专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的多值全光开关-CN202111224829.6在审
  • 鲁屹华 - 湖北科技学院
  • 2021-10-21 - 2022-01-14 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的多值全光开关,属于全光通讯技术领域。包括若干均匀电介质薄片一、若干均匀电介质薄片二和四个石墨烯单层,均匀电介质薄片一、均匀电介质薄片二和石墨烯单层分别用H、L和G表示,复合结构表示为:HLH1GH2HH2GH1LHLLHLH1GH2HH2GH1LH,其中,H1GH2和H1GH2分别表示石墨烯单层嵌入到均匀电介质薄片一中形成的三层结构;均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二的厚度均为各自光学波长的四分之一。本发明具有能够降低多值全光开关的触发阈值等优点。
  • 基于pd光子晶体石墨复合结构多值全光开关
  • [发明专利]基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的全光开关-CN202111224830.9在审
  • 章普 - 湖北科技学院
  • 2021-10-21 - 2022-01-14 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的全光开关,属于全光通讯技术领域。包括若干均匀电介质薄片一、若干均匀电介质薄片二和两个石墨烯单层,均匀电介质薄片一、均匀电介质薄片二和石墨烯单层分别用H、L和G表示,复合结构表示为:HL1GL2HHHHL2GL1H,其中,L1GL2和L2GL1均为石墨烯单层嵌入均匀电介质薄片二内形成的层状结构;石墨烯正好位于局域电场最强的位置;均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二的厚度均为各自光学波长的四分之一。本发明具有基于光学双稳态的全光开关阈值低等优点。
  • 基于pd光子晶体石墨复合结构开关
  • [发明专利]基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的全光数字编码器-CN202111224959.X在审
  • 章普 - 湖北科技学院
  • 2021-10-21 - 2022-01-14 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的全光数字编码器,属于全光通讯技术领域。包括若干均匀电介质薄片一、若干均匀电介质薄片二和两个石墨烯单层,均匀电介质薄片一、均匀电介质薄片二和石墨烯单层分别用H、L和G表示,复合结构表示为:HLH1GH2HHH2GH1LH,其中,H1GH2和H2GH1均为石墨烯单层嵌入均匀电介质薄片一内形成的层状结构;均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二的厚度均为各自光学波长的四分之一;两个石墨烯单层正好分别位于局域电场最强的两个位置。本发明具有编码阈值低等优点。
  • 基于pd光子晶体石墨复合结构数字编码器
  • [发明专利]基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的光逻辑器-CN202111224958.5在审
  • 鲁屹华 - 湖北科技学院
  • 2021-10-21 - 2022-01-11 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的光逻辑器,属于全光通讯技术领域。包括两个N=3对称分布的PD光子晶体和一个石墨烯单层;所述复合结构可以表示成:HLHHHLHLGLHLHHHLH,其中G表示石墨烯单层;H和L分别表示折射率高、低不同的均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二,两个PD光子晶体的对称中心处嵌入有一石墨烯单层;均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二的厚度分别为各自光学波长的四分之一。本发明具有光学双稳态的阈值低等优点。
  • 基于pd光子晶体石墨复合结构逻辑
  • [实用新型]一种非周期光子晶体与石墨烯的复合结构-CN202121016007.4有效
  • 倪浩 - 湖北科技学院
  • 2021-05-13 - 2022-01-04 - G02F3/02
  • 本实用新型提供了一种非周期光子晶体与石墨烯的复合结构,属于全光通信系统技术领域。包括一个石墨烯层和两个对称分布在石墨烯层两侧的复合组件,复合组件包括多个第一电介质层和第二电介质层,复合组件由外至内的排布规律为:第一电介质层、第二电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层。本实用新型能够实现在多个波长附近的低阈值光学双稳态。
  • 一种周期光子晶体石墨复合结构
  • [发明专利]一种具有光学双稳态效应的全光开关-CN202111079935.X在审
  • 段善荣 - 湖北科技学院
  • 2021-09-15 - 2021-12-21 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种具有光学双稳态效应的全光开关,属于光学技术领域。包括两个石墨烯单层和一个序列序号N=2的康托尔光子晶体,所述康托尔光子晶体结构为:ABABBBABA,字母A、B分别表示两种折射率不同的均匀电介质薄片;所述康托尔光子晶体存在2个彼此独立的光学分形态,分形态对应的电场具有局域作用;其中一个分形态存在两个局域电场最强的位置,两个石墨烯单层正好被嵌入这两个局域电场最强的位置;此复合结构整体上可表示成:ABAB1GB2BB2GB1ABA,其中G表示石墨烯单层;石墨烯的三阶非线性效应得到极大地增强,进而实现低阈值光学双稳态;电介质薄片A和电介质薄片B的厚度均为各种光学波长的1/4。本发明具有光学双稳态的阈值更低等优点。
