专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种基于空间相位调制器和液晶器件的曝光装置-CN202222866699.2有效
  • 王骁乾;罗锻斌;郑致刚;沈冬 - 华东理工大学
  • 2022-10-30 - 2023-09-19 - G03F7/20
  • 本实用新型涉及一种基于空间相位调制器和液晶器件的曝光装置,包括光源控制模块、光强和偏振控制模块、调焦伺服模块、样品安置模块、电压控制模块和监视模块,光源控制模块包括第一可切换反射镜以及光源切换组件,光强和偏振控制模块包括:光强调制组件,用于接收光源控制模块输出的光束,并调制光束中每个像素点光强;偏振调制组件,用于调制由光强调制组件出射的光束中每个像素点偏振态;第一可切换反射镜用于切换进入或退出光强调制组件和偏振调制组件间的光路;调焦伺服模块和样品安置模块切换正对偏振调制组件或第一可切换反射镜。与现有技术相比,本实用新型赋予了曝光装置更多的自由度,曝光过程简单高效,满足实验教学及科研工程的需求。
  • 一种基于空间相位调制器液晶器件曝光装置
  • [发明专利]快速均匀性漂移校正-CN202280012410.0在审
  • R·B·维纳;K·K·曼卡拉;托德·R·丹尼 - ASML控股股份有限公司
  • 2022-01-16 - 2023-09-15 - G03F7/20
  • 提供用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的系统、设备和方法。示例方法可包括由辐射源利用辐射来照射指状物组件的一部分。所述示例方法还可以包括由辐射检测器响应于对所述指状物组件的所述部分的所述照射来接收所述辐射的至少一部分。所述示例方法还可以包括由处理器基于所接收的辐射来确定所述指状物组件的形状的改变。所述示例方法还可以包括由所述处理器产生控制信号,所述控制信号被配置成基于所述指状物组件的所述形状的所确定的改变来修改所述指状物组件的位置。随后,所述示例方法可以包括由所述处理器将所述控制信号传输至被联接至所述指状物组件的运动控制系统。
  • 快速均匀漂移校正
  • [发明专利]套刻误差的量测方法、其装置及光刻系统-CN202311051509.4在审
  • 杨学人 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-08-21 - 2023-09-15 - G03F7/20
  • 本发明提供了一种套刻误差的量测方法、其装置及光刻系统。该量测方法包括:获取半导体器件中第一材料层的第一图像和第二材料层的第二图像,其中,第一材料层和第二材料层中分别具有对位标记,第一图像中具有预设图形以及与第一材料层中对位标记对应的第一图形,第二图像中具有与第二材料层中对位标记对应的第二图形;确定第一图形在第一图像中的第一目标位置;根据第一目标位置与第一图像中的第一预设位置,得到第一距离,其中,第一预设位置处具有预设图形;确定第二图形在第二图像中的第二目标位置;根据第二目标位置与第一目标位置,得到第二距离;根据第一距离和第二距离,确定第二目标位置与第一预设位置之间的目标距离。
  • 误差方法装置光刻系统
  • [发明专利]一种图像处理方法及设备-CN202311050086.4在审
  • 陈乃奇;陈钢 - 深圳市先地图像科技有限公司
  • 2023-08-21 - 2023-09-15 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种图像处理方法及设备,运用于激光直写技术领域,图像处理方法包括:将M幅灰度图像全部处理成M幅二值图像,其中,M幅灰度图像由F颗激光器分别曝光同样大小区域的感光涂层得到,每颗激光器曝光同样大小区域的感光涂层后共得到R幅灰度图像,M=R*F;对每一幅初始二值图像中可能存在的噪点进行处理后,得到第一二值图像;求出F颗激光器对应的F个像素密度均值。将根据本图像处理方法及设备处理得到的F颗激光器重新根据像素密度均值排序并依次安装在激光直写设备上,以使得这F颗激光器曝光感光涂层后得到的图像的色差在整体上更加均匀。
  • 一种图像处理方法设备
  • [发明专利]一种图像处理方法及装置-CN202311050100.0在审
  • 陈乃奇;陈钢 - 深圳市先地图像科技有限公司
  • 2023-08-21 - 2023-09-15 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种图像处理方法及装置,运用于激光直写技术领域,方法包括:将M幅灰度图像全部处理成M幅二值图像,其中,所述M幅灰度图像由F颗激光器、每颗激光器分别曝光R块同样形状和大小的感光涂层后得到,M=R*F;求出任意第S颗激光器对应的R幅二值图像的像素密度均值,得到F个像素密度均值,以使得按像素密度均值从大到小或者从小到大排序F颗激光器后曝光感光涂层得到的图像的色差更加均匀。利用本图像处理方法及装置对F颗激光器根据像素密度均值按从大到小或者从小到大顺序排序并依次安装在激光直写设备上,曝光得到的图像的色差分布更加均匀。
  • 一种图像处理方法装置
