专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种晶圆检查装置-CN202320848235.0有效
  • 杨顺峰;董务乐;赵晓明;董国庆;文国昇;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-04-17 - 2023-09-19 - H01L21/66
  • 本实用新型提供了一种晶圆检查装置,包括:检测组件、及设置在所述检测组件的下方且用于夹持晶圆的夹具,所述检测组件包括支撑架、安装于所述支撑架上的检测系统和线光源结构,所述线光源结构设置于所述检测系统的下方,所述检测系统包括摄像模块、及与所述摄像模块电性连接的控制模块,所述线光源结构包括安装框、安装于所述安装框上透光板、间隔排列设置于所述透光板上的多根导光带、以及设置在所述透光板一侧的光源,所述光源与所述控制模块电性连接,所述控制模块用于启动所述光源和所述摄像模块,所述光源用于照射光线至所述透光板上的所述导光带处,防止在分切前有破片的情况发生,从而提高良品率。
  • 一种检查装置
  • [发明专利]监控topcon电池背面poly工艺均匀性的方法-CN202310585151.7在审
  • 张双玉;李蕊怡;安萍;张楠楠 - 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
  • 2023-05-23 - 2023-09-15 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种监控topcon电池背面poly工艺均匀性的方法;包括:S1、提供测试装置;测试装置包括暗箱、高清相机、光源以及载物台;高清相机设置于暗箱顶部;光源和载物台活动设置于暗箱中;S2、将topcon电池样品置于载物台上并送入暗箱中,使topcon电池样品背面完全暴露于高清相机的拍摄范围内;S3、利用高清相机拍摄topcon电池样品背面经poly工艺后的图像;S4、通过获取图像的颜色均匀性判定topcon电池背面poly均匀性。本发明的方法简单、易于操作且使用设备易得、成本低;本发明方法在获取到样品背面poly层图像后,可以直接通过图像的颜色均匀性来判定样品背面poly的均匀性。
  • 监控topcon电池背面poly工艺均匀方法
  • [发明专利]静电卡盘介电层检测系统及检测方法-CN202310715639.7在审
  • 刘志双;曾广锋;高涛;陈玉成 - 东莞先导先进科技有限公司
  • 2023-06-15 - 2023-09-15 - H01L21/66
  • 提供一种静电卡盘介电层检测系统及检测方法。静电卡盘介电层检测系统包括金属探测片、第一导线、第二导线、传感器、输入单元以及MCU。金属探测片用于放置在介电层的表面上;第一导线用于将金属探测片和传感器电连接;第二导线用于将电极和传感器电连接,电极与电极层电连接;传感器用于测量在金属探测片放置在介电层的表面的位置处电极层和金属探测片之间的介电层的电容;输入单元用于与MCU通信连接,用于输入介电层的介电常数和金属探测片的面积;MCU与传感器通信连接以接收传感器测量的电容,且与输入单元通信连接以接收输入单元输入的介电层的介电常数和金属探测片的面积,MCU确定在金属探测片放置在介电层的表面的位置处的介电层的厚度。
  • 静电卡盘介电层检测系统方法
  • [发明专利]用于监控离子注入剂量的阻值监控方法-CN202311061756.2在审
  • 章开;张晓东 - 江苏卓胜微电子股份有限公司
  • 2023-08-23 - 2023-09-15 - H01L21/66
  • 本申请涉及一种用于监控离子注入剂量的阻值监控方法,包括:提供试验片,试验片为未进行加工的晶圆;在对试验片进行离子注入之前,对试验片进行去氧热退火;自进行去氧热退火后的试验片的正面进行一次离子注入,且对正面进行一次离子注入后的试验片进行第一激活热退火;监控经过第一激活热退火的试验片的正面的方块电阻;将经过第一激活热退火的试验片进行翻面;自进行翻面后的试验片的背面进行二次离子注入,且对背面进行二次离子注入后的试验片进行第二激活热退火;监控经过第二激活热退火的试验片的背面的方块电阻。在本申请中,去氧热退火将试验片内的间隙氧减少,间隙氧的消除可以有效减少其导致的试验片的正面与背面的阻值差异。
