专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种汞基硝酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用-CN202310948893.1在审
  • 张弛;齐鲁;吴超 - 同济大学
  • 2023-07-31 - 2023-10-27 - C30B29/22
  • 本发明涉及一种汞基硝酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用,该晶体材料的化学式为A2Hg(NO3)4,其中,A=K或Rb,分子量分别为526.83和619.57,属于四方晶系,其空间群为I‑42m(No.121),晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#α=β=γ=90°,Z=2。本发明所述的非线性光学晶体K2Hg(NO3)4和Rb2Hg(NO3)4在1064nm激光照射下的粉末倍频效应分别约为KH2PO4(KDP)晶体的9.2和8.8倍,且均能实现相位匹配。此外,该晶体材料具有较宽的透光波段,物化性能稳定,机械硬度适中,易于生长等优点,在激光频率转换、光信息存储、电光调制等光电转化领域具有重要的应用价值。
  • 一种硝酸盐非线性光学晶体材料及其制备应用
  • [发明专利]一种用于碳化硅晶锭的分离方法-CN202310839189.2在审
  • 于大全;姜峰 - 厦门云天半导体科技有限公司
  • 2023-07-10 - 2023-10-27 - C30B33/10
  • 本发明提供了一种碳化硅晶锭分离的方法,夹持碳化硅晶锭以使得碳化硅晶锭的长度方向水平延伸;在碳化硅晶锭的圆柱表面上形成多个环绕圆柱表面的刻蚀阻挡图案,多个刻蚀阻挡图案之间分别具有间隔;用刻蚀气体同步进行刻蚀以使得形成多个单独的晶圆片。本发明通过在碳化硅晶锭表面形成刻蚀阻抗图案,对碳化硅晶锭进行干法刻蚀。在刻蚀过程中通过上下刻蚀气体同时进行双面,旋转晶锭使其刻蚀更加均匀,根据刻蚀深度不同,不断改变刻蚀的速率和旋转的速度,以达到碳化硅晶锭的利用率大幅提升,同时刻蚀后的表面均匀性更好,可以省去减薄步骤,同时降低CMP的工艺时间,成本更低。因为干法刻蚀的微损伤更少,所以产品的良率更佳。
  • 一种用于碳化硅分离方法
  • [发明专利]一种氮氧化硅-石英复合材料坩埚及其制备方法-CN202310886582.7在审
  • 周浪 - 南昌大学共青城光氢储技术研究院
  • 2023-07-19 - 2023-10-27 - C30B15/10
  • 本发明公开了一种氮氧化硅‑石英复合材料坩埚及其制备方法,以氮氧化硅与石英的复合材料作为坩埚的埚壁,先由石英砂与高纯氮化硅粉混合形成混合料,以混合料为原料采用旋转模具法‑电弧熔制法制作坩埚,加热保温过程中混合料粉体中的氮化硅与部分石英砂在高温下反应形成氮氧化硅,电弧加热保温时间比同等规格纯石英坩埚延长20~80%,坩埚的埚壁的组成为均匀氮氧化硅与石英的复合材料,或氮氧化硅含量从坩埚壁外向里逐渐增加的梯度复合材料,或者外层石英内层上述复合材料。所得复合材料坩埚强度高、抗硅熔体润湿性好、抗气泡迁移能力强、寿命长,以其生产的直拉单晶硅氧含量低,可替代纯石英坩埚用于规模化直拉单晶硅生产。
  • 一种氧化石英复合材料坩埚及其制备方法
  • [发明专利]一种高纯度大尺寸镁单晶的生长装置及方法-CN202310506625.4在审
  • 刘博宇;马欣金;郑芮;李玖章;单智伟 - 西安交通大学
  • 2023-05-06 - 2023-10-27 - C30B11/00
