专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构的制造方法-CN201610776415.7有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2016-08-30 - 2021-06-08 - H01L21/8234
  • 一种半导体结构的制造方法,包括:提供衬底以及位于衬底上分立的鳍部;鳍部延伸方向为第一方向,垂直于第一方向的为第二方向;在鳍部之间衬底上形成初始隔离,包括用于实现第一方向鳍部隔离的第一初始隔离;去除部分厚度第一初始隔离形成第一隔离,使第一隔离顶部低于鳍部顶部,在鳍部之间形成沟槽;形成填充满沟槽的第二隔离;在高于鳍部顶部的第二隔离侧壁上形成保护侧壁;去除部分厚度第二初始隔离和第二隔离。本发明在高于鳍部顶部的第二隔离侧壁上形成保护侧壁,去除部分厚度第二隔离时,保护侧壁对第二隔离侧壁起到保护作用,避免第二隔离顶部因横向刻蚀不足而形成凸起缺陷的问题。
  • 半导体结构制造方法
  • [发明专利]功率半导体器件结构的形成方法-CN202211337797.5在审
  • 李昊 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-10-28 - 2023-02-03 - H01L21/283
  • 一种功率半导体器件结构的形成方法,包括:提供衬底,衬底内具有沟槽;在沟槽内形成屏蔽栅结构;采用沉积工艺,在屏蔽栅结构的顶部表面、屏蔽栅结构暴露出的沟槽的侧壁、以及衬底的顶部表面形成初始隔离;在初始隔离表面形成保护层;在形成保护层之后,去除位于衬底顶部表面上的初始隔离、位于沟槽侧壁的部分初始隔离,形成隔离;在隔离上形成控制栅结构,控制栅结构填充满沟槽。由于位于屏蔽栅结构上的隔离的厚度是由沉积的初始隔离的厚度决定,而在沉积工艺中,初始隔离的厚度较容易控制,进而能够使得隔离的厚度能够精准控制,既能够保证隔离隔离效果,同时又能够保证沟道区的长度
  • 功率半导体器件结构形成方法
  • [发明专利]半导体器件的形成方法-CN201610888896.0在审
  • 王彦;常荣耀;张海洋 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2016-10-11 - 2018-04-17 - H01L21/336
  • 一种半导体器件的形成方法,包括提供半导体衬底,半导体衬底上有鳍部,鳍部包括第一区和第二区,第一区和第二区之间有隔离槽;在半导体衬底上形成隔离结构膜,隔离结构膜覆盖鳍部侧壁且填充满隔离槽;在隔离结构膜和鳍部上形成掩膜层,掩膜层中具有目标开口,目标开口暴露出隔离槽中的隔离结构膜表面、以及隔离槽周围的第一区鳍部的部分顶部表面和第二区鳍部的部分顶部表面;在目标开口中形成隔离膜后,去除掩膜层;之后回刻蚀隔离膜和隔离结构膜,使隔离膜形成隔离,使隔离膜周围的隔离结构膜形成隔离结构,隔离顶部表面高于鳍部的顶部表面,隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面。所述方法能提高隔离隔离性能。
  • 半导体器件形成方法
  • [发明专利]HKMG器件及其制造方法-CN202210185193.7在审
  • 陈品翰;陶业卿 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-02-28 - 2022-07-01 - H01L29/78
  • 本发明提供一种HKMG器件及其制造方法,衬底上形成有侧墙,侧墙内形成有自下而上叠加的氧化层、高K介质层、第一底部隔离,侧墙外形成有层间介质层;第一底部隔离一侧上表面形成有依次叠加U形的第二底部隔离、第一功函数金属层、第一顶部隔离,第一顶部隔离内形成有第一金属栅层;第一底部隔离另一侧上表面形成有依次叠加U形的第三底部隔离、第二功函数金属层、第二顶部隔离,第二顶部隔离内形成有第二金属栅层;其中第二底部隔离与第三底部隔离的侧壁间相贴合。发明利用底部隔离阻挡N功函数金属层扩散往P型组件,阻挡P功函数金属层扩散往N型组件,有效改善降低金属栅极边界影响。
  • hkmg器件及其制造方法
  • [实用新型]一种用于实验室危化品闭环管理的RFID标签-CN201922460016.1有效
  • 曹玉龙 - 兴化市玉龙包装印刷有限公司
  • 2019-12-30 - 2020-06-05 - G06K19/077
