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[发明专利]一种具有冷却液分配器的多通道散热器-CN202310825437.8在审
发明人：陈文炯;门志超 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有冷却液分配器的多通道散热器，属于高热流密度局部换热技术领域，解决了由于多通道散热器的各流道之间冷却液的分配不合理而影响散热性能的问题，其包括分配器A、分配器B、进出口管、多通道、基板。分配器A和分配器通过变密度拓扑优化方法得到，在恒定压降下以平均温度最小为优化目标。分配器A连接入口和多通道，实现冷却液的合理分配。分配器B连接多通道和出口，实现冷却液的收集。本发明通过分配器实现了多通道散热器冷却液的合理分配，增强了多通道散热器的性能，减少了多通道散热器的进出口数目，避免了进出口数目过多而带来的密闭性以及管道复杂性的问题。
一种具有冷却液分配器通道散热器

[发明专利]通孔的填充方法，以及半导体器件-CN202310829166.3在审
发明人：张景南;巫碧勤;陈明展;林盛裕 -专利权人：南京屹立芯创半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开一种通孔的填充方法，所述通孔包括半导体硅晶片上开设的通孔，其特征在于，所述方法包括：获取所述通孔的深宽比；基于所述深宽比，确定对所述通孔进行膜压操作的目标膜压参数；控制压膜设备基于所述目标模压参数对所述通孔执行所述膜压操作，以使所述通孔完全填覆且膜面平整。
填充方法以及半导体器件

[发明专利]一种键合装置及键合方法-CN202310837683.5在审
发明人：陶超;龙俊舟;王力 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种键合装置及键合方法。该键合装置包括：机台，包括可移动取物台；激光干涉仪组件包括：第一激光干涉仪单元，被配置为确定可移动取物台沿第一方向的位移信息；第二激光干涉仪单元，被配置为确定可移动取物台沿第二方向的位移信息；基于沿第一方向、第二方向的位移信息，激光干涉仪组件还被配置为确定可移动取物台的坐标信息。由此，可以实现可移动取物台的精确定位，从而提高键合精度。
一种装置方法

[发明专利]发光面板及其制备方法和发光器件-CN202310842101.2在审
发明人：朱绍武;张金刚;孙天鹏 -专利权人：深圳市洲明科技股份有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本申请提供一种发光面板及其制备方法和发光器件，发光面板包括基板、封装胶层和发光晶片；发光晶片设置于基板的一侧表面，发光晶片的侧面围设有光学胶层，光学胶层内分散有透明材料；封装胶层设置于基板具有发光晶片的一侧表面，封装胶层覆盖发光晶片。本申请在发光晶片的侧面围设光学胶层，并且在光学胶层内分散透明材料，使发光晶片侧面发光折射至正面方向，提高发光亮度并降低功耗损失，亮度提升18.5%以上，而且在透明材料的作用下，能够使光线在光学胶层内反复折射，提高光源一致性，提高观看舒适性。
发光面板及其制备方法器件

[发明专利]耐高温的GPP芯片的生产工艺-CN202310866902.2在审
发明人：高宝华;陈宝成 -专利权人：常州银河电器有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及二极管芯片制造技术领域，尤其是涉及一种耐高温GPP芯片的生产工艺，步骤包括一次光刻：腐蚀开槽：SIPOS：二次光刻：电泳钝化：LTO；三次光刻以及表面金属化，划片切割。本发明的工序结合了光阻法和电泳法的优势，相比现有技术的全部钝化然后再根据需要裁切，本发明的工艺中玻璃层是根据需要人为排序然后进行生长钝化的，一方面钝化过程中没有其他杂质，玻璃内部不会产气泡和黑渣点，另一方面玻璃粉融化固化后是致密的，硬特性和耐高温特性都大大提高，有效保证GPP芯片的可靠性。
耐高温 gpp 芯片生产工艺

