[发明专利]像素结构、阵列基板及显示面板有效
申请号: | 202210799029.5 | 申请日: | 2022-07-07 |
公开(公告)号: | CN115101024B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 黄世帅;韩丙;郑浩旋 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 袁雪 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 阵列 显示 面板 | ||
1.一种像素结构,应用于阵列基板中,所述阵列基板还包括衬底基板,所述衬底基板上形成有第一金属层及第二金属层,所述第一金属层形成多条扫描线,所述第二金属层形成多条数据线,其特征在于,所述像素结构包括:
多条第二公共电极线;
所述第二公共电极线与所述数据线平行设置,每相邻两条所述数据线之间设置有一所述第二公共电极线;
所述扫描线与所述数据线垂直设置并限定出多个像素区,每一所述像素区沿扫描线的延伸方向设置有两个子像素,两个所述子像素的栅极连接两条不同的扫描线,两个所述子像素的源极连接相同的数据线;
或者,每一所述像素区中两个子像素分别与相邻像素区中的子像素连接相同的数据线;其中,
同一像素区中的两个次像素连接同一条所述第二公共电极线;
每一所述子像素包括沿列方向设置的主像素及次像素;
每一所述像素区中,沿扫描线延伸方向设置的两个子像素的主像素及次像素在所述数据线的延伸方向上呈旋转对称设置;
每一所述子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、主像素电极及次像素电极,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管及第三薄膜晶体管分别设置于所述主像素电极靠近所述扫描线的一侧,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管及第三薄膜晶体管的栅极连接相同的扫描线,所述第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管的源极连接相同的数据线,所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接,所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二公共电极线连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述主像素电极之间设有第一连接走线,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极之间还设有第二连接走线。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括:
多条第一公共电极线;
同一行所述像素区对应设置有一条所述第一公共电极线,所述第一公共电极线具有公共段及对应各所述子像素设置的环绕段,所述公共段沿扫描线的方向延伸,每一所述环绕段环绕所述子像素设置,每一所述环绕段环绕的两个引出端分别与所述公共段连接。
3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第二连接走线跨越所述主像素电极设置,并与所述次像素电极连接;或者,
所述第二连接走线自第二薄膜晶体管的漏极沿所述主像素电极周侧延伸设置,并与所述次像素电极连接。
4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,同一所述像素区中的两个所述第一薄膜晶体管及两个所述第二薄膜晶体管的源极连接相同的数据线,且两个所述第一薄膜晶体管及两个所述第二薄膜晶体管与同一所述像素区中的一个所述子像素的主像素电极及次像素电极设置于同一列;其中,
与各自所述主像素电极及次像素电极处于同一列的所述第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管中,所述第二薄膜晶体管设置于所述第一薄膜晶体管背离所述主像素电极的一侧;
与各自所述主像素电极及次像素电极处于相邻列的所述第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管中,所述第一薄膜晶体管设置于所述第二薄膜晶体管远离所述主像素电极的一侧。
5.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板以及如权利要求1-4任一项所述的像素结构;
所述衬底基板上形成有:
第一金属层,所述第一金属层形成多条扫描线、多条第一公共电极线、多个第一薄膜晶体管的栅极、多个第二薄膜晶体管的栅极,以及多个第三薄膜晶体管的栅极;
第一绝缘层,设置于所述第一金属层上;
第二金属层,设置于所述第一绝缘层上,所述第二金属层形成多条数据线、多条第二公共电极线、多个第一薄膜晶体管的源极与漏极、多个第二薄膜晶体管的源极与漏极,以及多个第三薄膜晶体管的源极与漏极;
第二绝缘层,设置于所述第二金属层上;
透明导电层,分别形成多个主像素电极和多个次像素电极;其中,
每一第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、主像素电极和次像素电极构成一个子像素,每两个子像素构成一个像素区。
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