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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有机薄膜晶体管和制造其的方法-CN200510079538.7有效
发明人：具在本;徐旼彻;牟然坤 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机薄膜晶体管和制造其的方法。该有机薄膜晶体管具有衬底和位于衬底上的栅电极。栅极绝缘体具有位于栅电极上的包括无机栅极绝缘体和有机栅极绝缘体的叠层结构。有机半导体层位于栅极绝缘体上来与栅电极重叠。因此，形成具有柔性、减小的泄漏电流和低阈值电压的有机薄膜晶体管。
有机薄膜晶体管制造方法

[发明专利]自对准存储元件及字线-CN03825582.0有效
发明人： P·K·张;A·M·卡图里 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-09-08 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：一种有机聚合物存储单元，其具有形成在第一导电(例如，铜)层(例如，位线)(104、108)上的有机聚合物层(116、2108、2132、2168)以及电极层(120、2112、2128、2164)。此存储单元连接至第二导电层(例如，形成字线)(136、2148、2160)，并且更具体地是存储单元的电极层顶部连接至第二导电层。选择性地，在导电层上形成传导率促进层(112、2136)。以介电材料隔开存储单元。此存储单元与形成在第一导电层内的位线以及形成在第二导电层内的字线自对准。
对准存储元件

[发明专利]有机发光二极管组件及其制备方法-CN200410059370.9无效
发明人：蓝文正;张简金钟;游辉昌 -专利权人：悠景科技股份有限公司
申请日： 2004-06-18 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机发光二极管组件，包括玻璃基板、设于该玻璃基板上呈预定图案的黑色矩阵图案层、覆盖于该玻璃基板与该黑色矩阵图案层上的保护层、设于该保护层上呈预定图案的阳极图案层、设于该阳极图案层上的发光层结构、及位于阳极图案层之间作为隔绝的绝缘区。其中，该黑色矩阵图案层具有低反射率；且该黑色矩阵图案层具有与该绝缘区互相对应的第一矩阵图案、或进一步包括的与该阳极图案层对应的第二矩阵图案。本发明的发光二极管组件可增加光源色彩纯化与灰阶效率并增加视角的清晰程度，提高解析能力及发光效率，并能避免额外增加偏光模的成本。
有机发光二极管组件及其制备方法

[发明专利]有机器件结构及其制造方法-CN200380103227.9有效
发明人： R·夸昂;M－H·M·卢 -专利权人：通用显示公司
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：提供了一种制造有机发光器件的方法。将第一有机层沉积在第一电极之上。然后使用溶液处理法将包括小分子有机材料的第二有机层沉积在第一有机层之上并与第一有机层进行物理接触，这样第一有机层不溶于用来沉积第二有机层的溶液。然后将第二电极沉积在第二有机层之上。
有机器件结构及其制造方法

[发明专利]具有抗反射层的有机电致发光光源-CN200380103017.X无效
发明人： H·格雷纳 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-11-03 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：有机电致发光光源，具有一个正面面板1，一个正面电极部件8，3，一个对面电极部件5，一个在正面电极部件和对面电极部件之间的有机电致发光部件6，7以及一个由含有中孔的有机聚合物材料制成的抗反射层2。
具有反射层有机电致发光光源

[发明专利]有机器件结构及其制造方法-CN200380103287.0无效
发明人： M－H·M·陆 -专利权人：通用显示公司
申请日： 2003-11-12 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：提供了一种可具有混合有机层的有机发光器件。提供了一种制造该有机发光器件的方法。对第一有机材料进行溶液沉积，从而在第一电极之上形成图案化的有机层。用非溶液处理的方法将第二有机材料沉积在第一有机层之上并与第一有机层进行物理接触，从而形成第二有机层。第二有机层在第一有机层之上形成一个覆盖层。然后将第二电极沉积在第二有机层之上。
有机器件结构及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN200380102419.8无效
发明人：罗尔夫·克嫩坎普 -专利权人：哈恩－迈特纳研究所柏林有限公司
申请日： 2003-10-29 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明涉及场效应晶体管，其中在源极触点及漏极触点之间设有至少一个垂直定向的、其直径在纳米范围上的半导体柱，在保持一个绝缘距离的情况下该半导体柱被栅极触点环形地包围。本发明提出一种简化的制造方法。所制造的晶体管被这样地构成：半导体柱(2)被埋在第一及第二绝缘层(3，5)中，在这些绝缘层之间设有一个作为栅极触点的、向外导出的金属层(4)，该金属层的向上穿过第二绝缘层(5)露出的端部被部分地转换成绝缘体(6)或部分地被去除及通过绝缘材料填充。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]有机薄膜齐纳二极管-CN03821987.5无效
发明人： R·P·金斯博鲁;I·索科利克 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-09-08 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜齐纳(Zener)二极管，该薄膜齐纳二极管包括：(a)薄膜，其包括其中包括至少一种有机材料的至少一层；以及(b)与该薄膜的各相对面接触的第一和第二电极，其中选择该第一和第二电极的材料以及该薄膜的厚度，以便提供预先选择的齐纳临界电压。
有机薄膜齐纳二极管