[发明专利]一种高柔性光伏焊带-CN202310880039.6在审
发明人：王保开;王朱杰;蔡青 -专利权人：胜佰新能源材料（江苏）有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种高柔性光伏焊带，涉及光伏技术领域。本发明包括铝基焊带、铜基焊带，所述铜基焊带固定安装于所述铝基焊带的底部，所述铝基焊带的底部中心和所述铜基焊带的顶部中心处均开设有容纳槽，两个所述容纳槽内固定安装有柔性带，所述柔性带包括芯带、隔热带，所述芯带设置于所述隔热带的内部，所述铝基焊带的顶部设置有用于对焊接后的焊带进行防护，从而防止焊带开裂影响光伏组件连接和导电稳定性的防护组件。本发明通过设置柔性带保证焊带在具备高柔韧性的同时具有良好的抗拉强度，不会轻易形变和断裂，通过设置防护组件保护内部的焊带不受风吹日晒的影响，避免焊带因环境因素而发生断裂，影响光伏组件连接和导电的稳定性。
一种柔性光伏焊带

[发明专利]位错结构的形成方法-CN202310890175.3在审
发明人：张强强 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供一种位错结构的形成方法，所述方法包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底的表面形成辅助栅极层，并对其进行图案化刻蚀形成栅极图案；以所述栅极图案为掩膜，对所述半导体衬底进行预非晶化注入以于所述半导体衬底内形成非晶化区域；去除形成所述栅极图案的所述辅助栅极层；对所述半导体衬底实施退火工艺以于所述非晶化区域内形成位错结构。通过本发明解决了现有的位错结构在22nm及以下技术节点中难以形成的问题。
结构形成方法

[发明专利]增强型AlGaN/GaN基HEMT器件的制备方法-CN202310904009.4在审
发明人：开翠红;邹鹏辉;王文博 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种增强型AlGaN/GaN基HEMT器件的制备方法，在AlGaN/GaN异质结上形成InGaN层，以图形化的InGaN层作为掩膜形成P‑GaN层，通过高温退火使InGaN层分解而AlGaN势垒层不发生分解，以去除InGaN层显露AlGaN势垒层，使AlGaN势垒层厚度得到稳定控制，且表面不受离子轰击，无刻蚀损伤，从而该方法有利于提高制备的增强型HEMT GaN器件的可靠性。
增强 algan gan hemt 器件制备方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310906528.4在审
发明人：张雪;李美玲;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制备方法，LED芯片包括外延片以及设置在外延片上的P型电极和N型电极，外延片还包括绝缘阻挡层、以及沉积在P型电极和N型电极的表面上的钝化层、以及沉积在钝化层上的超疏水膜层；P型电极和N型电极与外延片之间均设有绝缘阻挡层；绝缘阻挡层在P型电极所在位置设有第一通孔，P型电极通过第一通孔与外延片电连接，绝缘阻挡层在N型电极所在位置设有第二通孔，N型电极通过第二通孔与外延片电连接。本发明主要通过在不改变封装打线面积的前提下拉大PN电极间距、以及表面膜层设计来减少水汽残留等手段，来解决水汽引发的短路及金属移异常的问题。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]增强型场效应晶体管及其制备方法-CN202310912208.X在审
发明人：钟耀宗;孙钱;曹蕴哲;陈昕;郭小路;高宏伟;周宇;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型场效应晶体管及其制备方法。增强型场效应晶体管包括外延结构、MIS/MOS栅极结构以及源极、漏极，所述外延结构包括至少一异质结，所述异质结内形成有载流子沟道，所述外延结构的栅极区域设置有栅极凹槽，所述栅极凹槽的槽底位于所述第一半导体层内，槽口位于所述第二半导体层，所述载流子沟道被所述栅极凹槽隔断；所述MIS/MOS栅极结构包括沿所述选定方向依次层叠设置的第三半导体层、栅介质层和栅极，当向所述栅极施加正向电压时，所述第三半导体层内反型产生电子，位于所述栅极凹槽两侧的所述载流子沟道经所述电子电连接。本发明具有更高的栅极正向击穿电压和阈值电压。
增强场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种半导体引线封胶设备-CN202310912577.9在审
发明人：罗颂瑾;姚力伟 -专利权人：开封禾业机电设备有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体引线封胶设备，包括壳体，壳体内设有封胶腔，封胶腔内设有封胶机构，壳体右端面固定连接有侧板，侧板左端设有螺纹电机，螺纹电机动力连接有螺纹轴，螺纹轴能够螺纹连接牵引机构，牵引机构下端连接有固定机构；通过封胶机构内设有的可拆卸的胶液容器，能够针对单个半导体引线进行封胶，放置的胶液较少，不容易造成浪费，并且由于是单个引线进行封胶，所以避免其余引线的影响；通过固定机构内设有的固定筒，能够通过固定筒内设有的固定腔将引线进行保护遮挡，避免引线和其上的胶液受到灰尘的影响。
一种半导体引线设备

