“H01L21/66”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果7424个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电子器件氧化层中固定负电荷陷阱的检测方法-CN202010735209.8有效
发明人：李兴冀;杨剑群;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子器件氧化层中固定负电荷陷阱的检测方法，包括以下步骤：选择N型半导体材料制备成衬底；在衬底上制备P型外延层；在外延层上形成N+源区、N+漏区和P+阱区；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成N+源极、N+漏极和栅极；将源极和漏极接地，栅氧电场保持正偏置，阱区负偏置，衬底负偏置；将源极、漏极、阱区和衬底接地，栅氧电场保持负偏置；栅氧电场交替进行正偏置和负偏置，正偏置和负偏置的交替时间和交替次数相同，在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获负电荷的状态，达到电子器件氧化层中固定负电荷陷阱检测与判定的目的。
电子器件氧化固定负电荷陷阱检测方法

[发明专利]碳浓度测定方法-CN201880053331.8有效
发明人：木村明浩 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明为一种碳浓度测定方法，其特征在于，按照FZ单晶的原料种类，制作并准备表示通过PL法测得的测定值与碳浓度的关系的标准曲线，选择与测定用半导体试样的原料为相同种类的原料的标准曲线，使用该选择的标准曲线，由所述测定用半导体试样的通过PL法测得的测定值求出碳浓度。由此，提供一种在基于光致发光(PL)法的半导体试样的碳浓度的测定中，即使原料的种类不同，也能够正确地测定碳浓度的碳浓度测定方法，所述半导体试样由通过浮区(FZ)法制备的硅单晶(FZ单晶)形成。
浓度测定方法

[发明专利]确定衬底支撑组件的热稳定性的方法-CN201910188115.0有效
发明人：奥利·瓦尔德曼;埃里克·A·佩普;卡洛斯·里奥-韦尔杜戈;基思·威廉·加夫 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及确定衬底支撑组件的热稳定性的方法，该组件包括成阵列的热控制元件，该元件中的一或多个形成该组件的能独立控制的加热器区，且该元件能操作来控制该组件的上表面的空间和瞬时温度，该方法包括在执行等离子体处理工艺之前记录该组件的时间分辨的处理前温度数据，同时给该元件供电以达到所述空间和瞬时温度。衬底在等离子体处理装置中被处理，同时给该元件供电以达到所述空间和瞬时温度，且该组件的时间分辨的处理后温度数据在处理衬底之后被记录，其中在处理后温度数据被记录的同时给该元件供电以达到所述空间和瞬时温度。将处理后温度数据与处理前温度数据进行比较，并确定处理后温度数据是否在处理前温度数据的所希望的公差范围内。
确定衬底支撑组件热稳定性方法

[发明专利]电子束扫描电子显微镜用于表征从电子束的视线看被遮挡的侧壁的用途-CN202011019472.3有效
发明人：奥弗·尤利;萨姆尔·班纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：由扫描电子显微镜(SEM)的电子束扫描半导体装置。区域包括具有顶部开口和侧壁的三维(3D)特征。在改变所述电子束的能量值时，对所述3D特征进行成像。所述电子束撞击在所述半导体装置的所选择的区域内的第一点处并与所述侧壁进行相互作用，其中所述第一点在远离所述顶部开口的边缘的某一距离处。基于表示在所述边缘处的二次电子产率的信号随着所述电子束的所述能量值在SEM成像期间变化而发生的变化，确定所述侧壁是否从所述电子束的视线看被遮挡。可通过将所测量的信号与同各种斜率相对应的模拟波形进行比较来确定所述侧壁的斜率。
电子束扫描电子显微镜用于表征视线遮挡侧壁用途

[发明专利]具有裂缝感测线的显示设备-CN201710616255.4有效
发明人：李承珪;车承智;权泰勋 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有裂缝感测线的显示设备。该显示设备包括具有显示区域和非显示区域的基板。多个像素被布置在基板的显示区域中。多条数据线连接到多个像素。裂缝感测线连接到多条数据线中的至少一条。裂缝感测线被布置在基板的非显示区域中。虚设图案层连接到裂缝感测线。
具有裂缝感测线显示设备

[发明专利]用于检测半导体衬底厚度的装置和方法-CN201710844441.3有效
发明人：安德烈亚斯·伯纳德斯·玛丽亚·扬斯曼;弗朗西斯科斯·皮特鲁斯·韦德索文;维特·桑迪·恩 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开用于检测半导体衬底厚度的装置和方法的实施例。在实施例中，一种IC装置包括半导体衬底、嵌入于所述半导体衬底中并且被配置成在所述半导体衬底中产生电荷的电荷发射器，以及嵌入于所述半导体衬底中并且被配置成响应于在所述半导体衬底中产生的所述电荷而生成响应信号的电荷传感器。所述响应信号的幅值取决于所述半导体衬底的厚度。
用于检测半导体衬底厚度装置方法