  • 一种具有光学双稳态效应开关
  • [发明专利]一种基于Period-Doubling光子晶体的全光开关-CN202111153546.7在审
  • 方明 - 湖北科技学院
  • 2021-09-29 - 2021-12-03 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于Period‑Doubling光子晶体的全光开关,属于全光通讯技术领域。包括若干第一电介质层、若干第二电介质层和两个石墨烯单层,第一电介质层记为H,第二电介质层记为L,石墨烯单层记为G,全光开关的层状结构表示为:HL1GL2HH1GH1HL2GL1HL,其中L1GL2和L2GL1均表示石墨烯单层嵌入第二电介质层内形成的三层结构,H1GH1表示石墨烯单层嵌入第一电介质层中部形成的三层结构,第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自光学波长的1/4,第一电介质层和第二电介质层分别为折射率高、低不同的两种均匀电介质薄片。本发明能够应用于全光开关。
  • 一种基于perioddoubling光子晶体开关
  • [发明专利]一种基于鲁丁-夏皮诺光子晶体的光存储器-CN202111153563.0在审
  • 方明 - 湖北科技学院
  • 2021-09-29 - 2021-12-03 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于鲁丁‑夏皮诺光子晶体的光存储器,属于全光通讯技术领域。包括若干第一电介质层、若干第二电介质层和两个石墨烯单层,第一电介质层记为H,第二电介质层记为L,石墨烯单层记为G,光存储器的层状结构表示为:HHHLHHL1GL2HHL2GL1HHLHHH,其中L1GL2和L2GL1均表示石墨烯单层嵌入第二电介质层内形成的三层结构,第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自光学波长的1/4,第一电介质层和第二电介质层分别为折射率高、低不同的两种均匀电介质薄片;所述基于鲁丁‑夏皮诺的光子晶体的光存储器可实现低阈值光学双稳态,双稳态的上、下阈值分别对应着光存储器的写入和读取判决阈值。本发明具有能够运用于光存储器等优点。
  • 一种基于夏皮诺光子晶体存储器
  • [发明专利]一种基于多重光学双稳态的全光数字编码器-CN202111105906.6在审
  • 李永逵 - 湖北科技学院
  • 2021-09-22 - 2021-11-23 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于多重光学双稳态的全光数字编码器,属于全光通讯技术领域。本全光数字编码器包括若干第一电介质层A、若干第二电介质层B和两个石墨烯单层G,全光数字编码器表示为:ABABB1GB2BABABBBBBBBBBABABB2GB1BABA,其中B1GB2和B2GB1表示石墨烯单层嵌入第二电介质层内形成的三明治结构;第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质薄片,全光数字编码器存在两个双峰共振的光学分形态,光学分形态对应的电场具有局域作用,两个石墨烯单层分别嵌于双峰共振分形态的局域电场最强位置,使石墨烯单层的三阶非线性效应得到增强,进而实现低阈值多重光学双稳态;多重双稳态的上、下阈值对应着数字编码器的各态的编码触发阈值。本发明具有触发阈值低等优点。
  • 一种基于多重光学双稳态数字编码器
  • [发明专利]一种基于石墨烯的触发阈值可调光逻辑器-CN202111105918.9在审
  • 李永逵 - 湖北科技学院
  • 2021-09-22 - 2021-11-23 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于石墨烯的触发阈值可调光逻辑器,属于全光通讯技术领域。本光逻辑器包括若干第一电介质层A、若干第二电介质层B和四个石墨烯单层G,表示为ABABBBABABB1GB2BB3GB4BB4GB3BB2GB1BABABBBABA,其中B1GB2、B2GB1、B3GB4和B4GB3均表示石墨烯单层嵌入第二电介质层内形成的三明治结构;所述第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质薄片,所述光逻辑器存在四个光学分形态,光学分形态对应的电场具有局域作用,四个石墨烯单层分别嵌于其中一个分形态对应的局域电场最强位置,使石墨烯单层的三阶非线性效应得到增强,进而实现低阈值光学双稳态;所述第一电介质层和第二电介质层的厚度均为各自光学波长的1/4。本发明具有光学双稳态阈值低等优点。
  • 一种基于石墨触发阈值调光逻辑
  • [发明专利]一种基于鲁丁-夏皮诺光子晶体的光逻辑器-CN202111153627.7在审
  • 方明 - 湖北科技学院
  • 2021-09-29 - 2021-11-23 - G02F3/02
  • 本发明提供了一种基于鲁丁‑夏皮诺光子晶体的光逻辑器,属于全光通讯技术领域。包括两个对称分布的二元RS光子晶体和两个石墨烯单层,二元RS光子晶体包括若干第一电介质层和若干第二电介质层,第一电介质层记为H,第二电介质层记为L,石墨烯单层记为G,二元RS光子晶体表示为HHHLHHLH,光逻辑器表示为HHHLHHLH1GH2H2GH1LHHLHHH,其中H1GH2和H2GH1均表示石墨烯单层嵌入第一电介质层内形成的三层结构,第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自光学波长的1/4,第一电介质层和第二电介质层分别为折射率高、低不同的两种均匀电介质薄片。本发明具有判决阈值低等优点。
  • 一种基于夏皮诺光子晶体逻辑

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