将CrSi电阻左端设为正极，右端设为负极，电流从电阻的左端流向右端；沿平行于电流方向，切除电阻修调区域的部分区域，进行激光修调；按照设定的步进间隔依次减少电阻修调区域垂直于电流方向的长度，每次步进均仿真出结果；遍历从初始值到目标值的多个阻值；对电阻按设定值进行精确修调。解决了集成电路中CrSi薄膜电阻的阻值精度难以控制，最终目标值难以确定的问题。本发明可广泛应用于需要精确控制电阻阻值的场合。
一种 crsi 电阻及其激光仿真方法

[发明专利]一种容性耦合隔离放大器封装结构及其封装方法-CN202211339369.6在审
发明人：陈媛;尹灿;潘琴;甘贤鹏;万启波;任春桥;陆章相;邓智杰 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2022-10-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种容性耦合隔离放大器封装结构及其封装方法，属于集成电路封装技术领域。包括双基岛隔离型引线框架、片式元器件、芯片电容、组装料、键合丝、封装料。双基岛隔离型引线框架包括相互隔离的左侧基岛及右侧基岛，及两个以上的引脚；片式元器件为半导体芯片或片式电子元器件，输入侧半导体芯片或片式电子元器件位于左侧基岛的左侧区域，输出侧半导体芯片或片式电子元器件位于右侧基岛的右侧区域。芯片电容位于两个基岛的靠近区域；片式元器件及芯片电容通过键合丝连接相应电气连接点。解决了现有技术中体积大、抗干扰性差、承压能力低、质量一致性差、可靠性低的问题。适用于电源、电机控制器、远程电压检测、生物医学测量、远程数据采集等领域。
一种耦合隔离放大器封装结构及其方法

[发明专利]一种RS485总线随机秘钥加解密方法及其系统-CN202111514435.4在审
发明人：徐方林;何永江;刘健;方畅;任春桥;万启波;陈潇;路兰艳 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G06F21/60 文献下载
摘要：一种RS485总线随机秘钥加解密方法及其系统，属于通讯技术领域。系统包括主机、从设备、主机端加解密模块、从设备端加解密模块、RS485总线，主机和从设备分别通过独立的加解密模块连接到总线上；方法包括：主机端加解密模块上电后与RS485连接的从设备端加解密模块协商生成组合随机秘钥，并分别对随机秘钥进行存储；主机端加解密模块使用组合随机秘钥对明文加密后发送；从设备端加解密模块对接收到的加密报文进行解密发送给从设备实现总线控制和信息交互；总线上多个从设备各自使用独立的组合随机秘钥。解决了单一秘钥认证被破解风险很高，不能根本保证数据安全问题的问题。广泛应用于保密性要求高的工业控制或现场通讯领域。
一种 rs485 总线随机秘钥加解密方法及其系统