[发明专利]功率晶体管、驱动器和输出级-CN201780026202.5有效
发明人： H·洛迈尔;A·曼;D·施奈德 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率晶体管、一种驱动器和一种输出级。所述功率晶体管包括有源区域和布置在所述有源区域之上的金属化层，所述金属化层用于功率分布以及用于探测即将来临的由通过重复的功率脉冲引起的应力(RPP‑应力)决定的金属化故障。此外，所述功率晶体管包括布置在所述金属化层之上的另一金属化层(500)，在所述另一金属化层中，电分离的金属元件(510，520)沿延伸方向相互平行地延伸，所述金属元件中的一对用于所述功率晶体管(300)的功率供给。所述功率晶体管的特征在于，在所述另一金属化层(500)中，至少一个留空构造在所述有源区域之上。所述留空引起减小的散热。由此，所述功率晶体管在受限的区域中更大幅地发热，从而在通过所述金属元件的棱边确定的过渡区域中出现大的温度梯度。
功率晶体管驱动器输出

[发明专利]对于使用加热器元件阵列的基板载具的温度测量-CN201780049960.9有效
发明人： P·克里米诺儿;Z·郭 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：说明了使用加热器元件阵列对基板载具进行温度测量。在一个示例中，一种方法包含：测量静电吸盘中多个加热元件中的每一个的第一结合电流负载；改变所述多个加热元件中的第一加热元件的电力状态；在改变所述第一加热元件的所述电力状态之后，测量所述多个加热元件中的每一个的第二结合电流负载；确定所述第一结合电流负载与所述第二结合电流负载之间的差值；使用所述差值确定所述第一加热元件的温度；以及将所述第一加热元件的电力状态恢复至所述改变之前的电力状态，并对于所述多个加热元件中的其他加热元件中的每一个重复改变电力、测量电流负载、确定差值、以及确定温度，以确定所述多个加热元件中的每一个的温度。
对于使用加热器元件阵列基板载具温度测量

[发明专利]用于确定供体基板中的合适注入能量的方法和用于制造绝缘体上半导体结构的工艺-CN201780014686.1有效
发明人：卢多维克·埃卡尔诺;纳迪娅·本默罕默德;卡里纳·杜雷特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于确定供体基板(30)中的至少两种原子物质的合适注入能量以形成限定待转移到受体基板(10)上的单晶半导体层(32)的弱化区(31)的方法，包括以下步骤：(i)在供体基板(30)和受体基板(10)中的至少一个上形成介电层；(ii)将物质共同注入供体基板(30)中；(iii)将供体基板(30)结合在受体基板(10)上；(iv)沿着弱化区(31)分离供体基板(30)，以转移单晶半导体层(32)并且回收供体基板的剩余部分(34)；(v)检查供体基板的剩余部分(34)的或者在步骤(iv)转移了单晶半导体层(32)的受体基板(10)的周边环部；(vi)如果环部展示转移到受体基板上的区域，则推断步骤(ii)的注入能量太高；(vii)如果环部未展示转移到受体基板上的区域，则推断步骤(ii)的注入能量合适。
用于确定供体中的合适注入能量方法制造绝缘体上半导体结构工艺

[实用新型]一种晶圆切割切口检测装置-CN202320470163.0有效
发明人：殷泽安;殷泽华;殷志鹏 -专利权人：苏州译品芯半导体有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆加工技术领域，具体为一种晶圆切割切口检测装置，包括底板和电机，所述底板的顶部与所述电机固定连接，所述底板的顶部固定连接有电动推杆，所述电动推杆远离所述底板的一端固定连接有承重板，所述电机的主轴末端固定连接有旋转杆，所述旋转杆的外侧固定连接有旋转块，所述旋转块的外侧设置有放置组件；所以放置组件包括有与所述旋转块外侧固定连接的旋转板。本实用新型中，电机转动通过旋转杆带动旋转块偏转，旋转块通过旋转板带动放置框和晶圆发生偏转，挡块将晶圆挡住，放置框继续偏转，晶圆滑落至承重板上，根据晶圆是否符合标准，来控制对应的电推杆带动定位板和推板运动，将晶圆推至对应的收集框中。
一种切割切口检测装置

