国内存储器企业如何构建专利护城河?态度讨论

钻瓜导读:存储器国产化过程中的知识产权风险日益增加,构建存储器专利护城河对相关企业来讲至关重要。企业可以从增加专利申请量、提高专利质量、加强与代理机构合作、关注国外巨头专利信息、适当投入新型存储器研发并申请相关专利几方面着手,降低存储器在国产化道路上的知识产权风险,构建企业专利护城河。

存储器国产化过程中的知识产权风险日益增加,构建存储器专利护城河对相关企业来讲至关重要。企业可以从增加专利申请量、提高专利质量、加强与代理机构合作、关注国外巨头专利信息、适当投入新型存储器研发并申请相关专利几方面着手,降低存储器在国产化道路上的知识产权风险,构建企业专利护城河。

近年来,由于美国贸易政策改变和国内产业升级,中美贸易冲突加剧,美国限制芯片出口的政策使得国内部分企业陷入了缺芯之境。 

2020年10月29日通过的“十四五”规划聚焦“卡脖子”工程,《中国制造2025》中提到了包括先进存储等在内的新一代信息技术产业。鉴于存储器国产化道路上的知识产权风险,本文从知识产权保护的角度切入存储器领域,聚焦国内存储器行业,探讨如何构建存储器的专利护城河。

01存储器的需求和发展过程

存储器作为数据和程序存放的主要介质单元,目前不仅应用在各种计算机、服务器以及智能设备中,也应用在磁盘阵列和各网络存储系统中。随着5G、物联网等产业的快速深入发展,全球市场对于存储器的需求也进一步扩大。

全球存储器行业从1965年开始至今,可分为三个发展阶段:第一阶段(1965-1974年)为存储器技术萌芽阶段;第二阶段(1975-2000年)为存储器技术初步发展阶段;第三阶段(2001年至今)为存储器技术快速发展阶段。

美国在第一阶段率先投入存储器的研究。美国IBM企业最早投入到DRAM(Dynamic Random Access Memory,即动态随机存取存储器)产品技术研发领域,DRAM作为最为常见的系统内存,数据保持时间较短。1970年,美国IBM公司宣布其将在推出的大型system/370 Model145的主内存上使用存储新品代替磁芯。1971年,美国英特尔公司也研发出DRAM内存。同年,英特尔的DO Frohman成功研发EPROM。

日本在第二阶段也开始研究存储器。1984年,东芝公司的研发人员首次提出闪存(Flash Memory)概念,并于1989年发布NAND Flash结构。当然,在此阶段,美国也未停止研发存储器的脚步,1988年,英特尔首先研发出NOR Flash技术。

第三阶段即进入21世纪后,全球高科技产业发展迅速,美日韩三国抓住了信息家电的需求特性,在全球范围内掀起了存储器应用的研发热潮,且随着科技的进步,存储器产品的可靠性不断提高。

02国内外存储器的发展差异世

由于性能优异等诸多优势,DRAM与NAND Flash成为市场份额最大的两种存储器。

随着国内智能终端技术的发展,中国已经成为存储器的主要销售市场,存储器销售额占全球存储器销售额的一半以上,但上述存储器几乎全部依靠进口,自制率很低。并且由于存储器被国外厂商高度垄断,中国企业几乎没有议价能力。

随着全球化进程的推进,国家信息安全越发重要,存储器作为存储信息的介质,其重要性更是不言而喻,因此存储器行业成为各个国家投资的重要方向。从2016年开始,相关机构先后投资的涉存储器技术企业包括长江存储、长鑫存储以及福建晋华等。其中,长江存储主要致力于NAND Flash的研究,长鑫存储和福建晋华主要致力于DRAM的研究。

目前,虽然我国的存储器企业已经奋起直追,但由于基础比较薄弱,其存储技术与国外相比仍然存在不小的差距。在NAND Flash领域,三星和海力士已研发出了176层的3D NAND Flash,长江存储在2020年研发出了128层的3D NAND Flash。而在DRAM领域,三星已经开始研发第四代10nm级的DRAM,长鑫存储主要工艺为19nm工艺。

03国内存储器企业的知识产权现状

在实现存储器国产化的道路上,其面临的知识产权风险逐渐增大。在DRAM领域,全球专利布局已经基本完成,主要以美国、韩国和日本为主导,相关技术的专利申请量已经达到十万余件。

而国内相关企业的专利布局较晚,专利申请量也较少。

笔者检索了长江存储、长鑫存储以及福建晋华近年来在国内的专利申请情况后发现,长江存储从2017年开始申请专利,在存储器方面共申请了1800多件,具体申请概况见图1。

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 图1 长江存储、长鑫存储、福建晋华总专利申请量

图1显示,上述企业在2017年申请了45件专利,2018年申请了228件,2019年申请了553件,2020年申请了778件,2021年申请了163件,由于2019-2021年的专利可能存在未公开情况,因此理论上其2019-2021年的申请量应大于上述提及的数字。

