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[发明专利]一种抗起霜非氢化巧克力及其制备方法-CN202011636095.8在审
发明人：黄海瑚;肖瑾;曹建;张哲圣 -专利权人：上海海融食品科技股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： A23G1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗起霜非氢化巧克力，该巧克力包括：白糖、非氢化植物油A、非氢化植物油B、乳粉、填充物、磷脂和香精；其中，所述非氢化植物油A和所述非氢化植物油B的质量比为3:1，且所述非氢化植物油A和所述非氢化植物油本发明的有益效果为：首先，通过控制非氢化巧克力非氢化油脂的组分和含量，有效延缓非氢化巧克力起霜；其次，以非氢化植物油作为巧克力的制备原料，制得的巧克力不含反式脂肪酸，有益人体健康；最后，对非氢化巧克力浆的粘度进行控制
一种抗起霜非氢化巧克力及其制备方法

[发明专利]氢化非晶硅纳米线阵列的制备方法-CN201310573301.9无效
发明人：王相虎 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种氢化非晶硅纳米线阵列的制备方法，包括：氢化非晶硅薄膜制备步骤，用于在玻璃衬底上制备氢化非晶硅薄膜；氢化非晶硅纳米线阵列制备步骤，用于利用化学腐蚀方法将氢化非晶硅薄膜制备成氢化非晶硅纳米线阵列。在氢化非晶硅薄膜制备步骤中，首先对玻璃衬底进行清洗；然后将清洗过的玻璃衬底放进磁控溅射设备中，利用磁控溅射设备在玻璃衬底上面制备氢化非晶硅薄膜。在氢化非晶硅纳米线阵列制备步骤中，首先利用耐强酸树脂将未形成氢化非晶硅薄膜的衬底背面、以及氢化非晶硅薄膜周围密封，仅裸露形成有氢化非晶硅薄膜的面，然后浸入H2SO4和H2O2的混合溶液中，再浸入HF溶液中去除表面氧化物
氢化非晶硅纳米阵列制备方法

[发明专利]硅异质结太阳电池及其制备方法-CN201710456695.8在审
发明人：田宏波;王伟;赵晓霞;王恩宇;宗军;李洋;杨瑞鹏;周永谋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：其中，该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；金属栅线电极层，金属栅线电极层包括：合金过渡层，合金过渡层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层至少一层表面上；含铜导电合金层，含铜导电合金层形成在合金过渡层的表面上。
氢化非晶硅发射极层背场层缓冲层透明导电氧化物层合金过渡层硅异质结太阳电池金属栅线电极导电合金层衬底层重掺杂制备轻掺杂晶硅

[发明专利]硅异质结太阳电池及其制备方法-CN201710461478.8在审
发明人：赵晓霞;王恩宇;王伟;田宏波;周永谋;杨瑞鹏;宗军;李洋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：其中，该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层分别形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；合金栅线电极层，合金栅线电极层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上；以及电极保护层，电极保护层形成在合金栅线电极层的表面上。
氢化非晶硅发射极层背场层缓冲层透明导电氧化物层栅线电极硅异质结太阳电池合金电极保护层衬底层轻掺杂重掺杂制备晶硅

[实用新型]硅异质结太阳电池-CN201720707435.9有效
发明人：田宏波;王伟;赵晓霞;王恩宇;宗军;李洋;杨瑞鹏;周永谋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；金属栅线电极层，金属栅线电极层包括：合金过渡层，合金过渡层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层至少一层表面上；含铜导电合金层，含铜导电合金层形成在合金过渡层的表面上。
硅异质结太阳电池

[实用新型]硅异质结太阳电池-CN201720708353.6有效
发明人：赵晓霞;王恩宇;王伟;田宏波;周永谋;杨瑞鹏;宗军;李洋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层分别形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；合金栅线电极层，合金栅线电极层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上；以及电极保护层，电极保护层形成在合金栅线电极层的表面上。
硅异质结太阳电池

