专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于可复用Booth乘法单元的存内计算电路-CN202310945599.5在审
  • 贺雅娟;金正浩;武晗;潘本浩;张波 - 电子科技大学
  • 2023-07-28 - 2023-10-27 - G11C7/10
  • 本发明属于集成电路技术领域,具体的说是一种基于可复用Booth乘法单元的存内计算电路。本发明在传统6T‑SRAM存储单元基础上添加两个晶体管,控制局部计算数据线进行多行数据复用,并且增加Booth编码器对局部计算数据线中的数据编码,再利用Booth译码器和积产生电路完成8比特数据乘法,最后通过加法器树累加各个乘法结果实现了在SRAM存储阵列中完成多组数据的乘法累加运算。本发明了实现了高效的8比特SRAM存内计算,具有存储密度大,灵活性高的特点,能够在存内计算操作的同时进行读写操作,适用于需要大规模矩阵运算的数据密集型应用,如神经网络。
  • 一种基于可复用booth乘法单元计算电路
  • [发明专利]移位寄存器、显示驱动器及显示面板-CN202310957705.1在审
  • 郭潇潇 - 合肥维信诺科技有限公司
  • 2023-07-28 - 2023-10-27 - G11C19/28
  • 本发明公开了一种移位寄存器、显示驱动器及显示面板。移位寄存器包括:输出模块、第一节点调节模块和第二节点调节模块,输出模块配置为在第一节点的信号控制下,将第一电压信号提供给移位寄存器的输出端;或者在第二节点的信号控制下将第二电压信号提供给移位寄存器的输出端;第一节点调节模块配置为在触发信号及时钟信号的控制下将第一电压信号写入第一节点;第二节点调节模块配置为在触发信号的非触发时间内,将第二电压信号写入第二节点;并在触发信号的触发时间内,在时钟信号的控制下将时钟信号写入第二节点。本发明的移位寄存器结构简单,成本较低。
  • 移位寄存器显示驱动器面板
  • [发明专利]光盘输送控制方法、装置、光盘库及电子设备-CN202310958747.7在审
  • 赵伟东;赵卫明;林劲楠;苏镇涛;何坤 - 北京星震同源数字系统股份有限公司
  • 2023-08-01 - 2023-10-27 - G11B17/04
  • 本发明公开了一种光盘输送控制方法、装置、光盘库及电子设备,其属于光存储技术领域,光盘输送控制方法包括:S1、根据上一个光盘的输送状态,确定本次待输送的光盘的需要驱动力T;S2、按照需要驱动力T输送光盘;S3、判断光盘首次输送是否成功;如果是,则记录本次输送光盘的输送状态,并返回步骤S1以执行对下一个光盘的输送;如果否,则执行步骤S4;S4、进行对光盘的重新输送操作并判断重新输送操作是否成功;若对光盘的重新输送操作成功,则记录该次重新输送光盘的输送状态,并返回步骤S1以执行对下一个光盘的输送;若对光盘的重新输送操作失败,则判定本次输送任务失败。本发明能够保证光盘输送的稳定性,避免卡顿。
  • 光盘输送控制方法装置盘库电子设备
  • [发明专利]数据读取方法、装置、设备及可读存储介质-CN202310254874.9在审
  • 任子木 - 腾讯科技(深圳)有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-10-27 - G11C16/26
  • 本申请公开了一种数据读取方法、装置、设备及可读存储介质,属于计算机技术领域。方法包括:获取第一权重读请求和第一特征映射读请求;获取参考状态标识,参考状态标识表征参考延迟时间后脉动阵列中权重属性寄存器的状态;若参考状态标识满足第一条件,基于第一权重读请求将存储单元存储的权重属性数据读取至脉动阵列;若参考状态标识满足第二条件,基于第一特征映射读请求将存储单元存储的特征映射属性数据读取至脉动阵列,脉动阵列用于对权重属性数据和特征映射属性数据进行计算。相对于队列所需的寄存资源来说,参考状态标识所需的寄存资源更少。该方法可应用于芯片中,由于寄存资源越少芯片面积越小,因此能降低芯片面积。
  • 数据读取方法装置设备可读存储介质
  • [发明专利]校准电路、存储器及校准方法-CN202210379098.0在审
  • 李思曼 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-12 - 2023-10-27 - G11C29/50
  • 本公开提供一种校准电路、存储器及校准方法,校准电路包括:校准电阻模块,校准电阻模块的输出电压随第一参数变化,所述第一参数包括所述校准电路的制造工艺、供电电压和工作温度中的至少一项;参考电压生成模块,用于接收第一比较信号,生成对应的参考电压;比较模块,耦接校准电阻模块和参考电压生成模块,用于比较输出电压和参考电压,并生成第一比较信号。如此,第一比较信号能够反映出校准电阻模块中的第一电阻的阻值实时变化情况,进而反映出PVT的变化情况,以满足更精准的校准需求。
  • 校准电路存储器方法
  • [发明专利]JTAG接口控制方法、接口控制模块、芯片以及电子设备-CN202210407817.5在审