  • 用于监控离子注入剂量阻值方法
  • [发明专利]芯片外观检测方法、装置、设备及存储介质-CN202311062252.2在审
  • 夏俊杰 - 深圳超盈智能科技有限公司
  • 2023-08-23 - 2023-09-15 - H01L21/66
  • 本发明涉及一种芯片外观检测方法、装置、设备及存储介质,通过获取多模态采集数据;利用token串替换符转换多模态采集数据,生成第一token字符信息;通过若干个的第一token字符信息链接各个模态获取芯片外观的数据,以得到一条归一完整的第二token字符信息;采用多维图像虚拟算法进行芯片虚拟构成,得到数字态芯片;将数字态芯片与优品芯片母版进行图像误差值判断;若图像误差值小于劣品阈值,则判定芯片外观符合检测标准,提高了检测的准确性和全面性,而且通过构建数字态芯片并与优品母版的图像识别,使得芯片质量的评价更加直观、准确,大大提升了检测效率和质量控制的精确度。
  • 芯片外观检测方法装置设备存储介质
  • [发明专利]一种测试金属接触复合值的方法及网版图形-CN202110981214.1有效
  • 陈嘉;包杰;蒋建婷;季根华;杜哲仁;沈承焕;林建伟 - 泰州中来光电科技有限公司
  • 2021-08-25 - 2023-09-15 - H01L21/66
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种测试金属接触复合值的方法及网版图形,测试方法包括以下步骤:步骤一、制备待测硅片,在待测面形成不同金属占比的栅线图形;步骤二、测试待测硅片光致发光亮度图和中心圆区域光致发光亮度值;步骤三、测试中心圆区域的隐开路电压值,并计算得到校准常数;步骤四、通过校准常数计算得到不同金属占比区域对应的隐开路电压值;步骤五、通过不同金属占比区域对应的隐开路电压值计算不同金属占比区域的总暗态饱和电流密度值;步骤六、线性拟合金属占比与对应的总暗态饱和电流密度值,计算得到金属接触复合值。实现了待测硅片单面印刷且不需要去除金属栅线的情况下,精确测试金属接触复合值。
  • 一种测试金属接触复合方法版图
  • [发明专利]光学量测方法-CN201911163770.7有效
  • 萧玮仁;蔡钧亦;张巍耀 - 致茂电子(苏州)有限公司
  • 2019-11-25 - 2023-09-15 - H01L21/66
  • 本申请提供一种光学量测方法,用以量测对象的表面,所述光学量测方法包含以下步骤。首先,提供输入光线。于输入光线的光学路径上,提供空间光调制器,空间光调制器具有多个像素,所述多个像素用以选择性地调变输入光线为测试光线。并且,控制空间光调制器,使所述多个像素中的第一像素群组不调变输入光线,第一像素群组对应表面的定位标记的位置。并且,分别于第一时间与第二时间取得表面的第一表面影像与第二表面影像。并且,依据第一表面影像与第二表面影像中的定位标记,对准第一表面影像与第二表面影像。
  • 光学方法
  • [发明专利]一种异质结电池的测试方法-CN202310808685.1有效
  • 黄信涛;魏文文;周肃 - 合肥华晟光伏科技有限公司;安徽华晟新能源科技有限公司
  • 2023-07-04 - 2023-09-15 - H01L21/66
  • 本发明提供一种异质结电池的测试方法,包括:步骤S1:对待测试异质结电池进行第一正向扫描获得第一初始伏安特性曲线,对待测试异质结电池进行反向扫描获得第二初始伏安特性曲线;步骤S2:第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线之间的面积构成特征区域,对特征区域以垂直于电压轴的方向进行平均分区;步骤S3:根据区扫描时间对待测试异质结电池逐区进行第二正向扫描,以获得目标伏安特性曲线;获取区扫描时间的步骤包括:根据特征区域的每一分区所得到的区面积与特征区域的面积的比例作为区扫描时间占比,以区扫描时间占比与第二正向扫描的总扫描时间之积作为区扫描时间。异质结电池的测试方法能在消除迟滞效应的同时提高测试效率。
  • 一种异质结电池测试方法

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