专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有预定信息的磁性PUF-CN202080019143.0在审
  • 凯斯·布莱恩·哈丁 - 利盟国际有限公司
  • 2020-03-21 - 2021-10-22 - G06K19/08
  • 本发明将物理信息(“PIL”)添加到在基质内的磁性颗粒,创建了不可克隆功能“对象”。PIL有助于利用包括搜索索引的附加信息搜索找到与预定的被登记组合匹配的组合,该搜索索引限制搜索以便在登记数据库中找到匹配所需的数据的范围。该索引可以是将随机磁剖面值关联到数据库中的被登记值的列表的预定值。附加信息可以包括需要容易被传递给PUF用户的产品信息或一般信息。
  • 具有预定信息磁性puf
  • [发明专利]动力锂离子电池的制作方法-CN201410226249.4有效
  • 徐荣;黄进清;桂松 - 鸿源控股有限公司
  • 2014-05-26 - 2014-09-10 - H01M10/058
  • 本发明提供一种动力锂离子电池的制作方法,包括提供一平面基板;于平面基板上形成预定图案的绝缘;于预定图案的绝缘上形成预定图案的导电;提供含碳材料;于预定图案的导电上形成预定图案的含碳材料,然后加压、烘干,该导电与含碳化合物共同形成负极;于负极上形成预定图案的隔膜;提供锂酸盐混合物;于隔膜上形成预定图案的锂酸盐混合物;于锂酸盐混合物上形成预定图案的金属,然后加压、烘干,该锂酸盐混合物与金属共同形成正极;在正极上形成预定图案的绝缘;根据预定电池单体的层数,决定重复步骤3-10的次数,然后按次数依次重复步骤3-10;步骤12、向隔膜添加电解液。
  • 动力锂离子电池制作方法
  • [发明专利]动力锂离子聚合物电池的制作方法-CN201410226602.9有效
  • 徐荣;黄进清;桂松 - 鸿源控股有限公司
  • 2014-05-26 - 2016-11-16 - H01M10/058
  • 本发明提供一种动力锂离子聚合物电池的制作方法,包括提供一平面基板;于平面基板上形成预定图案的绝缘;于预定图案的绝缘上形成预定图案的导电;提供含碳材料;于预定图案的导电上形成预定图案的含碳材料,然后加压、烘干,该导电与含碳化合物共同形成负极;于负极上形成预定图案的固态或胶态聚合物电解质;提供锂酸盐混合物;于隔膜上形成预定图案的锂酸盐混合物;于锂酸盐混合物上形成预定图案的金属,然后加压、烘干,该锂酸盐混合物与金属共同形成正极;在正极上形成预定图案的绝缘;根据预定电池单体的层数,决定重复步骤3—10的次数,然后按次数依次重复步骤3-10。
  • 动力锂离子聚合物电池制作方法
  • [发明专利]一种膜类型测定方法-CN201810880189.6有效
  • 于甄 - 张家港康得新光电材料有限公司
  • 2018-08-03 - 2022-08-16 - G01N21/41
  • 本发明提供了一种膜类型测定方法。该测定方法包括:分别获取至少一个预定波长的光在膜中的折射率,其中,膜的类型为非晶态膜或者为晶态膜,至少一个预定波长是根据预定条件确定的,预定条件为:同一波长在非晶态膜中的折射率与在晶态膜中的折射率之间的差值能够用于区分膜的类型;根据预定参数确定膜的类型,其中,预定参数包括:至少一个预定波长的光在膜中的折射率。采用折射率之间的差值能够用于区分膜的类型对应的波长作为预定波长,获取该预定波长后,检测至少一个预定波长下的膜的折射率,根据折射率的大小或折射率差值的大小即可确定膜为晶态膜或非晶态膜。因此通过常规折射率的检测即可测定膜的类型。
  • 一种类型测定方法
  • [发明专利]薄膜太阳能电池的光吸收的制备方法-CN201910869277.0有效
  • 王顺;高传增;李文杰;杨兵;李伟民;罗海林;冯叶;陈明;钟国华;杨春雷 - 深圳先进技术研究院
  • 2019-09-12 - 2022-07-12 - H01L21/36
  • 本发明公开了一种薄膜太阳能电池的光吸收的制备方法,包括:应用磁控溅射工艺制备获得半导体预制;在半导体预制上制备形成硒薄膜;将形成硒薄膜后的半导体预制置于退火炉中;将半导体预制加热至第一预定温度后恒温第一预定时间;将半导体预制从第一预定温度加热至第二预定温度后恒温第二预定时间,以使半导体预制硒化;将半导体预制从第二预定温度加热至第三预定温度后恒温第三预定时间,并在第三预定时间内通入硫化氢气体,以使半导体预制硫化,制备获得硒化硫化的半导体光吸收。本发明将半导体预制的硒化和硫化设置在不同温度下分步进行,避免硒化的过度和不均匀性,同时也保证了硫化的质量,提高光吸收的品质。
  • 薄膜太阳能电池光吸收制备方法
  • [发明专利]薄膜太阳能电池的光吸收的制备方法-CN201910873604.X有效
  • 高传增;王顺;李文杰;李伟民;罗海林;冯叶;陈明;钟国华;杨春雷 - 深圳先进技术研究院
  • 2019-09-12 - 2021-07-16 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种薄膜太阳能电池的光吸收的制备方法,包括:制备铜铟镓预制;在铜铟镓预制上制备硒薄膜,硒与铜镓之和的摩尔比大于1;将铜铟镓预制置于退火炉中加热至第一预定温度后恒温第一预定时间;将铜铟镓预制从第一预定温度加热至第二预定温度后恒温第二预定时间,以使预制硒化,然后从退火炉中抽除硒蒸汽;将铜铟镓预制从第二预定温度加热至第三预定温度后恒温第三预定时间,并在第三预定时间内通入硫化氢气体,以使预制硫化,制备获得铜铟镓硒硫光吸收。本发明将铜铟镓预制的硒化和硫化设置在不同温度下分步进行,避免硒化的过度和不均匀性,同时也保证了硫化的质量,提高光吸收的品质。
