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[发明专利]一种湿法刻蚀机台干燥能力的验证方法-CN202310721399.1在审
发明人：郑风勤;郑犇;席国强;陈海唐;米琳;宁威 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种湿法刻蚀机台干燥能力的验证方法，包括提供具有侧掏结构的晶圆，该侧掏结构通过在裸晶圆表面沉积ONO层，然后进行沟槽刻蚀形成，ONO层包括底层HTO层、中间层SiN层和顶层TEOS层；利用湿法刻蚀机台对晶圆进行湿法刻蚀以去除氧化层；对裸晶圆表面进行热氧化处理形成牺牲氧化层；去除SiN层和牺牲氧化层；利用扫描机台对晶圆进行良率量测和缺陷扫描，若缺陷扫描结果为凹坑缺陷，则验证失败，否则验证通过。本发明利用侧掏结构晶圆干燥不足间隙容易产生水痕，经氧化物生长及去除过程会产生凹坑缺陷，采用侧掏结构晶圆，经炉管热氧化生长及氧化层移除后，通过缺陷结果来验证机台干燥能力，提高了对湿法刻蚀机机台干燥能力的监控，提升了器件良率。
一种湿法刻蚀机台干燥能力验证方法

[发明专利]晶硅太阳能电池光衰异常分析方法及系统-CN202310845872.7在审
发明人：高翰文 -专利权人：芜湖协鑫集成新能源科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开晶硅太阳能电池光衰异常分析方法及系统，该方法包括：取设定掺杂了元素A，在IV电性能测试机上测试电池片的原始的电性能数据；通过PL测试机测试电池片的正面并保存原始PL图片；将电池片过抗光衰炉；然后在IV电性能测试机上测试当前的电性能数据；通过PL测试机测试电池片的正面并保存当前PL图片；将原始的电性能数据与当前的电性能数据、原始PL图片与当前PL图片分别进行对比；在过抗光衰炉后相较于过抗光衰炉前，若设定掺杂了元素A的电池片的电性能数据以及PL图像亮度的变化情况，与实际掺杂了元素A的电池片的电性能数据以及PL图像亮度变化情况不同，则光衰异常为电池片本身掺杂导致。本申请检测效率高、操作方便且成本低。
太阳能电池异常分析方法系统

[发明专利]一种低测试逃逸的晶圆适应性测试方法-CN202310774242.5在审
发明人：梁华国;曲金星;潘宇琦;汤宇新;鲁迎春;易茂祥;黄正峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种低测试逃逸的晶圆适应性测试方法，包括：1、数据预处理；2、利用历史晶圆测试数据得到有效测试集；3、使用有效测试集对待测晶圆进行测试；4、对历史晶圆和待测晶圆分别进行局部参数波动分析；5、对于有局部参数波动的历史晶粒采用局部参数转换并训练空间波动质量预测模型；6、对于无局部参数历史晶粒使用原参数值训练特征参数质量预测模型；7、将待测晶圆中有无局部参数波动的晶粒分别使用模型进行质量预测。本发明能降低晶圆测试成本，同时保持较低的测试逃逸率。
一种测试逃逸适应性方法

[发明专利]晶圆载片台的角度补偿方法-CN202211392616.9在审
发明人：谢世敏;陶靖飞 -专利权人：精芯智能装备（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆载片台的角度补偿方法，其包括：S1、选取两个参照点A、B，根据所述两个参照点A、B，确定所述晶圆载片台的旋转中心点；S2、记录所述晶圆载片台旋转n周时，记录滑块移动的位置T1、T2……Tn，及对应的角度偏差值e1、e2……en，建立Tn‑en的对应关系；S3、在对晶圆角度偏差补偿的时候，当ei值位于[ea,eb]区间范围，则根据Ta‑ea和Tb‑eb对应关系形成线性关系，得到滑块水平移动补偿距离Ti。本发明通过选取两个参照点，来实现晶圆载片台旋转中心的确定。并根据两个参照点及确定的旋转中心，建立滑块位置与晶圆角度偏差的Tn‑en关系，据此可通过滑块带动晶圆旋转至需求的位置。
晶圆载片台角度补偿方法

