[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611040773.8 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108091630B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 许谢慧娜;曾笑梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/48 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 钨插塞 金属导线 基底 衬垫层 原电池 良率 制造 腐蚀 金属 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基底，在所述基底中形成有钨插塞；
位于所述钨插塞上的金属导线，所述金属导线与所述钨插塞之间形成有衬垫层，所述衬垫层以及所述金属导线位于所述钨插塞上但并未完全覆盖所述钨插塞，所述衬垫层的材料为钨。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬垫层的厚度为80-120埃。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属导线的材料为铝铜合金。
4.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底中形成钨插塞；
依次形成位于所述钨插塞上衬垫层以及位于所述衬垫层上的金属导线，所述衬垫层以及所述金属导线位于所述钨插塞上但并未完全覆盖所述钨插塞，所述衬垫层的材料为钨。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述衬垫层的厚度为80-120埃。
6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述金属导线的材料为铝铜合金。
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- 本实用新型公开了一种三维六面I/O芯片封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括芯片、基板（60）、引线、芯片顶部重布线和顶部输入/输出触点（20），芯片的底部固定于基板（60）的上表面，所述芯片顶部重布线设置在芯片上表面，所述顶部输入/输出触点（20）与芯片顶部重布线固连；所述基板（60）的上表面、芯片的外围设置侧部输入/输出触点（70），所述侧部输入/输出触点（70）与基板（60）固连；包封层（30）露出顶部输入/输出触点（20）和侧部输入/输出触点（70）；所述基板（60）的下表面设置底部输入/输出触点（80）。本实用新型可以实现微型化、灵活性高、电气性能卓越、高可靠性的芯片封装结构。
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