  • 本发明提供了一种高纯度大尺寸镁单晶的生长装置及方法,涉及单晶生长技术领域。本发明提供的镁单晶生长装置包括加热炉、置料管、控流滤杂板和坩埚,加热炉包括界定密封炉腔的炉体和加热室的炉管,炉体内沿炉管设温度调控系统,炉体上设气氛调控系统和水冷循环系统;坩埚和置料管置于炉管中,控流滤杂板设在坩埚内壁和置料管内壁交界处。该镁单晶生长装置可以使多晶镁原料在熔化区受热熔化为熔融液体,以熔滴的形式滴落在坩埚中形核、结晶并沿着稳定的液相薄层生长。该镁单晶生长方法通过对关键过程进行针对性控制,解决了现有技术中生长高纯度大尺寸镁单晶面临的周期长、能耗大、成本高等问题,具有极大的推广价值和广阔的应用前景。
  • 一种纯度尺寸镁单晶生长装置方法
  • [发明专利]关于外延后背封pattern解决办法-CN202310681966.5在审
  • 付成辛;虞如基;陈佳伟 - 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
  • 2023-06-09 - 2023-10-27 - C30B25/16
  • 本发明涉及一种关于外延后背封pattern解决办法,所属硅片加工技术领域,包括如下操作步骤:第一步:外延时由于高温环境下外延片会产生一定的形变,在外延片加上一层背封后形变会更加明显。第二步:将外延片从反应腔里取出时,需要由三枚顶针从基座底部升起,并将外延片从基座上托起,再通过后端机械手臂将外延片从反应腔中取出;形变较大的情况下外延片背面会与手臂接触,并因为背封的质地问题留下手臂印记。第三步:外延片经过外延的高温后会产生形变,但降温后形变会在一定程度上有所恢复。具有操作便捷和质量稳定性好的特点。消除背封因质地产生的机械手臂pattern,提高外延良率。
  • 关于外延后背pattern解决办法
  • [发明专利]晶棒的掺杂剂的添加量的确定方法和确定装置-CN202310691714.0在审
  • 梁万亮;杨文武 - 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
  • 2023-06-12 - 2023-10-27 - C30B15/04
  • 本发明涉及一种晶棒的掺杂剂的添加量的确定方法,其特征在于,包括以下步骤:确定掺杂剂的掺杂效率;根据所述掺杂效率,确定实际拉晶工艺中掺杂剂的首次添加量a,a=a′/η0,其中,a′为所需的融入到硅熔液中的掺杂剂的含量,η0为掺杂效率;其中,所述确定掺杂剂的掺杂效率,具体包括:将第一测试用掺杂剂加入至第一测试用硅熔液中,并拉制第一测试晶棒;根据所述第一测试晶棒的电阻率确定所述掺杂效率。本发明还涉及一种晶棒的掺杂剂的添加量的确定装置。根据拉制的晶棒的电阻率确定掺杂剂的掺杂效率,根据该掺杂效率可以确定掺杂剂的掺杂量,改善由于掺杂剂挥发导致的晶棒电阻率超规格报废的问题。
  • 掺杂添加确定方法装置
  • [发明专利]一种高光学质量K3-CN202210406819.2在审
  • 夏明军;刘青雄;唐川;李如康;吴倩 - 中国科学院理化技术研究所
  • 2022-04-18 - 2023-10-27 - C30B9/12
  • 本发明提供了一种高光学质量K3B6O10Br晶体生长助熔剂及晶体生长方法。所述K3B6O10Br晶体生长助熔剂的使用可以有效降低K3B6O10Br晶体的生长温度,使其温度范围在650‑700℃之间。可以明显降低溶液的粘度,有利于溶质传输,易于晶体的生长并且显著减少了包裹体的产生。可以有效减少体系的挥发度,提高生长体系的稳定性,防止漂晶的形成,提高晶体的生长速度和晶体生长的重复性。由于晶体中杂质的减少,有效解决了200‑300nm波段的吸收,并且大大提高了该波段的透过率。
  • 一种光学质量basesub

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