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法-CN201510846344.9有效
发明人：李立伟;谷士斌;何延如;张林;张娟;徐湛;杨荣;孟原;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其界面处理的方法，改进了异质结太阳能电池的界面处理方法，在沉积氢化非晶硅n膜层或氢化非晶硅p膜层前，对传送到其沉积腔室的氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理，清除氢化非晶硅i膜层在沉积传送过程中再次产生的沾污，保证氢化非晶硅i膜层膜层与氢化非晶硅p膜层之间的界面以及氢化非晶硅i膜层膜层与氢化非晶硅n膜层之间的界面性能，提高电池性能。
一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法-CN201810780067.X有效
发明人：莫琼花;卓恩宗 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管制备方法，所述方法包括：于基板上依次形成栅极、以及位于所述栅极上的栅极绝缘层；于所述栅极绝缘层上以第一速率淀积第一氢化非晶硅层，所述第一氢化非晶硅层中Si‑H键含量为25％～97％；于所述第一氢化非晶硅层上以第二速率淀积第二氢化非晶硅层，所述第二氢化非晶硅层中Si‑H键含量为45％～99％，所述第二速率大于所述第一速率，所述第二氢化非晶硅层的厚度小于所述第一氢化非晶硅层的厚度。本申请同时采用第一氢化非晶硅层和第二氢化非晶硅层，可降低Si‑H键的总含量，保障生产效率，提高性能也可兼顾产能。
薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]使氢化非晶硅和非晶氢化硅合金稳定化的方法-CN201280035916.X有效
发明人： B·海克麦特朔-塔巴里;M·霍普斯塔肯;朴大奎;D·K·萨达那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：形成光伏器件的半导体材料的方法包括：提供含氢化非晶硅的材料的表面，和将含氢化非晶硅的材料在含氘气氛中退火。将来自含氘气氛的氘穿过含氢化非晶硅的材料的表面引入含氢化非晶硅的材料的晶格中。在一些实施方案中，引入含氢化非晶硅的材料的晶格中的氘提高含氢化非晶硅的材料的稳定性。
氢化非晶硅合金稳定方法

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池-CN201110285753.8无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、P型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、N型氢化微晶硅薄膜、第二透明导电层与金属背电极。
结合氢化氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池

[发明专利]包括柔性基板或硬性基板的光电装置及其制造方法-CN201110067371.8无效
发明人：明承烨 -专利权人：韩国铁钢株式会社
申请日： 2011-03-21 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/0376 文献下载
摘要：当所述p型窗层由氢化非晶氧化硅构成时，所述缓冲层则由氢化非晶碳化硅或氢化非晶氧化硅构成；当所述p型窗层由氢化非晶碳化硅构成时，所述缓冲层则由氢化非晶氧化硅构成。
包括柔性硬性光电装置及其制造方法

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池-CN201110285754.2无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极。
结合氢化氦化硅制作基材薄膜太阳能电池

[发明专利]设置有保护性包封层的锂微电池及其制造方法-CN200480033546.1有效
发明人：斯蒂法妮·罗奇;弗雷德里克·盖拉德;马克·普利桑尼尔;拉斐尔·萨洛特 -专利权人：原子能委员会
申请日： 2004-11-04 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01M10/40 文献下载
摘要：布置在整个阳极(4)上的所述第一层(7)包括相对于锂化学不活泼且选自氢化非晶硅碳化物、氢化非晶硅碳氧化物、氢化非晶碳、氟化非晶碳和氢化非晶硅的至少一种材料。所述第二层(8)包括选自氢化非晶硅碳氮化物、氢化非晶硅氮化物和氟化非晶碳的材料。
设置保护性包封层电池及其制造方法

[发明专利]氢化非晶硅薄膜太阳电池及制备方法-CN200710020383.9有效
发明人：班群 -专利权人：江苏林洋新能源有限公司
申请日： 2007-02-12 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢化非晶硅薄膜太阳电池及制备方法，产品包括在铟锡氧化物透明导电膜玻璃上设有第一层Ag/Cr电极，在铟锡氧化物透明导电膜玻璃上依次设置掺硼的p型氢化非晶硅薄膜、本征的i型氢化非晶硅薄膜、掺磷的n型氢化非晶硅薄膜，第一层Ag/Cr电极穿过掺硼的p型氢化非晶硅薄膜层，并伸入本征的i型氢化非晶硅薄膜中，在掺磷的n型氢化非晶硅薄膜上设置SnO₂透明导电薄膜层，在SnO_{本发明在廉价的衬底上制备pin结构微晶硅薄膜太阳电池，稳定后的器件转换效率衰减不超过初始效率的10％，有效提高了氢化非晶硅薄膜太阳电池的使用稳定性。}
氢化非晶硅薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]涂覆的容器-CN201480061026.5有效
发明人： H·B·朗克蒂;T·明杜克;J·维亚尔德 -专利权人：雀巢产品技术援助有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：具体地讲，本发明涉及涂覆有气体阻隔涂层的聚烯烃容器，所述气体阻隔涂层包括第一氢化非晶氮化硅层和第二氢化非晶碳层。所述氢化非晶氮化硅层可沉积在所述容器上，而所述氢化非晶碳层可沉积在所述氢化非晶氮化硅层上。本发明的另一方面是涂覆聚烯烃容器的方法，所述方法包括通过等离子体增强化学气相沉积法将氢化非晶氮化硅层沉积到聚烯烃容器上，以及通过等离子体增强化学气相沉积法将氢化非晶碳层沉积到所述氢化非晶氮化硅层上的步骤
容器

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