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[发明专利]栅氧化层工艺中的厚度补偿方法-CN202110466998.4有效
发明人：刘俊;李灵均 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅氧化层工艺中的厚度补偿方法，根据每lot批次晶圆上栅氧化层生长前已具有的氧化层厚度与最终形成的掺杂栅氧化层电学厚度的相关性，按比例进行栅氧化层厚度的自动补偿。补偿系数是根据每lot批次栅氧化层生长前已具有的氧化层厚度与最终形成的掺杂栅氧化层电学厚度的相关性按比例获得栅氧化层生长厚度补偿系数K值，进行栅氧化层厚度的自动补偿。通过对栅氧化层生产过程中，在晶圆上本身已经具有不同厚度氧化层的基础上，根据现有的不同厚度的氧化层进行栅氧化层生长厚度自动补偿，使得同一lot批次的晶圆的栅氧化层一致性更高，提高器件的工艺窗口。
氧化工艺中的厚度补偿方法

[发明专利]监测外延层电阻率的方法-CN202310565269.3有效
发明人：付志强;苏小鹏;杨洪军;杨鹏 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种监测外延层电阻率的方法，包括步骤：S1：提供第一导电类型的衬底；S2：对衬底进行第二导电类型的离子注入，以于衬底表面形成反型层；S3：于反型层表面生长外延层；S4：采用四探针测量法量测外延层的电阻率。本发明经改善的流程设计，在确保监测准确性的同时有助于简化监测步骤，提高生产效率，降低生产成本。
监测外延电阻率方法

[实用新型]一种半导体晶圆片的瑕疵在线检测仪器-CN202320600971.4有效
发明人：江锦锐;杨洋;谢颖;龙文杰;郭梓潼;吴颖禄;赖仕铭;何晓昀;农旭安 -专利权人：广东理工学院
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶圆片的瑕疵在线检测仪器，包括设备入料口、主体外观框架、平面隔板、透明观察窗、控制板、检测装置、夹持装置和运输装置，其中，所述设备入料口固定安装在主体外观框架正表面的中间位置，所述透明观察窗安装于主体外观框架的上表面，所述主体外观框架中端被检测装置上端贯穿且与检测装置的上下两端连接，所述夹持装置连接于所述平面隔板的圆形材料安装区，所述主体外观框架内侧壁两侧对称设置有运输装置，所述平面隔板与运输装置之间滑动配合。本实用新型通过检测器与多个检测装置之间的联动配合实现对多个半导体晶圆片进行同时快速检测。本实用新型可广泛应用于晶圆片瑕疵检测技术领域。
一种半导体晶圆片瑕疵在线检测仪器

[发明专利]侦测晶圆平行度的方法、计算机设备及存储介质-CN202310620816.3在审
发明人：刘杰;张立;惠洋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种侦测晶圆平行度的方法，所述方法包括：提供第一控片晶圆及第二控片晶圆；将所述第一控片晶圆固定于第一载具上，并将所述第二控片晶圆固定于第二载具上，其中，所述第一载具位于所述第二载具的上方，并与所述第二载具相对设置，且二者之间的距离小于15μm；将所述第一控片晶圆与所述第二控片晶圆进行键合得到键合晶圆；判断所述键合晶圆是否存在键合缺陷，若存在，根据所述键合缺陷所在位置对所述第二载具在上下方向上进行位置补偿。通过本发明解决了以现有的方法对键合过程中上下晶圆平行度的侦测能力较差的问题。
侦测平行方法计算机设备存储介质

[发明专利]芯片、测试机台、芯片内部比较器的校准方法及相关设备-CN202310874988.3在审
发明人：文浩飞 -专利权人：深圳市思远半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明适用于芯片工艺技术领域，尤其涉及一种芯片、测试机台、芯片内部比较器的校准方法及相关设备。本发明提出了一种基于芯片内部电路实现的比较器校准方法以及对应的芯片及测试机台，本发明的校准方法中测试机台与芯片通信的内容少、通信时间短，并且，基于顺序遍历的逻辑实现的校准方案不仅能够减少芯片内部电路的开发负担，还能够提高校准准确度、缩短校准时间。
芯片测试机台内部比较校准方法相关设备

