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[发明专利]一种基于局部有源忆阻的神经形态电路-CN202211555056.4在审
发明人：徐权;王艺腾;陈雄建;丁首魁;刘通;武花干;陈墨 -专利权人：常州大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06N3/065 文献下载
摘要：本发明涉及神经形态电路技术领域，尤其涉及一种基于局部有源忆阻的神经形态电路，包括浮地型二阶局部有源忆阻替换钠离子通道电导GNa与钠离子通道偏置电压ENa串联构成一条支路；浮地型一阶局部有源忆阻替换钾离子通道电导GK并与钾离子通道的偏置电压EK串联构成一条支路；泄漏通道电阻RL与泄漏通道的偏置电压EL串联构成一条支路；控制激励电阻Rs与外加激励vs串联构成一条支路，膜电容C与各个支路并联。本发明设计了基于局部有源忆阻的神经形态电路，涉及生物神经元细胞膜中的钠离子通道与钾离子通道的忆阻表达问题，进而通过硬件电路加以实现。
一种基于局部有源神经形态电路

[发明专利]一种基于FHN神经元的三次非线性函数拟合电路-CN202210535198.8在审
发明人：徐权;陈雄建;丁首魁;刘通;王艺腾;武花干 -专利权人：常州大学
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明涉及电子神经元技术领域，尤其涉及一种基于FHN神经元的三次非线性函数拟合电路，包括拟合三次非线性函数电路和FHN神经元主电路，以及拟合三次非线性函数电路与FHN神经元主电路电性连接，拟合三次非线性函数电路包括：电阻R1‑R8、Ra‑Rc、运算放大器U1‑U3、三极管Q1、Q2、直流电流源I0和直流电压源Vcc；FHN神经元主电路包括：电阻R9‑R16、运算放大器U4‑U6、电容C1、C2、直流电压源V和交流电压源Vs。本发明解决现有技术中FHN神经元电路实现，因三次非线性项的实现需要使用乘法器，造成成本高、IC集成电路中占用较大硅基面积的技术难题。
一种基于 fhn 神经元三次非线性函数拟合电路