  • 张涛 - 象帝先计算技术(重庆)有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - G11C29/56
  • 本公开提供了一种JTAG接口控制方法,应用于芯片上的接口控制模块,芯片还包括OTP模块,OTP模块的存储区域被配置为包括:多个地址连续且用于存储口令的口令存储区、用于预先存储口令种子的存储区、以及用于存储指示信息的存储区;每个口令存储区用于存储一个口令,指示信息用于指示存储有最新已验证口令的口令存储区;方法包括:对OTP模块进行读取以获取指示信息和口令种子;确定所述指示信息所指示的口令存储区,从所确定的口令存储区读取口令;从所确定的口令存储区的下一口令存储区读取目标口令;基于所述口令以及所述口令种子,生成一次性口令;匹配所述目标口令以及所述一次性口令;根据匹配情况控制所述JTAG接口开启或关闭。
  • jtag接口控制方法模块芯片以及电子设备
  • [发明专利]驱动电路及传输系统-CN202310687069.5在审
  • 徐迪恺 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-06-09 - 2023-10-27 - G11C11/4063
  • 本发明涉及一种驱动电路及传输系统。驱动电路包括:第一上拉驱动模块,包含多个第一上拉驱动器,用于根据上拉指示信号和驱动选择信号开启至少一个第一上拉驱动器,第一上拉驱动器用于生成具有预设电压的输出信号;上拉控制模块,用于根据上拉指示信号生成上拉控制信号;第二上拉驱动模块,与上拉控制模块连接,用于根据上拉控制信号开启或者关闭,并在开启时拉升输出信号的电压;升压模块,与上拉控制模块连接并与第二上拉驱动模块并联,用于根据上拉控制信号开启或者关闭,并在开启时拉升输出信号的电压;第二上拉驱动模块与升压模块的合并结构与第一上拉驱动器相同并受上拉控制信号控制。驱动电路不会影响到芯片性能。
  • 驱动电路传输系统
  • [发明专利]包括多位单元的存储器件及其操作方法-CN202310309016.X在审
  • 金斗辉;宋政学;李灿昊 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-27 - 2023-10-27 - G11C11/419
  • 提供了一种包括多位单元的存储器件及其操作方法。所述存储器件包括多个多位单元,其中,所述多个多位单元中的每一个多位单元包括多个位单元和输入电路,所述多个位单元共同地连接到列选择线,分别连接到多条写入字线,并且分别连接到多条读取字线,所述输入电路被配置为:向所述多个位单元提供与将要写入的位相对应的第一信号,其中,所述多个位单元中的每一个位单元包括锁存电路和读取电路,所述锁存电路被配置为:响应于写入字线被激活而接收所述第一信号,并且响应于所述写入字线被去激活或列选择线被去激活而锁存所述第一信号,所述读取电路被配置为:响应于读取字线被激活而将存储在所述锁存电路中的所述第一信号输出到位线。
  • 包括单元存储器件及其操作方法
  • [发明专利]一种一次性可编程存储器和电子设备-CN202210415932.7在审
  • 何世坤;张楠;黄张英 - 浙江驰拓科技有限公司
  • 2022-04-20 - 2023-10-27 - G11C11/16
  • 本申请公开了一次性可编程存储器和电子设备,属于磁旋存储领域,包括比较器、参考电阻、至少一个存储单元,存储单元包括磁性随机存储器和晶体管;磁性随机存储器中磁隧道结的第一端与晶体管的第一端连接,磁隧道结的第二端与位线连接;晶体管的第二端分别与源极线、比较器的第一端连接,比较器的第一端与源极线连接;磁隧道结的读电压由源极线处施加,读电压大于磁隧道结由平行态翻转到反平行态的电压。磁隧道结的读电压由源极线处施加,且大于由平行态翻转到反平行态的电压,所以读取的电阻为击穿态电阻或反平行态电阻,参考电阻的窗口即为反平行态电阻和击穿态电阻间的距离,窗口增大,且无需对磁隧道结的生产工艺做任何调整,非常简单。
  • 一种一次性可编程存储器电子设备
  • [发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202210781234.9在审
  • 庄绍勋 - 环宇积体电路股份有限公司
  • 2022-07-04 - 2023-10-27 - G11C11/40
  • 本发明内容包含一种存储器装置。此存储器装置通过晶体管崩溃机制产生的熔丝特性存储数据位元。存储器装置包含多个存储晶体管及第一选择晶体管。多个存储晶体管分别用以存储多个数据位元。第一选择晶体管用以改变多个存储晶体管每一者的栅极的电阻值,以将多个数据位元分别写入多个存储晶体管,第一选择晶体管的第一端耦接多个存储晶体管的每一者。如此一来,操作所需的元件数量减少。此外,一种操作存储器装置的方法也在此揭露。
  • 存储器装置及其操作方法

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