[发明专利]用于处理基板的方法和设备-CN202280014462.1在审
发明人： P·利安托;徐源辉;A·桑达拉江;A·鲁西迪;M·A·纳拉迪帕 -专利权人：应用材料公司;新加坡国立大学
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本文中提供了用于处理基板的方法和设备。例如，使用扩展光谱椭偏术(ESE)处理基板的方法包括以下步骤：将来自扩展光谱椭偏仪的光束引导朝向基板的表面，以用于在基板处理期间从基板的表面确定原位ESE数据；测量在所确定的原位ESE数据中的相位和振幅的变化；以及同时使用来自原位ESE数据中的测得的相位和振幅的变化的复杂介电函数、光导率和电子相关性来确定基板的表面的各个方面。
用于处理方法设备

[发明专利]一种离子束束流实时监测方法及装置-CN202311101750.3在审
发明人：李密;汪东 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子束束流实时监测方法及装置，该方法包括：在离子束束流的通路上设置一带位置传感器的可沿轴心反复转动的非导磁性圆环，所述非导磁性圆环上设置有磁场强度传感器；基于所述位置传感器获取磁感应强度采样路径并通过所述磁场强度传感器获取磁感应强度；通过所述磁感应强度采样路径和所述磁感应强度获取环内电流，以实现对离子束束流的实时监测。本发明提供的一种离子束束流实时监测方法及装置，通过非导磁性圆环的转动，周期性地获取磁感应强度采样路径和磁感应强度，通过所述磁感应强度采样路径和所述磁感应强度可以获取到环内电流，可以实现对离子束束流的实时监测，提高束流监测的准确性。
一种离子束实时监测方法装置

[发明专利]外延晶圆的缺陷检测方法、装置、系统及其制造方法-CN202310405559.1有效
发明人：梁鹏欢 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种外延晶圆的缺陷检测方法、装置及外延晶圆的制造方法；该缺陷检测方法包括：扫描待测外延晶圆的表面，获得所述待测外延晶圆的扫描图像；检测所述扫描图像中存在的缺陷；提取所述扫描图像中各缺陷对应的图像特征；基于所述图像特征识别对应缺陷所属的缺陷类型；针对识别所得的缺陷类型多于一个的待确认缺陷，采集待确认缺陷处的元素成分，并根据元素成分为所述待确认缺陷确定唯一所属的缺陷类型。
外延缺陷检测方法装置系统及其制造

[发明专利]半导体测试结构及半导体参数测试方法-CN202310462222.4有效
发明人：姜中鹏;汪恒 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体测试结构及半导体参数测试方法，该测试结构包括有源层、栅极结构、多各引线组以及导电连接层，其中：有源层包括有源组，有源组包括多个沿第一方向间隔分布的有源区；栅极结构在有源组上的正投影贯穿多个有源区；各引线组分别位于各有源区上，并与有源区接触连接，且各引线组均位于栅极结构的同一侧；导电连接层位于引线组远离有源层的一侧，且包括多个沿第一方向间隔分布的第一导电连接部，第一导电连接部连接于相邻的两个引线组之间，以将各有源区串联。本公开的半导体测试结构可提高引线组的电学参数的测试结果的准确率。
半导体测试结构参数方法

[发明专利]一种晶圆的测试方法及装置-CN202310849714.9有效
发明人：徐振;唐晓辉;杨浩 -专利权人：杭州朗迅科技股份有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的测试方法及装置，方法包括如下步骤：根据待测晶圆的测试区域，确定基准坐标系，并给出待测晶圆的各个晶粒的坐标；根据对待测晶圆的边界晶粒的坐标分析，结合进行晶圆测试的探针的结构，确定探针测试的起始晶粒；基于探针行进路径策略，给出探针测试的终止晶粒；探针自起始晶粒起，遍历待测晶圆的所有晶粒，至终止晶粒止，其中，探针的遍历不包含待测晶圆的测试区域中的晶界外缘；分析对各个晶粒的测试数据，实现对待测晶圆的测试。本发明给出的晶圆测试方式，透过对测试路径的优化，避免待测晶圆区域中晶界外缘小球与探针的粘附，同时提高了晶圆的测试效率。
一种测试方法装置

[发明专利]硅晶片的翘曲量的预测方法及硅晶片的制备方法-CN201880090382.8有效
发明人：高奉均;高田康佑 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提出可考虑氧的影响而预测对硅晶片实施热处理时产生的翘曲量的方法和硅晶片的制备方法。预测在对硅晶片实施热处理时产生的翘曲量的方法，其特征在于，根据上述热处理中的硅晶片的应变的变化率和可动位错密度的变化率求得可动位错密度、应力和应变的时间演变，将其作为翘曲量，基于求得的应变的时间演变求得硅晶片的塑性变形量，设A、L0：常数，ΔOi：热处理开始时用于硅晶片中的氧析出物的氧的浓度，L：热处理开始时所述硅晶片中的氧析出物的平均尺寸，热处理开始时的可动位错密度Ni由[数学式1]给出。#imgabs0# (1)。
晶片翘曲量预测方法制备

