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- [发明专利]量测方法和设备-CN202180091907.1在审
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T·希尤维斯;J·S·威尔登伯格;张磊;R·范埃特森
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ASML荷兰有限公司
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2021-12-23
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2023-09-29
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G03F7/20
- 公开了一种确定性能参数或从所述性能参数导出的参数的方法，所述性能参数与用于在经受光刻过程的衬底上形成一个或更多个结构的所述光刻过程的性能相关联。所述方法包括：获得包括所述性能参数的多个概率描述的概率描述分布，每个概率描述对应于所述衬底上的不同位置；和将每个概率描述分解成多个分量概率描述以获得多个分量概率描述分布。针对所述多个分量概率描述中的每个来确定分量跨越衬底区域模型，分量跨越衬底区域模型在整个衬底区域上对所述分量跨越衬底区域模型的对应的分量概率描述进行建模；并且基于所述分量跨越衬底区域模型来确定所述性能参数或从所述性能参数导出的参数的值。
- 方法设备
- [发明专利]曝光装置、曝光方法以及物品的制造方法-CN201911254686.6有效
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八講学
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佳能株式会社
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2019-12-10
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2023-09-29
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G03F7/20
- 本发明公开曝光装置、曝光方法以及物品的制造方法。提供有利于提高向基板转印图案的转印性能的曝光装置。提供曝光装置，使用包含第1波长域和第2波长域的多个波长域的光对基板进行曝光，其特征在于，具有：照明光学系统，用光对掩模进行照明；以及投影光学系统，将掩模的图案的像投影到基板，照明光学系统将包括包含至少第1波长域的光且第1波长域的光和第2波长域的光的强度比为第1强度比的第1强度分布和包含至少第2波长域的光且第1波长域的光和第2波长域的光的强度比为与第1强度比不同的第2强度比的第2强度分布的强度分布，以使该强度分布成为4次旋转对称的方式形成于照明光学系统的瞳面。
- 曝光装置方法以及物品制造
- [发明专利]套刻误差量测方法、校准方法及半导体测试结构-CN202310463821.8有效
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赵晶晶
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长鑫存储技术有限公司
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2023-04-26
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2023-09-29
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G03F7/20
- 本公开涉及一种套刻误差量测方法、校准方法及半导体测试结构，量测方法用于量测半导体结构的套刻误差，半导体结构包括形成于衬底上的参考层和当前层，量测方法包括：在衬底上形成位于半导体结构的边缘区域的辅助层，辅助层包括沿垂直于衬底的方向延伸的第一辅助面，半导体结构沿第一方向的投影位于第一辅助面内；获取参考层沿第二方向分布的两个端点对应的第一参考点；获取当前层沿第二方向分布的两个端点对应的第一目标点；将第一目标点与第一参考点在第二方向上的距离作为第一目标距离；将当前层与参考层在设计版图中在第二方向上的对位差作为第一参考距离，根据第一目标距离和第一参考距离确定基于参考层时当前层在第二方向上的套刻误差。
- 误差方法校准半导体测试结构
- [发明专利]一种光纤阵列光刻机-CN202210151934.X有效
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李西军
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西湖大学
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2022-02-18
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2023-09-29
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G03F7/20
- 本公开实施例提出一种光纤阵列光刻机，其包括控制装置、光纤传输装置、光聚焦阵列以及电驱动工件台，还包括光刻光源、退激发光源、第一级分光阵列、电光调制阵列以及第二级分光阵列，所述控制装置与所述电光调制阵列以及所述电驱动工件台连接，所述控制装置用于基于设计版图控制所述电光调制阵列对于所述激光光源发射的激光进行调制以及控制所述电驱动工作台进行运动。本公开实施例避免采用复数个光学透镜或透镜组，从而实现更为简单的光路，制造和维护成本都大大降低；采用多根光纤构成光纤束，实行多光束并行曝光，能够提高光刻效率；采用电光调制阵列实现对光刻的激光光能的开关并结合电驱动工作台的移动，实现光刻的高速图案化功能，采用退激发光和光刻光结合实现光学衍射极限的超分辨光刻。
- 一种光纤阵列光刻
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