通过检索笔者发现,长江存储不仅在闪存方面进行了专利布局,还在DRAM上进行了布局,具体为:2017年申请了1件专利,2018年申请了3件专利,2019年申请了10件专利,2020年申请了39件专利,2021年申请了12件专利。

基于上述同样的原因,2019-2021年的申请量应大于上述提及的数字,具体见图2。

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 图2 长江存储在DRAM上的专利申请量 

而长鑫存储主要从2017年开始申请专利,具体情况见图3。

其2017年申请了25件专利,2017年申请了215件专利,2019年申请了158件专利,2020年申请了213件专利,2021年申请了15件专利。同样地,由于2019-2021年的专利也存在未公开情况,因此,其2019-2021年的申请量应大于上述提及的数字。

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 图3 长鑫存储专利申请量

福建晋华于2018年开始申请专利,具体情况如图4所示。

其2018年申请了24件专利,2019年申请了33件专利,2020年申请了78件专利,2021年申请了8件专利。同样地,由于2019-2021年存在部分专利未公开情况,因此,2019-2021年的申请量应大于上述提及的数字。

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图4 福建晋华专利申请量

由上述检索结果可知,国内企业在存储器方面的专利数量加起来也只有数千件,从体量上远远落后于国外,且国外企业还掌握着无法绕开的核心专利。我国存储领域的专利体量较小,难以与国外企业形成交叉许可,随着技术越来越成熟,在产品逐渐推陈出新的过程中,我国企业面临专利诉讼的风险也越来越大。实际上,国内的存储器企业已经历过关联诉讼,并且承担了较为严重的后果。

04构建专利护城河的建议

为了更为顺利地实现存储器的国产化,攻克“卡脖子”领域,如何规避风险、构建专利护城河是我国相关企业应当思考的问题。笔者认为可以从以下几方面考虑:

第一,进一步增加专利申请量。在为自身产品保驾护航的同时,提高我国企业在存储器领域的话语权,减少专利诉讼的风险,增加与国外巨头企业交叉许可的可能性。

当然,增加申请量并非为了增加数量而申请大量的垃圾专利,而是指在研发过程中,同步申请相关专利,尽量不放过任何技术上的改进。并且在实际的申请策略上,应根据实际方案创造性的高低,合理布局不同类型的专利申请。

第二,重视专利文件的质量,申请高质量专利。高质量专利不仅能够提高专利价值,还可以提高专利的稳定性,在专利的博弈中,产生重要且积极的作用。

具体地,由于高质量的专利文件一般来讲是由专利代理师撰写,因此,对于企业的IP人员以及相关案件的发明人来说,在案件的处理过程中,发明人应积极与代理师沟通,使代理师可以准确无误地了解方案的发明点;同时,IP人员在审核过程中,也要从权利要求范围、权利要求布局、权利要求条数、说明书篇幅以及说明书内容等方面综合审核对应的文件,提高案件质量。

第三,加强并深化与代理机构的合作。企业IP部门可以多组织代理师进行技术领域培训,让代理师不断学习相关的技术知识,使其后续能够更准确地了解拟申请方案的发明点等,从而更好地撰写相关方案。

当然,企业也可以组织研发人员进行专利方面的培训,提高研发人员在专利方面的认知。具体地,可以邀请代理师进行联合培训,也可以由企业内部的IP人员进行培训,培训内容包括技术交底书以及专利挖掘等方面,从而方便研发人员在研发过程中,顺利开展相关专利申请工作。

第四,时刻关注国外巨头的发展情况,适时申请相关专利。分析研究国外巨头在重要技术上发布的专利文件,寻找规避以及优化方案,并对应申请专利,从而进一步降低诉讼风险,提高交叉许可的可能性。

第五,适当投入新型存储器的研发,并申请相关专利。随着人工智能以及大数据等领域的发展,市场对存储器的容量以及速度有着更高的需求,而现有主流的存储器DRAM和NAND Flash难以满足上述需求,新型的存储器就应运而生,目前主要为相变存储器、阻变存储器及磁阻存储器。国外巨头企业已经在上述新型存储器上投入了大量研究,因此,国内企业也应适当投入研发,减小在新型存储器领域与国外巨头的差距。

05总结

存储器的国产化并非一蹴而就,在产业发展的过程中,面对国际上的激烈竞争,不可避免地会面临知识产权相关的法律风险。为此,不仅要在国家层面倡导增加技术研发投入,攻克”卡脖子“工程,也需要企业在项目预警、专利布局、保护范围和规避风险等方面,与知识产权相关律师和代理师等法律专业人才共同努力,致力于构建存储器的知识产权护城河。

(来源:康信知识产权)

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