  • [发明专利]光刻方法及衬底结构-CN202310630861.7在审
  • 王虎;安海岩;段会强;胡维;高文丽 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-09-15 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种光刻方法及衬底结构,光刻方法包括:提供半导体基底;在半导体基底上形成抗反射层;在抗反射层上形成光刻胶图案层,光刻胶图案层具有多个第一开口;对抗反射层进行刻蚀,以在抗反射层上形成与第一开口一一对应连通的多个第二开口;其中,抗反射层与光刻胶图案层的刻蚀选择比大于预设值,预设值大于1;对半导体基底未被光刻胶图案层遮挡的部分进行刻蚀,以在半导体基底的上表层内形成光栅结构;其中,光栅结构具有与第二开口一一对应连通的多个透光狭缝。利用该光刻方法可有效提高光栅结构的占空比。
  • 光刻方法衬底结构
  • [发明专利]曝光装置-CN202310632211.6在审
  • 王栋;齐鹏煜;万冀豫;段皓;肖宇;冯贺 - 北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-09-15 - G03F7/20
  • 本公开提供了一种曝光装置,包括:透光基板;环形框,设于透光基板的一侧,环形框围成的空间与透光基板形成一容置腔;在容置腔处于负压状态时,一掩模板可吸附于环形框背向透光基板的一侧;收纳机构和牵引机构,设于容置腔内;在与透光基板平行的方向上,牵引机构能够远离或靠近收纳机构;柔性遮光膜,柔性遮光膜的一侧与收纳机构连接,柔性遮光膜相反的一侧与牵引机构连接;其中,在牵引机构靠近收纳机构时,收纳机构能够折叠或卷绕柔性遮光膜,在牵引机构远离收纳机构时,柔性遮光膜的至少部分能够展开。本公开能够在曝光过程中进行遮光。
  • 曝光装置
  • [发明专利]微纳米尺寸的灰度显示器件及其加工方法-CN202310730714.7在审
  • 潘如豪;李俊杰;耿广州;李晨圣 - 中国科学院物理研究所
  • 2023-06-20 - 2023-09-15 - G03F7/20
  • 本发明提供了一种微纳米尺寸的灰度显示器件及其制作方法,灰度显示器件包括衬底和布置在衬底上的高度梯度纳米结构,高度梯度纳米结构包括显示单元,其包括多个衬底上的纳米柱;其中显示单元能够接收外部入射信号并以一定占空比反射以使显示单元呈现相应的灰度显示,其中占空比至少部分地根据显示单元的高度确定;所述方法包括将制备件通过电子束曝光方法按照预定深度梯度曝光光刻胶涂层;将其显影以形成光刻胶纳米孔;由介质材料层填充光刻胶纳米孔;剥离形成光刻胶模板‑介质材料薄膜;转移到所述目标衬底并形成灰度显示器件。本发明的灰度显示器件具有像素尺寸小、灰度显示阶次多、超高分辨率的优点。
  • 纳米尺寸灰度显示器件及其加工方法
  • [发明专利]一种引线框架竖直式双面曝光机-CN202310772545.3在审
  • 高小平 - 安徽立德半导体材料有限公司
  • 2023-06-28 - 2023-09-15 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种引线框架竖直式双面曝光机,涉及引线框架曝光技术领域,包括支撑架,所述支撑架上布设有曝光箱体,曝光箱体中布设有曝光机本体;曝光箱体一侧开设有进料口,另一侧开设有出料口,进料口一侧呈竖向布设有输入辊,出料口一侧呈竖向布设有收卷辊,输入辊与收卷辊可转动布设于支撑架上;收卷辊与驱动电机输出端固定连接;所述输入辊两侧相对固定布设有调节轮,调节轮上绕设有第一片基带,第一片基带一端固定,另一端与涨紧机构连接,采用竖直的方式对铜带进行输送,使得铜带在输送的过程中,不会因为铜带自身重力的影响导致其不处于完全水平的状态,垂直输送的方式也可以有效避免外界灰尘附着于铜带表面而影响曝光精度。
  • 一种引线框架竖直双面曝光
  • [发明专利]一种采用定位标记的引线框架双面曝光方法-CN202310816358.0在审
  • 高小平 - 安徽立德半导体材料有限公司
  • 2023-07-05 - 2023-09-15 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种采用定位标记的引线框架双面曝光方法,包括以下步骤:步骤一、选取铜带基板,并对铜带基板进行压膜前清洗;步骤二、对清洗后的铜带基板收卷到放卷辊上,随后通过贴膜机对铜带基板的上表面贴膜;步骤三、通过曝光机对铜带基板上表面选择性曝光,显影后形成电镀区域;步骤四、对曝光后的铜带基板上表面进行电镀,在所述电镀区域镀银且在铜带基板上表面边缘位置电镀出多个定位标记;步骤五、将曝光后的铜带基板翻面,随后对铜带基板的下表面进行贴膜;本发明区别于传统引线框架采用定位孔和定位柱的定位方式在双面曝光时存在偏差,通过定位标记可以对引线框架的加工进行准确定位,从而确保对引线框架加工的精度。
  • 一种采用定位标记引线框架双面曝光方法

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