[发明专利]具有位于缝隙结构中的支撑结构的三维存储器件和用于形成其的方法

说明书

提供了用于形成三维(3D)存储器件的结构和方法的实施例。在一个示例中，3D存储器件包括堆叠层结构和至少一个源极结构，所述至少一个源极结构在纵向和横向上延伸，并且将所述堆叠层结构划分成多个存储块区域。所述堆叠层结构可以包括被交织在衬底上的多个导体层和多个绝缘层。所述至少一个源极结构包括沿所述纵向方向延伸到所述衬底的至少一个支撑结构，所述至少一个支撑结构与所述相应的源极结构的至少侧壁接触。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年6月17日递交的中国专利申请No.201910522875.0的优先权，以引用方式将所述申请的内容全部并入本文。

技术领域

本公开内容的实施例涉及具有位于栅缝隙(GLS)中的支撑结构的三维(3D)存储器件和用于形成所述3D存储器件的方法。

背景技术

通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造过程将平面存储单元缩放到了更小的大小。然而，随着存储单元的特征大小逼近下限，平面工艺和制造技术变得富有挑战并且昂贵。因此，平面存储单元的存储密度逼近上限。

3D存储架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3D存储架构包括存储阵列和用于控制去往和来自存储阵列的信号的外围器件。

发明内容

提供了3D存储器件和用于形成所述3D存储器件的方法的实施例。

在一个示例中，一种3D存储器件包括堆叠层结构和至少一个源极结构，所述至少一个源极结构在纵向和横向上延伸，并且将所述堆叠层结构划分成多个存储块区域。所述堆叠层结构可以包括被交织在衬底上的多个导体层和多个绝缘层。所述至少一个源极结构包括沿所述纵向方向延伸到所述衬底的至少一个支撑结构，所述至少一个支撑结构与所述相应的源极结构的至少侧壁接触。

在另一个示例中，一种用于形成3D存储器件的方法包括：形成电介质堆叠层，所述电介质堆叠层包括位于衬底上的交织的多个初始绝缘层和多个初始牺牲层；形成在纵向和横向上在所述电介质堆叠层中延伸的至少一个缝隙结构，所述至少一个缝隙结构将所述电介质堆叠层划分成多个存储块区域，其中，所述至少一个缝隙结构包括沿所述纵向方向延伸到所述衬底并且与至少一个相邻的存储块区域接触的至少一个支撑结构；以及，在所述至少一个缝隙结构中的每个缝隙结构中形成源极结构。

在仍然另一个示例中，一种用于形成3D存储器件的方法包括：形成电介质堆叠层，所述电介质堆叠层包括位于衬底上的交织的多个初始绝缘层和多个初始牺牲层；在多个源极区域中的每个源极区域中形成沿所述纵向方向延伸到所述衬底的至少一个支撑结构；形成在纵向和横向上在所述电介质堆叠层中延伸的多个缝隙结构，所述多个缝隙结构将所述电介质堆叠层划分成多个存储块区域，其中，所述多个缝隙结构包括所述至少一个支撑结构，并且其中，所述至少一个支撑结构与至少一个相邻的存储块区域接触；以及，在所述至少一个缝隙结构中的每个缝隙结构中形成源极结构。

附图说明

被并入本文并且构成本说明书的一部分的附图说明了本公开内容的实施例，并且与描述内容一起进一步用于阐述本公开内容的原理和使相关领域的技术人员能够制作和使用本公开内容。

图1A说明了根据本公开内容的一些实施例的具有缝隙结构中的支撑结构的一个示例性的3D存储器件的平面图。

图1B说明了根据本公开内容的一些实施例的沿C-D方向的图1A中所说明的3D存储器件的横截面图。

图1C说明了根据本公开内容的一些实施例的沿A-B方向的图1A中所说明的3D存储器件的横截面图。

图2A说明了根据本公开内容的一些实施例的处在制造过程的一个阶段处的一个示例性的3D存储器件的平面图。

图2B说明了根据本公开内容的一些实施例的沿C-D方向的图2A中所说明的3D存储器件的横截面图。