[实用新型]一种芯片弹坑分析仪器-CN202320414838.X有效
发明人：刘臻 -专利权人：合肥聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供了应用于芯片弹坑试验领域的一种芯片弹坑分析仪器，包括仪器支架，仪器支架顶端开设有芯片入口，仪器支架内壁固定连接有辊轴，实现通过将第一电动伸缩杆通过滑槽移动至芯片入口正下方并将第一电动伸缩杆翻转后开启第一电动伸缩杆延伸至与芯片入口处，这时将芯片放置第一电动伸缩杆上的芯片夹上夹住，开启电动滑轨使得第一转轴向左移动至腐蚀槽正上方，随后移动第一电动伸缩杆将芯片放置夹槽上进行浸泡，当芯片与基板分离后再移动第二转轴将芯片夹处后返回到清水槽处内清洗，随后通过第三转轴翻转至烘干箱内进行烘干，从而有效的达到全过程自动进行腐蚀工艺，避免因人工操作，腐蚀液造成安全隐患的目的。
一种芯片弹坑分析仪器

[发明专利]晶圆缺陷检测方法及电子设备-CN202310713521.0在审
发明人：王晓 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开提供一种晶圆缺陷检测方法及电子设备。该方法包括：确定基准晶圆和比对晶圆；检测该基准晶圆上的缺陷是否与该比对晶圆上的缺陷在第一坐标上重叠；检测该基准晶圆上的缺陷是否与该比对晶圆上的缺陷在第二坐标上重叠；将在第一坐标和第二坐标上均重叠的缺陷确定为重复缺陷，以确定存在同一重复缺陷的晶圆数量。该方法可以提高晶圆缺陷检测的效率。
缺陷检测方法电子设备

[发明专利]分析缺陷设计结构的扫描方法-CN202310615325.X在审
发明人：王敏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种分析缺陷设计结构的扫描方法，提供扫描机台以及待测器件，扫描机台导入有待测器件的设计文件信息，设计文件信息包括多种尺寸信息；根据设计文件信息中不同的图形设置对应的缺陷结构分析；利用扫描机台获取待测器件的扫描结果，判断扫描结构的缺陷是否与至少一种尺寸信息相关；若是，则利用扫描机台重新分析扫描结构，扫描结构的缺陷的数量百分比位于任一种尺寸信息对应的设计尺寸范围，则输出扫描结构并发出缺陷报警；若否，则结束扫描并输出扫描结果。本发明可以对扫描缺陷的结构进行快速的分析，增加缺陷分析的维度；根据缺陷的结构分析结果，可以帮助快速追溯缺陷的来源以及缺陷的产生机理，提高缺陷分析效率。
分析缺陷设计结构扫描方法

[发明专利]间距游走检查方法和包括检查方法的半导体装置制造方法-CN202211672593.7在审
发明人：南成旻;郑在昇;金东浩;梁承薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了间距游走检查方法和制造半导体装置的方法。间距游走检查方法包括：获得通过多重图案化技术(MPT)形成的线和间隔(L/S)图案的扫描电子显微镜(SEM)图像，其中L/S图案包括交替地布置的多条线和间隔；检测SEM图像中的L/S图案的主间距；基于MPT将主间距的曲线图划分为分量间距的曲线图；对每个分量间距的曲线图执行快速傅里叶变换(FFT)；将每个分量间距的曲线图的FFT的相位曲线图和强度曲线图彼此相乘，并且获得经补偿的FFT相位曲线图；以及通过获得经补偿的FFT相位曲线图的相位峰值之间的差来计算L/S图案的间距游走。
间距游走检查方法包括半导体装置制造

[发明专利]一种基于数字孪生的半导体加工车间气体排放检测方法和系统-CN202310483951.8在审
发明人：林国义 -专利权人：苏州紫轼云旸智能科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于数字孪生的半导体加工车间气体排放检测方法和系统，包括：在半导体加工车间中每个需要排放废气的工序排放的废气时对有毒物质进行吸附，并对吸附后的废气进行单独采集；对S1所采集到的气体分别进行流量监测以及成分检测，对设备进行检测，分析问题所在；将整体设备制成数字孪生系统，对设备的参数以及各项工序进行实时监控以及调整；工作人员根据S1‑S3步骤中所分析出的问题逐一作出调整，重复S1‑S2的步骤，直至调试至最适当的参数；以此迅速的发现问题解决问题，有效的提高了产品的良品率。
一种基于数字孪生半导体加工车间气体排放检测方法系统