[发明专利]集成电路测试模块及其制备方法-CN202010221789.9有效
发明人：袁元 -专利权人：环鸿电子(昆山)有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路测试模块及其制备方法，其中集成电路测试模块包含一测试电路板以及一弹性结构。测试电路板包含多个接点，弹性结构设置于测试电路板上，且弹性结构包含多个探针组以及一弹性胶块，各探针组包含一第一金属球、一第二金属球以及一金属导线，金属导线连接于第一金属球与第二金属球之间，且第二金属球电性连接于接点，探针组竖立并局部地包覆于弹性胶块內，且第一金属球用以电性接触一待测元件。借此，本发明可通过具有弹性胶块与探针组的弹性结构来取代传统的双头探针，以降低双头探针的制作及维护成本。
集成电路测试模块及其制备方法

[发明专利]一种晶圆检测装置及其检测方法-CN202210930449.2有效
发明人：林邦羽;李勇春;刘卫东 -专利权人：立川（无锡）半导体设备有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请涉及晶圆检测的技术领域，尤其是公开了一种晶圆检测装置，包括对位平台；检测平台，可升降地设置在对位平台上且能够沿竖向进行自转；通电检测部，设置于检测平台上方，通电检测部包括探针卡盘，探针卡盘具有针头；打点器，连接于通电检测部；对位成像单元，对位成像单元包括连接于通电检测部的对位相机一、连接于对位平台的对位相机二。本申请中对位相机一采集检晶圆位置信息，对位相机二采集针头和打点器的位置信息，建立空间坐标系并生成晶圆检测的路径规划。对位平台移动至检测位置，检测平台上升至晶圆的芯片引脚和针头接触，测量芯片参数。打点器根据检测结果图，标记不良芯片，实现晶圆的自动对准、检测和标记。
一种检测装置及其方法

[发明专利]流场分布的检测方法-CN201811260048.0有效
发明人：王沛萌;请求不公布姓名;请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种流场分布的检测方法，通过在所述清洗机台的槽体内对裸晶圆进行湿法清洗；再通过检测所述裸晶圆表面的铁离子的浓度分布来准确的反应出所述槽体的流场分布，进而在选择合适的清洗机台及分析晶圆缺陷的来源与位置均能起到至关重要的作用。
分布检测方法

[实用新型]一种晶圆倒盒机-CN202321227186.5有效
发明人：李丰;杨文龙;赵旭梅 -专利权人：沈阳芯嘉科技有限公司
申请日： 2023-05-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆倒盒机，涉及晶圆加工技术领域，包括主体，主体顶部固定设置有顶板，主体前后内壁之间对称设置有第一安装槽，第一安装槽的右端面上设置有第一电动推杆，第一电动推杆的伸缩柱一端共同连接有连接块，连接块的两端与第一安装槽滑动连接，连接块底部设置有夹持翻转机构，顶板底部设置有照明灯和图像识别探头，主体前侧设置有控制器，控制器上设置有显示屏和控制按钮，图像识别探头、控制器与外部智能电脑连接，主体前侧设置有操作窗。本实用新型降低了对工作人员的要求，对晶圆的识别准确性高；实现了夹持翻转一体化，通过设置的推块、减速电机、第二滑槽和第二螺纹杆，便于将剩余的晶圆推至收集斗内进行后续使用。
一种晶圆倒盒机

[发明专利]用于在基板制造期间测量图案化基板特性的方法和机制-CN202310295392.8在审
发明人：周秉谕;张雅筑;林瑞哲;彭晧玮;李照贤;庄少特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种电子器件制造系统，被配置为获得与在处理腔室中执行以在基板的表面上沉积膜堆叠的沉积处理相关联的传感器数据。膜堆叠可以包括已知膜图案和未知膜图案。制造系统进一步被配置为将传感器数据输入到第一经训练机器学习模型中，以获得第一经训练机器学习模型的第一输出值。第一输出值能够与已知膜图案相关联。制造系统进一步被配置为将第一输出值输入到第二经训练机器学习模型中，以获得第二经训练机器学习模型的第二输出值。第二输出值能够指示已知膜图案的计量数据。
用于制造期间测量图案化基板特性方法机制