[发明专利]显示装置-CN202310923174.4在审
发明人：张梅;谢俊烽 -专利权人：滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本申请提供一种显示装置，涉及显示技术领域，其中，该显示装置包括驱动基板和至少一个发光单元，每个发光单元具有对应的导电件，发光单元通过对应的导电件固定在驱动基板上与驱动基板电连接；导电件上形成有限位槽，导电件对应的发光单元位于限位槽中；限位槽的槽底具有凸起部，导电件对应的发光单元的电极固定在凸起部上。本申请提供的技术方案可以减少巨量转移造成的灯珠失效的问题，进而提高显示装置的良品率。
显示装置

[发明专利]具有硅顶栅薄膜晶体管和半导体氧化物顶栅薄膜晶体管的显示器-CN202310927832.7在审
发明人：小野晋也;林敬伟;庄景桑;张钧杰;尾本启介;林上智;常鼎国;石井孝英 -专利权人：苹果公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本文涉及具有硅顶栅薄膜晶体管和半导体氧化物顶栅薄膜晶体管的显示器。更具体而言，公开了一种电子设备，该电子设备可包括具有处于基板上的显示器像素阵列的显示器。该显示器像素可为有机发光二极管显示器像素，其包括使用半导体氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管和电容器结构形成的混合薄膜晶体管结构。该显示器像素中的驱动晶体管可为顶栅半导体氧化物薄膜晶体管，并且显示器像素中的开关晶体管可为顶栅硅薄膜晶体管。显示器中的存储电容器可以包括导电半导体氧化物电极。
具有硅顶栅薄膜晶体管半导体氧化物显示器

[发明专利]一种静电保护器件、装置和静电保护器件的制备方法-CN202310928677.0在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：拓尔微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种静电保护器件、装置和静电保护器件的制备方法，静电保护器件应用于静电保护电路，包括：P型衬底；在P型衬底上表面的内侧沿P型衬底上表面依次间隔设置的第一P型有源区、第一N型有源区、第二N型有源区和N阱区；在P型衬底上表面的外侧依次堆叠设置的栅极氧化层和栅极，且栅极氧化层的一端与第一N型有源区远离第一P型有源区的一端相邻连接，栅极氧化层的另一端与第二N型有源区远离N阱区的一端相邻连接；第一P型有源区、第一N型有源区以及栅极分别与接地端连接，第二N型有源区以及N阱区与芯片管脚连接。该静电保护器件能够提供更多的放电通路，从而降低维持电压，保证静电保护电路的可靠性。
一种静电保护器件装置制备方法

[发明专利]光电转换器件、感测装置及其制造方法-CN202310932483.8在审
发明人：刘德胜;吕晨晋;李佳鹏;莫良华 -专利权人：深圳阜时科技有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电转换器件、感测装置及其制造方法。该光电转换器件包括：衬底，具有P型掺杂区和N型掺杂区，所述P型掺杂区和所述N型掺杂区接触形成的PN结在外部电场或外部偏置电压作用下能够发生雪崩倍增效应；阻挡结构，用于阻挡所述光电转换器件中因雪崩倍增效应产生的光子从所述光电转换器件的半导体表面向外逃逸至周边的其他光电转换器件。本申请提供的光电转换器件能够减少对周边其他器件造成的光学串扰，提高感测装置的感测精度。
光电转换器件装置及其制造方法

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