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[发明专利]纳米复合材料MoS2-CN201810239525.9有效
发明人：李婷婷;汪柱宏;刘超超;王鑫凯;唐春明;丁攻圣 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：纳米复合材料MoS2/Ag/TiO2 NTs的制备方法，其原理是以钛网为基底，利用简单的光还原法和水热法，在TiO2 NTs/Ti网上原位生长出一体化MoS2/Ag/TiO2 NTs。在可见光（λ≥420 nm）照射下，4cm2钛网上的MoS2/Ag/TiO2 NTs催化剂在2小时内可以将100mL 10mg/L的盐酸四环素溶液基本降解完。本发明的优点是复合材料是在钛网上制备的，解决了催化剂固定化的问题，使用起来方便快捷，便于回收和重复利用，而且催化活性不易失效，还能与外电路相连接，应用偏压提高光生电子‑空穴的分离效率，进而提高其催化效率。
纳米复合材料 mos base sub

[发明专利]一种纳米复合材料二硒化钼修饰二氧化钛纳米管阵列的电化学制备方法-CN201910628372.1在审
发明人：李婷婷;汪柱宏;张鹏鸣;刘超超;丁攻圣 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米复合材料二硒化钼修饰二氧化钛纳米管阵列的电化学制备方法，所述方法包括以下步骤：(1)以市售钛箔为基底，利用阳极氧化法制备TiO₂纳米管阵列；(2)将步骤(1)得到的生长在钛箔上的TiO₂纳米管阵列放在含有Na₂MoO₄、SeO₂和NaH₂PO₄的水溶液中，采用循环伏安法将MoSe₂纳米粒子沉积在TiO₂纳米管阵列上，得到MoSe₂/TiO₂纳米管阵列；(3)将步骤(2)得到的原位生长在钛箔上的MoSe₂/TiO₂纳米管阵列在氮气氛围中锻烧，晶化。本发明采用电化学法工艺简单、条件温和、过程便捷，解决了传统水热法需要高温高压且周期长的技术难点。
钛箔二氧化钛纳米管阵列纳米复合材料电化学制备二硒化钼修饰纳米粒子沉积阳极氧化法制循环伏安法氮气氛围电化学法高温高压技术难点原位生长水热法锻烧基底晶化生长