[发明专利]晶片的加工方法-CN202310116487.9在审
发明人：若原匡俊;小田中健太郎;蓝丽华 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，即使在从背面对晶片进行检查的情况下，也能够确定晶片内的不良部位的位置。该晶片的加工方法将正面上形成有图案和多条交叉的分割预定线的晶片沿着分割预定线进行加工，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：保持步骤，将晶片的正面保持于保持工作台；加工步骤，隔着保持工作台从正面侧或通过红外线相机从背面侧检测正面的分割预定线，通过加工单元从背面侧沿着分割预定线对晶片进行加工；以及检查步骤，在加工步骤之后，将晶片载置于检查台，从背面对加工品质进行检查。在检查步骤中，以晶片所具有的特征点(例如凹口等)为基准而存储不良部位。
晶片加工方法

[发明专利]基于噪声特性而对次关注区域进行聚类-CN202080077271.0有效
发明人：黄波士;李胡成;V·图马科夫;S·帕克;B·布拉尔;E·索尔塔默罕默德 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在半导体晶片的图像中确定关注区域。基于与所述关注区域相关联的设计文件中的多边形的形状将所述关注区域划分为次关注区域。接着，针对所述次关注区域执行直方图的噪声扫描。基于所述直方图的所述噪声扫描将所述次关注区域聚类成群组。
基于噪声特性关注区域进行

[发明专利]检查装置及检查方法-CN202080024982.1有效
发明人：中村共则;池村贤一郎;大高章弘 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2020-01-29 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：检查装置是对形成有多个发光元件的样品进行检查的检查装置，具备：激发光源，其产生照射至样品的激发光；分色镜，其将来自样品的荧光通过根据波长使其透过或反射而分离；相机，其对经分色镜反射的荧光进行摄像；相机，其对透过分色镜的荧光进行摄像；及控制装置，其基于由相机所取得的第1荧光图像、与由相机所取得的第2荧光图像导出发光元件的色斑信息；分色镜中的透过率及反射率根据波长的变化而变化的波段的宽度即边缘移变宽度，较发光元件的正常荧光光谱的半峰全宽更宽。
检查装置方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201680088302.6有效
发明人：土屋范晃;濑户口阳介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及的半导体装置的制造方法具备：制造工序，形成多个单位区域，该单位区域具有第2区域和多个第1区域，该多个第1区域成为流过主电流的有效单元，该第2区域与该第1区域外观不同，成为不流过主电流的无效单元；以及外观检查工序，具备对单位区域进行拍摄，得到拍摄图像的工序，基于包含该第2区域的对准图案的位置，从该拍摄图像将检查图像截取出的工序，以及将该检查图像与基准图像进行比较的工序。本发明涉及的半导体装置具备：多个单位区域，该多个单位区域具有无效单元和多个有效单元，该多个有效单元流过主电流，该无效单元与该有效单元外观不同，不流过主电流，该多个单位区域具有500μm～5000μm的宽度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种用于集成电路元件生产的检测装置-CN202310677121.9有效
发明人：吴银铭 -专利权人：深圳奥蒂赛设计有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于集成电路元件生产的检测装置，包括：第一输送带；第一伸缩件，所述第一伸缩件悬设在所述第一输送带的上方；定位机构，所述定位机构固设在所述第一伸缩件的轴端；两个矫正机构，所述矫正机构包括U形箱、矫正板和转轴，所述矫正板通过所述转轴转动安装在所述U形箱内；两个连接机构，所述连接机构包括L形齿板、第一齿轮和第二齿轮；检测机构，所述检测机构设置在所述U形箱内。该方案最终实现所述元件主体定位的同时完成引脚的矫正，矫正后通过检测机构完成所述引脚的质量检测，另一方面，避免了采用气泵吸附集成电路元件时，吸附不稳定或漏气易导致无法稳定完成压力检测的现象。
一种用于集成电路元件生产检测装置

