专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]碳量子点的制造方法-CN202280016841.4在审
  • 高桥裕佳;坂部宏;石津真树;葛尾巧 - 株式会社吴羽
  • 2022-03-11 - 2023-10-20 - B82B3/00
  • 本发明的目的在于,提供一种通过简便的过程来制造发光量子产率高的碳量子点的方法。解决上述技术问题的碳量子点的制造方法具有:将含有硼、硫、或磷并且在1个大气压、25℃下为固体,具有结晶性的结晶性化合物与具有反应性基团的有机化合物混合,制备混合物的工序;以及以实质上无溶剂的方式将所述混合物加热至100℃以上且300℃以下,制备碳量子点的工序。所述混合物中的所述结晶性化合物的量相对于所述有机化合物的量100质量份为45质量份以上且1000质量份以下。
  • 量子制造方法
  • [发明专利]碳量子点的制造方法-CN202280018016.8在审
  • 高桥裕佳;石津真树;坂部宏;葛尾巧 - 株式会社吴羽
  • 2022-03-11 - 2023-10-20 - B82B3/00
  • 本发明的目的在于提供一种通过简便的过程来制造发光量子产率高的固体状的碳量子点的方法。解决上述技术问题的碳量子点的制造方法为在25℃、1个大气压下为固体的碳量子点的制造方法,其包括:将具有反应性基团且不含硼原子的有机化合物与硼化合物混合,制备混合物的工序;以及以实质上无溶剂的方式将所述混合物加热至100℃以上且300℃以下,制备碳量子点。所述有机化合物中的氮原子的量为20质量%以上,所述硼化合物的量相对于所述有机化合物和所述硼化合物的总量为20质量%以上。
  • 量子制造方法
  • [发明专利]硅纳米球探针制造高性能纳米线器件和界面提升方法-CN202310608577.X在审
  • 胡欢;潘鑫;丁小蕾;乔宝石;徐杨 - 浙江大学
  • 2023-05-27 - 2023-10-20 - B82B3/00
  • 本发明公开了硅纳米球探针制造高性能纳米线器件和界面提升方法,包括转移二维材料;对二维材料进行热退火,原子力显微镜接触模式扫描等;转移一维材料纳米线;原子力显微镜非接触模式定位纳米线位置;原子力显微镜控制模式旋转移动纳米线,使纳米线和二维材料特定区域接触;原子力显微镜力曲线模式依次扫描纳米线/二维材料接触区域;同时,该纳米球探针通过聚焦离子束仪器的高能氦离子束注入单晶硅表面,通过调节氦离子的注入电压、开关阀门的开启时间定量调控注入的离子剂量;本发明不会引入额外的污染物,并且可以定点、快速、精准处理材料表面,具有在纳米尺度的高度的可行性和可控性,对材料表面的损伤小,可以兼容于不同的器件制备工艺。
  • 纳米探针制造性能器件界面提升方法
  • [发明专利]基于纳米线阵列薄膜压力传感器的制备方法及压力传感器-CN202311109543.2在审
  • 王峰;李卓;倪海彬 - 常州天策电子科技有限公司
  • 2023-08-31 - 2023-10-03 - B82B3/00
  • 本发明专利涉及基于纳米线阵列薄膜压力传感器的制备方法及压力传感器,具有硅片、铂片、PET薄膜、旋涂机、光刻机和磁控溅射腔室;包括制备金纳米线阵列层的工艺步骤、制备PET保护层的工艺步骤、以及将金纳米线阵列层和PET保护层结合的工艺步骤,还包括传感器本体,传感器本体由一个金纳米线阵列层和两个PET保护层组成,PET保护层依次包括PVA气导层、碳浆层、银电极层和PET薄膜,金纳米线阵列层和各个PET保护层加热固定后,传感器本体的由中层至上下两端分别为金纳米线阵列层、PVA气导层、碳浆层、银电极层和PET薄膜。本发明结构巧妙,且可以适用各种场景,具有较好的测向性和灵敏度,高效实用。
  • 基于纳米阵列薄膜压力传感器制备方法
  • [发明专利]用于确定量子纠缠态信息的装置和方法-CN202180089491.X在审
  • G·瓦肯;K·A·劳申巴赫 - 量子比特移动与存储有限责任公司
  • 2021-11-23 - 2023-09-29 - B82Y10/00
  • 一种用于确定量子纠缠态信息的系统包括被配置为生成多个第一光子和多个第二光子的纠缠光子源,其中第一光子和第二光子在两个或更多个基中纠缠,使得每个光子的可用量子信息可以包括附加的量子信息。第一接收器生成包括第一有序列表的状态值的子集的第一共享列表,并且第二接收器生成包括第二有序列表的状态值的子集的第二共享列表。有序列表能够是时间区间、时间戳或微分时间。接收器调制测量分辨率以实现性能度量。处理器比较第一共享列表与第二共享列表以识别匹配的状态值并导出纠缠的量子态信息。纠缠的量子态信息能够被用于同步时钟、检测和检测错误,或生成共享秘密。
  • 用于确定量子纠缠信息装置方法
  • [发明专利]用于碳酸盐储层的微模型的制造-CN202180088193.9在审
  • 王玮 - 沙特阿拉伯石油公司
  • 2021-12-30 - 2023-09-29 - B82Y40/00
  • 描述了具有可控纳米级孔隙率的碳酸盐微流体模型和方法。用于制造用于研究地下石油储层环境中的流体行为的具有可控纳米级孔隙率的碳酸盐纳米流体微模型的方法包括:将多个聚合物球体布置在透明流动池中;引发该多个聚合物球体的结晶以形成具有蛋白石结构的模板;用基于钙的溶液和基于碳酸盐的溶液填充该透明流动池,以在该蛋白石结构的空隙中形成纳米晶体;以及从该透明流动池中除去通过该多个聚合物球体的结晶形成的该模板,留下具有多个纳米级孔隙和碳酸盐表面的反蛋白石结构。该模型包括:透明流动池,该透明流动池包括限定入口的第一端和限定出口的第二端;以及在透明流动池内的碳酸盐的反蛋白石结构。
  • 用于碳酸盐模型制造
  • [发明专利]一种新型InP纳米线阵列及其制备方法-CN202210617314.0有效
  • 李国强;郭建森;曾庆浩;莫由天;刘红斌 - 华南理工大学
  • 2022-06-01 - 2023-09-26 - B82B3/00
  • 本发明属于半导体材料领域,公开了一种新型InP纳米线阵列及其制备方法。本发明用压印模具在InP基板的纳米压印胶层进行压印,得到具有光栅线和掩模版图案的纳米压印胶掩模版InP基板,再用紫外光照射使所述掩模版图案覆盖的区域固化,并清洗干净,然后蒸镀无机薄膜,再用显影液进行清洗,保留了所需图案化的无机薄膜掩模版,再进行刻蚀,制备纳米线阵列结构,再将所述纳米线阵列结构顶部的无机薄膜去除,即得到新型InP纳米线阵列。本发明得到的纳米线阵列排列更加均匀有序,通过调整纳米线阵列的排列,可以实现对不同波长光的光工程管理,从而大幅度提高使用特定波长的光能器件的性能。
  • 一种新型inp纳米阵列及其制备方法

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