  • 本实用新型公开了一种用于实验室危化品闭环管理的RFID标签,涉及到标签领域,包括标签本体,隔离一标签本体包括基层、粘贴层一、天线基层、隔离一、RFID芯片和保护层,隔离一基层的底部设置有安装槽一,隔离一粘贴层一固定安装在隔离一安装槽一的内侧壁上,隔离一基层的顶部设置有安装槽二,隔离一天线基层固定安装在隔离一安装槽二的内侧壁上,隔离一天线基层的顶部设置有安装槽三,隔离隔离一固定安装在隔离一安装槽三的内侧壁上,隔离隔离一内设置有内腔一,该一种用于实验室危化品闭环管理的RFID标签,便于使用,功能多样,具有良好的发展前景。
  • 一种用于实验室危化品闭环管理rfid标签
  • [实用新型]一种带抽头的双面胶带-CN202122301912.0有效
  • 沈治全 - 重庆彦辰新材料科技有限公司
  • 2021-09-23 - 2022-03-04 - C09J7/29
  • 本实用新型涉及双面胶带技术领域,具体为一种带抽头的双面胶带,包括主粘接层,所述主粘接层的顶部固定连接有第一隔离,所述第一隔离顶部固定连接有第二隔离,所述第一隔离的一侧固定连接有连接抽头,本实用新型通过设有的第一隔离、第二隔离、连接抽头、连接块和隔离抽头,便于在使用过程中,将连接抽头和隔离抽头向上进行翻转,同时将隔离抽头与连接抽头之间进行分离,将隔离抽头带动连接块进行移动,从而带动第二隔离撕开,并且将连接抽头拉动带动第一隔离进行移动,从而撕开,并且将第一隔离进行收卷,方便进行回收,防止第一隔离散落一地,不方便进行清理。
  • 一种抽头双面胶带
  • [发明专利]提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法-CN201210112494.3有效
  • 杨涛;赵超;李俊峰;侯瑞兵;卢一泓;崔虎山 - 中国科学院微电子研究所
  • 2012-04-16 - 2013-10-30 - H01L21/3105
  • 本发明提供了一种提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法,包括以下步骤:在衬底上形成特征;在特征之间形成第一介质隔离;平坦化第一介质隔离,直至暴露特征,使得特征之间的第一介质隔离具有凹陷深度;在特征以及介质隔离上形成第二介质隔离,降低特征之间与特征顶部第二介质隔离的高度差;平坦化第二介质隔离,直至暴露特征。依照本发明的提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法,在研磨特征顶部的介质隔离之后再次形成介质隔离,使得特征之间与特征顶部介质层高度差有效降低,并补偿了特征的凹陷,有效提高了晶圆芯片内部的均匀性。
  • 提高化学机械平坦化工均匀方法
  • [实用新型]一种能耐高温的隔离装置-CN202022081762.2有效
  • 盛国峰 - 杭州朝丽科技有限公司
  • 2020-09-21 - 2021-07-06 - B65D6/24
  • 本实用新型公开了一种能耐高温的隔离装置,属于隔离设备技术领域。一种能耐高温的隔离装置,包括外壳和保温防护层,所述外壳内壁与保温防护层外壁固定连接,所述保温防护层内壁卡接有第一隔离,所述第一隔离内壁卡接有第二隔离,所述第二隔离内壁卡接有第三隔离,所述保温防护层内壁顶部和底部均设有第一凸条,所述第一隔离外壁顶部与底部均设有第一凹槽,所述第一凸条与第一凹槽相适配,所述第一隔离内壁顶部与底部均设有第三凸条。本实用新型通过使用卡接结构,能够更快速的实现隔离装置的拆卸与安装,有利于在不同的场合使用隔离装置,通过使用多层不同材质的隔离材料,使隔离更加彻底。
  • 一种能耐高温隔离装置
  • [发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202210082266.X在审
  • 赵文礼;白杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-24 - 2022-04-26 - H01L21/762
  • 本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法,所述制备方法包括:提供衬底,所述衬底包括凹槽结构;在所述凹槽结构的底部与侧壁上依次形成第一隔离、第二隔离和第三隔离,其中,所述第一隔离的上表面低于所述第二隔离和所述衬底的上表面从而构成边沟;刻蚀所述第三隔离,使得所述第三隔离的上表面低于所述第二隔离的上表面,从而使所述第二隔离顶部突出于第一隔离和第三隔离以形成凸起结构;刻蚀所述第二隔离,以去除所述凸起结构。
  • 一种半导体结构及其制备方法

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