[发明专利]电介质陶瓷组合物及陶瓷电子零件有效
申请号: | 201780062201.6 | 申请日: | 2017-10-11 |
公开(公告)号: | CN109803941B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 野村武史;根本淳史;佐佐木由香里;竹本和彦;木下菜绪美;高桥由美 | 申请(专利权)人: | 昭荣化学工业株式会社 |
主分类号: | C04B35/499 | 分类号: | C04B35/499;H01B3/12;H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 沈雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质 陶瓷 组合 电子零件 | ||
1.一种用于陶瓷电子零件的电介质陶瓷组合物,其包含第一成分和第二成分,
第一成分包含:相对于换算成下述氧化物时的第一成分的总摩尔数的含有比例以CaO换算为0~35.85mol%的Ca的氧化物、以SrO换算为0~47.12mol%的Sr的氧化物、以BaO换算为0~51.22mol%的Ba的氧化物、以TiO2换算为0~17.36mol%的Ti的氧化物、以ZrO2换算为0~17.36mol%的Zr的氧化物、以SnO2换算为0~2.60mol%的Sn的氧化物、以Nb2O5换算为0~35.32mol%的Nb的氧化物、以Ta2O5换算为0~35.32mol%的Ta的氧化物、以及以V2O5换算为0~2.65mol%的V的氧化物,
该第一成分含有选自Ca的氧化物、Sr的氧化物及Ba的氧化物中的至少1种、选自Ti的氧化物及Zr的氧化物中的至少1种、以及选自Nb的氧化物及Ta的氧化物中的至少1种作为必要成分,并且相对于换算成所述氧化物时的第一成分的总摩尔数,CaO换算的Ca的氧化物、SrO换算的Sr的氧化物及BaO换算的Ba的氧化物的总含有比例为48.72~51.22mol%,TiO2换算的Ti的氧化物、ZrO2换算的Zr氧化物及SnO2换算的Sn的氧化物的总含有比例为15.97~17.36mol%,Nb2O5换算的Nb的氧化物、Ta2O5换算的Ta氧化物及V2O5换算的V的氧化物的总含有比例为31.42~35.31mol%,
该电介质陶瓷组合物至少含有Mn的氧化物作为第二成分,相对于换算成所述氧化物时的第一成分的总质量,MnO换算的所述Mn的氧化物的含有比例大于0质量%并且为3.5质量%以下,并且该第二成分含有选自Mg的氧化物、Si的氧化物及Y的氧化物中的至少1种。
2.根据权利要求1所述的电介质陶瓷组合物,其含有Mn的氧化物及D的氧化物作为第二成分,D是选自Li、Cr、Al、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、In、W、Mo、Hf、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中的至少1种。
3.根据权利要求1所述的电介质陶瓷组合物,其包含钨青铜型晶相。
4.根据权利要求1所述的电介质陶瓷组合物,其在25℃下的相对介电常数为100以上。
5.根据权利要求4所述的电介质陶瓷组合物,其在25℃下的相对介电常数为200以上。
6.根据权利要求5所述的电介质陶瓷组合物,其在25℃下的相对介电常数为300以上。
7.根据权利要求1所述的电介质陶瓷组合物,其静电容量变化率在-55℃~200℃的温度范围中为-50%~50%的范围内。
8.根据权利要求1所述的电介质陶瓷组合物,其静电容量变化率在-55℃~200℃的温度范围中为-33%~22%的范围内。
9.根据权利要求1所述的电介质陶瓷组合物,其在25℃下的介电损耗tanδ为10%以下,并且在200℃下的介电损耗tanδ为10%以下。
10.一种陶瓷电子零件,其包含由权利要求1~9中任一项所述的电介质陶瓷组合物形成的电介质层、以及含有贱金属作为导电成分的电极层。
11.根据权利要求10所述的陶瓷电子零件,其中,
所述贱金属为选自镍及铜中的至少1种。
12.根据权利要求10或11中任一项所述的陶瓷电子零件,其层叠有多层所述电介质层和所述电极层。
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