[发明专利]晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定方法及设备-CN202310723802.4有效
发明人：蒋继乐;周惠言;寇明虎 -专利权人：北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工设备领域，具体涉及一种晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定方法及设备，该方法根据晶圆激光改制装置及改制深度测量设备，确定需计算的改制槽晶圆改制深度测量不确定度的分量，包括静态不确定度分量和动态不确定度分量；计算所述静态不确定度分量和所述动态不确定度分量；利用所述静态不确定度分量和动态不确定度分量确定合成标准不确定度。本发明通过对晶圆激光改制的结构进行分解，形成了较为完善的不确定度来源分析，由此综合全部的不确定度分量得到合成标准不确定度，通过对上述不确定度分量进行评估和分析，可以获取影响不确定度的主要分量，进而对其主要分量进行控制，从而可以用于对晶圆改制深度进行精确控制。
激光改制深度测量不确定确定方法设备

[实用新型]一种半导体封装结构的检测装置-CN202320556884.3有效
发明人：刘尚书;汪民;黄伟;施建华 -专利权人：磊菱半导体设备（江苏）有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体封装结构的检测装置，包括检测机本体，所述检测机本体表面固定连接有控制面板，所述检测机本体顶部固定连接有检测外壳，所述检测外壳背面通过合页转动连接有检测盖，所述检测盖顶部固定连接有检测把手，所述检测外壳内底部连接有检测组件。本实用新型，通过活动电动伸缩杆推动活动齿板进行移动，因活动齿板与连接齿轮啮合，方便带动连接转轴旋转，使得连接转轴带动连接支板和连接摄像头调节到合适的角度拍摄检测，使得可以随着温度的变化进行调节检测，减少检测时的误差，提高使用效果。
一种半导体封装结构检测装置

[发明专利]芯片、测试机台、芯片参数的校准系统、方法及相关设备-CN202310874861.1在审
发明人：文浩飞 -专利权人：深圳市思远半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明适用于芯片测试技术领域，尤其涉及一种芯片、测试机台、芯片参数的校准系统、方法及相关设备。本发明提出了一种能够消除模拟量传输误差、并缩短测试时间的芯片参数校准方法、及对应的芯片及测试机台，本发明基于芯片及测试机台在参数校准过程中使得芯片内调整后的模拟量能够直接反馈到参数上，减少了芯片外部的模拟量传输，并且，基于不同的寄存器，本发明还可以对多个参数进行同时校准，减少重复校准的时间，提高了参数校准的效率。
芯片测试机台参数校准系统方法相关设备

[发明专利]半导体测试结构及其失效定位分析方法-CN202310579899.6在审
发明人：丁德建;曹茂庆;高金德 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体测试结构及其失效定位分析方法，半导体测试结构包括第一梳状金属线及第二梳状金属线，第一梳状金属线包括多个平行排列的线状金属线，第二梳状金属线包括多个平行排列的岛状金属线，线状金属线与岛状金属线相互间隔且平行排列，岛状金属线包括多个沿平行于线状金属线排布的岛状部，相邻两个岛状部之间具有间距且相互独立，各个岛状部的底部还设置有PN结。通过取消传统梳齿互联结构中岛状金属线上方的金属连接线，使岛状金属线的各个岛状部相互独立，同时在各个岛状部的底部还设置PN结，能够便于对半导体测试结构进行电性测试时，准确定位到短路的岛状部，大大提高失效样品分析的成功率以及效率。
半导体测试结构及其失效定位分析方法

[发明专利]用于半导体处理腔室的参数调整模型-CN202310076026.3在审
发明人：埃里克·J·伯格曼;亚当·马克·麦克卢尔;保罗·R·麦克休;格雷戈里·J·威尔逊;约翰·L·洛克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种系统可包括：第一半导体处理站，所述第一半导体处理站被配置为在第一半导体晶片上沉积材料；第二半导体处理站，所述第二半导体处理站被配置为在所述材料已经沉积在所述第一半导体晶片上之后执行指示所述材料的厚度的测量；以及控制器。所述控制器可被配置为：从所述第二站接收所述测量；将基于所述测量的输入提供给经训练的模型，所述经训练的模型被配置为生成调整所述第一站的操作参数的输出，使得所述材料的所述厚度更接近目标厚度；并且使得所述第一站使用由所述输出调整的所述操作参数将所述材料沉积在第二晶片上。
用于半导体处理参数调整模型