[发明专利]电致发光类电控设备及其电连接方法-CN200380101261.2无效
发明人： F·贝泰耶;G·马太 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2003-10-01 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有可变光学和/或能量性能的电控设备或电致发光设备，该设备包括至少一个承载电活性层叠(3)的基材(1)，该层叠置于所谓的“下”电极与所谓的“上”电极之间，每个电极包括至少一个导电层(2)，它与至少一根电流总线电连接，其特征在于至少一根电流总线与至少一根电源线电连接，该电源线适合于将电能分配到至少一个导电层(2)的表面上，以便在电活性层叠(3)均匀地将电能转换成光能。
电致发光类电控设备及其连接方法

[发明专利]多波长发光装置、电子设备以及干涉镜-CN200510068976.3有效
发明人：下田达也;小山智子;金子丈夫;J·H·巴勒斯 -专利权人：精工爱普生株式会社;剑桥显示技术有限公司
申请日： 2000-06-02 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：一种发光装置，其特征在于，包括：多个第一发光元件，每个所述第一发光元件发射具有第一波长谱的第一光；多个第二发光元件，每个所述第二发光元件发射具有第二波长谱的第二光，所述第二波长谱不同于所述第一波长谱；和半反射层组，从所述发光装置输出的第三光，从所述发光装置输出的第四光，所述第三光具有第三波长谱，所述第三波长谱是由所述半反射层组通过锐化所述第一波长谱而获得，和所述第四光具有第四波长谱，所述第四波长谱是由所述半反射层组通过锐化所述第二波长谱而获得。
波长发光装置电子设备以及干涉

[发明专利]白光有机电激发光装置-CN200410042440.X无效
发明人：张俊钦;林国森;朱健慈 -专利权人：胜华科技股份有限公司
申请日： 2004-05-18 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种白光有机电激发光装置，在制作发光层时利用两种或两种以上互补光色的多重循环结构而制作的一多层发光结构，可避免该白光有机电激发光装置在高电压时产生色偏，且该装置的多层发光结构不受激子扩散的影响，各色光都能均衡调和发射出混成白光，该白光可搭配彩色滤光片制作全彩面板。
白光机电激发装置

[发明专利]使用有机电介质的有机场效应晶体管-CN02828191.8有效
发明人： S·W·李明;S·莫希亚尔丁－哈法夫;S·D·奥吉尔;J·弗雷斯 -专利权人：艾夫西亚有限公司
申请日： 2002-11-21 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明提供制造有机场效应装置的方法，该方法包括如下步骤：a)从溶液中沉积一层有机半导体层；b)从溶液中沉积一层形成栅极绝缘体的至少一部分的低介电常数绝缘材料，使低介电常数绝缘材料与有机半导体层接触，低介电常数绝缘材料的相对介电常数为1.1至3.0以下。另外也提供了用此方法制造的有机场效应装置。
使用有机电介质场效应晶体管

[发明专利]发光器件及其制造方法和显示单元-CN200480000242.5无效
发明人：横山诚一;花轮幸治;芝崎孝宜;平野贵之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够防止第一电极的分离或改变以获得良好性能的发光器件及其制造方法以及显示装置。在以平化层为基层的基底上依次层叠作为阳极(14)的第一电极、绝缘膜(15)、包含发光层(16)的有机层和作为阴极(17)的第二电极。第一电极(14)具有从基底开始依次层叠粘结层(14A)、反射层(14B)和阻挡层(14C)。可以通过阻挡层防止反射层的变化，并且可以通过粘结层防止反射层与平化层的分离。第一电极通过在平化层上形成粘结层、反射层和阻挡层并再从阻挡层开始依次对所述层图案化而形成。
发光器件及其制造方法显示单元

[发明专利]包含有机受体膜的有机薄膜晶体管-CN200510054705.2有效
发明人：徐旼彻;杨南喆;金慧东 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-03-14 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管(TFT)，其包括：有机半导体膜；与该有机半导体膜电接通的源极和漏极；与源极和漏极以及有机半导体膜电绝缘的栅电极；和插入源极和漏极与有机半导体膜之间的有机受体膜。
包含有机受体薄膜晶体管

[发明专利]具有梯度组成的扩散阻挡涂层以及结合了该涂层的器件-CN03825072.1有效
发明人：马克·谢普肯斯;凯文·W·弗拉纳根 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2003-08-06 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：一种复合制品，其包括基片(340)，该基片具有至少一个表面和布置在基片表面上的梯度组成的涂层(350)。该涂层材料的组成沿所述涂层的厚度基本连续地变化。该涂层(350)降低了氧气、水蒸气和其它化学物质通过基片(340)的透过率，使得该复合制品可以有效地用作扩散阻挡物，以保护化学敏感器件(320)或材料。一种有机发光器件(310)结合了此复合制品以向其提供延长的寿命。
具有梯度组成扩散阻挡涂层以及结合器件

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