  • 薄膜太阳能电池光吸收制备方法
  • [实用新型]一种正极极片、电芯和锂离子电池-CN202223342732.8有效
  • 彭启川;胡本安;安建;李洋;张登学;郑明清 - 浙江锂威能源科技有限公司
  • 2022-12-12 - 2023-06-30 - H01M10/0587
  • 本实用新型公开了一种正极极片、电芯和锂离子电池,该正极极片包括正极集流体,正极集流体包括相间排布设置的预定平直段和预定弯折段,预定弯折段连接相邻的预定平直段,且相邻的预定弯折段的预定弯折方向相反;预定平直段和预定弯折段的两侧表面均设有正极活性材料预定弯折段上还设有绝缘,绝缘设于预定弯折段的至少一侧的正极活性材料与正极集流体之间,该绝缘可阻隔正极集流体向正极活性材料传递电子,从而防止其发生电化学反应脱出Li+,由于预定弯折段的活性材料无法发挥作用,不会发生电化学反应,进而无Li+的嵌入脱出,从而可防止长期循环拐角处的析锂。
  • 一种正极锂离子电池
  • [发明专利]一种电子设备-CN201510919693.9有效
  • 周文荣 - 联想(北京)有限公司
  • 2015-12-11 - 2019-07-26 - G06F1/16
  • 本发明同时还公开了一种电子设备,所述电子设备包括:壳体,所述壳体包括:基材,所述基材构成满足预定形状且满足预定强度,所述预定形状为所述壳体的形状;位于所述基材上方层叠的至少两个保护,所述至少两个保护与所述基材所满足所述预定形状相匹配,所述至少两个保护的每一个保护在满足预定条件时完整地从所述至少两个保护中脱离。
  • 一种电子设备
  • [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200710096512.2无效
  • 陈荣庆;游纯青 - 联华电子股份有限公司
  • 2007-04-11 - 2008-10-15 - H01L21/8234
  • 一种半导体元件的制造方法,先提供基底,基底包括了高压元件区与低压元件区,且高压元件区具有源极/漏极预定区、接点预定区与沟道预定区。于基底上形成一第一介电。然后,移除低压元件区的第一介电,同时,一并移除高压元件区的源极/漏极预定区、接点预定区的第一介电。接着,于低压元件区上形成一第二介电,其中第二介电的厚度小于第一介电的厚度。继而,于沟道预定区与低压元件区上分别形成栅极,而后,于源极/漏极预定区的基底中形成源极/漏极区。
  • 半导体元件及其制造方法
  • [发明专利]复合式电路板的制作方法-CN201210147685.3有效
  • 邱士于;陈旭东 - 常熟东南相互电子有限公司
  • 2012-05-04 - 2013-11-06 - H05K3/46
  • 首先,提供硬性基材,包括硬性介电。接着,形成以预定格式排列的贯穿部于硬性介电,使硬性基材依据贯穿部的排列而区分为预定移除区与预定保留区。接着,提供导电接合,其包括导电与配置于其上的介电接合。接着,将导电接合与硬性基材压合,使部分介电接合填充贯穿部。接着,将软性电路板与硬性基材压合。接着,图案化导电以形成线路。然后,以贯穿部为基准弯折硬性基材、软性电路板与导电接合,使预定保留区相对于预定移除区而在贯穿部处弯折。最后,移除硬性基材的位于预定移除区的一部分与导电接合的对应于预定移除区的一部分,以形成凹陷而暴露部分软性电路板。
  • 复合电路板制作方法
  • [发明专利]半导体器件的制作方法以及半导体器件-CN202211417458.8有效
  • 周文鑫;王建智;张国伟;王茹茹;王文智 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-11-14 - 2023-05-26 - H01L21/336
  • 本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件,该方法包括:首先,提供基底,基底包括基底本部以及位于基底本部中的第一凹槽;然后,在第一预定条件下,在基底本部的裸露表面以及第一凹槽中形成第一预备氧化,得到预备结构,第一预备氧化填满第一凹槽,第一预定条件包括:第一预定气体,其中,第一预定气体包括水蒸气;之后,在第二预定条件下,对预备结构进行预定处理,预定处理包括退火处理,第二预定条件包括:第二预定气体,第二预定气体包括氢气;最后,去除部分第一预备氧化,使得部分基底本部裸露,形成第二凹槽,得到目标结构,剩余的第一预备氧化形成第一氧化
  • 半导体器件制作方法以及
  • [发明专利]以堆栈法制备硬膜的方法-CN200910223091.4无效
  • 郑兆希 - 向熙科技股份有限公司
  • 2009-11-18 - 2011-05-18 - C23C14/34
  • 一种以堆栈法制备硬膜的方法,硬膜溅镀于一塑料工件上,以保护塑料工件的外观,包括:提供一溅镀设备,包括一溅镀腔体,用以对塑料工件溅镀硬膜,硬膜将分三次溅渡。首先,将一硬质膜以一第一预定厚度溅镀于塑料工件上;接着,将一金属或一装饰以一第二预定厚度镀于该硬质膜上;最后,将一透明硬质膜以一第三预定厚度溅镀于该金属上,其中,第一预定厚度和第三预定厚度总和大于0.1μm,该第三预定厚度约0.05至0.2μm。
  • 堆栈法制备硬膜方法

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