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- [实用新型]一种晶圆抛光测试装置-CN202320569079.4有效
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徐海洋;肖亚栋;赵杰鑫;解小龙;田光明
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苏州芯海半导体科技有限公司
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2023-03-22
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2023-10-17
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H01L21/66
- 本实用新型涉及晶圆加工技术领域，尤其为一种晶圆抛光测试装置，包括测试台，所述测试台的顶端面中部位置通过一体成型设有圆槽，且测试台的顶端固定连接有组合框架，所述组合框架的内部设有限定转杆，且限定转杆的一侧端连接有限定转轴，所述限定转杆的正上方位置设有压板，本实用新型中，通过设置的多槽托盘、压板、连杆、组合卡条、清洁棉、限定转轴和限定转杆，在清洁棉向下拉伸且接触到晶圆的顶部后，清洁棉可会对回旋转动状态下的晶圆，进行有效地表面清洁，使得完成抛光后的晶圆表面残留的粉料能够被快速清理掉，防止后期探针在接触晶圆进行测试时，探针底部出现被粉料粘附污染的问题。
- 一种抛光测试装置
- [发明专利]缺陷诊断方法及相关装置-CN202310900092.8在审
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蔡德敏;李朝军
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苏州纳维科技有限公司
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2023-07-21
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2023-10-13
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H01L21/66
- 本申请提供缺陷诊断方法、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品，应用于多个衬底，所述方法包括：针对每个所述衬底，执行以下处理：对所述衬底进行缺陷检测，获取所述衬底的衬底缺陷检测结果；对所述衬底进行气相外延，生成所述衬底对应的外延片；对所述外延片进行缺陷检测，获取所述外延片的外延缺陷检测结果；根据所述衬底缺陷检测结果和所述外延缺陷检测结果，获取所述衬底的缺陷影响类别，所述衬底的缺陷影响类别用于表征所述衬底的缺陷对外延片的影响程度。本申请通过分别对衬底和外延片进行缺陷检测，确定衬底缺陷对外延片的缺陷影响类别。
- 缺陷诊断方法相关装置
- [发明专利]晶圆检测定位平台及其使用方法-CN202311025422.X在审
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吴东清
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苏州皮科智能装备有限公司
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2023-08-15
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2023-10-13
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H01L21/66
- 本发明涉及晶圆检测技术领域，且公开了晶圆检测定位平台及其使用方法，包括底座，所述底座顶端的两侧皆设置有立柱，且立柱的顶端连接有安装架，所述安装架可在底座的上方平移，所述安装架的一侧安装有固定组件，且固定组件的一侧设置有上检测头。该晶圆检测定位平台及其使用方法实现了可以将不同大小的晶圆放置在对应的检测槽中，晶圆的固定可以利用负压吸附组件对其达到固定目的，使得晶圆在检测的时候不会发生移动，从而可以在一定程度上保证晶圆检测的正确率，另外通过负压对晶圆进行固定可以在一定程度少减少夹持对晶圆的损伤，也不会存在夹具和晶圆接触地方检测不到的情况，负压固定使得晶圆检测全面。
- 检测定位平台及其使用方法
- [发明专利]一种图形偏移量的测量方法-CN202310944653.4在审
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王辉
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-07-28
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2023-10-13
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H01L21/66
- 本发明提供了一种图形偏移量的测量方法，应用于半导体技术领域。其是通过先在第一介质层和第二介质层的组合膜层中设置多组预设偏移量的不同设计值，再基于该样本库进行训练，进而得到针对每一所述预设偏移量的设计值，其在受图形漂移的影响下的所述预设偏移量的设计值在执行光刻‑刻蚀工艺后的实际值，进而形成预设偏移量数据库，即得到意想不到的技术效果是：通过定量设定的方式，将不易测量的外延层的图形偏移量转换成易于测量的特定膜层所构建出的台阶结构的图形偏移，进而简化了外延生长后所造成的图形偏移问题，并避免了对硅片的切片破坏，保护了形成有半导体图形结构的硅片的完整性、缩短了图形偏移的测量时间和提高了图形偏移的测量精度。
- 一种图形偏移测量方法
- [发明专利]一种深紫外LED外延片测试方法-CN202211102260.0在审
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陈云;岳金顺;张骏;张毅;陈景文
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苏州紫灿科技有限公司
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2022-09-09
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2023-10-13
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H01L21/66
- 本发明公开一种深紫外LED外延片测试方法，包括：采用激光器件，在所述深紫外LED外延片的正面进行标刻，以露出所述深紫外LED外延片的N型结构并形成N型暴露点后，在所述N型暴露点上制作出N型接触点；在所述深紫外LED外延片的正面进行压铟操作，以在所述深紫外LED外延片上形成多个P型接触点；将所述深紫外LED外延片放置于测试支架上，并调整所述测试支架的位置，以使所述深紫外LED外延片的P型接触点与测试支架下方的积分球数据窗口位于同一直线上；将电源表的正负极分别连接所述P型接触点和N型接触点，并在通电后，通过所述积分球收集出光数据，并将所述出光数据发送至上位机中。本发明解决了现有技术中无法准确将N型层和P型层连接的问题。
- 一种深紫led外延测试方法
- [发明专利]半导体器件的失效分析方法-CN202310577124.5在审
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李维繁星;沈红星;王悦;李北印
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弘润半导体（苏州）有限公司
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2023-05-22
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2023-10-13
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H01L21/66
- 本发明涉及半导体器件失效分析技术领域，公开了半导体器件的失效分析方法，包括以下步骤：步骤S1，通过电子显微镜对半导体器件的分析面进行拍摄，获取所分析的半导体器件的分析面图片；步骤S2，对所分析的半导体器件的分析面图片进行调色处理，使得所分析的半导体器件的分析面图片整体呈灰色。本发明在对晶圆进行失效检测前，对半导体进行拍摄，然后通过图片处理的方式，对晶圆进行电性测试的同时，在图片上对测试结果为失效的晶圆进行上色处理，不仅方便工作人员掌握测试的进度，而且也可以在分析完成后，将图片存储，保存该半导体芯片的失效分析结果，相较于现有技术，加入图片处理技术的失效分析方法更加直观，且数据可存储，使用效果极佳。
- 半导体器件失效分析方法
- [发明专利]半导体检查装置-CN201880095003.4有效
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古森正明;大木克夫
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株式会社日立高新技术
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2018-06-28
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2023-10-13
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H01L21/66
- 本发明提供在微小器件的不良解析中能够高灵敏度地检测异常的半导体检查装置。半导体检查装置具有：试样台(6)，其载置试样；电子光学系统(1)，其对试样照射电子束；测量探针(3)，其与试样接触；测量器(8)，其测量来自测量探针的输出；信息处理装置(9)，其取得与电子束对试样的照射响应的来自测量探针的输出的测量值，信息处理装置设定对试样开始照射电子束的时刻以及将电子束的照射冻结的时刻、在电子束照射到试样的状态下测量器测量来自测量探针的输出的第1测量期间、在电子束的照射被冻结之后测量器测量来自测量探针的输出的第2测量期间，根据在第1测量期间测量出的第1测量值与在第2测量期间测量出的第2测量值之差，求出与电子束对试样的照射响应的来自测量探针的输出的测量值。
- 半导体检查装置
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