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- [发明专利]功率半导体器件结构的形成方法-CN202211337797.5在审
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李昊
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2022-10-28
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2023-02-03
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H01L21/283
- 一种功率半导体器件结构的形成方法,包括:提供衬底,衬底内具有沟槽;在沟槽内形成屏蔽栅结构;采用沉积工艺,在屏蔽栅结构的顶部表面、屏蔽栅结构暴露出的沟槽的侧壁、以及衬底的顶部表面形成初始隔离层;在初始隔离层表面形成保护层;在形成保护层之后,去除位于衬底顶部表面上的初始隔离层、位于沟槽侧壁的部分初始隔离层,形成隔离层;在隔离层上形成控制栅结构,控制栅结构填充满沟槽。由于位于屏蔽栅结构上的隔离层的厚度是由沉积的初始隔离层的厚度决定,而在沉积工艺中,初始隔离层的厚度较容易控制,进而能够使得隔离层的厚度能够精准控制,既能够保证隔离层的隔离效果,同时又能够保证沟道区的长度
- 功率半导体器件结构形成方法
- [发明专利]HKMG器件及其制造方法-CN202210185193.7在审
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陈品翰;陶业卿
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-02-28
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2022-07-01
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H01L29/78
- 本发明提供一种HKMG器件及其制造方法,衬底上形成有侧墙,侧墙内形成有自下而上叠加的氧化层、高K介质层、第一底部隔离层,侧墙外形成有层间介质层;第一底部隔离层一侧上表面形成有依次叠加U形的第二底部隔离层、第一功函数金属层、第一顶部隔离层,第一顶部隔离层内形成有第一金属栅层;第一底部隔离层另一侧上表面形成有依次叠加U形的第三底部隔离层、第二功函数金属层、第二顶部隔离层,第二顶部隔离层内形成有第二金属栅层;其中第二底部隔离层与第三底部隔离层的侧壁间相贴合。发明利用底部隔离层阻挡N功函数金属层扩散往P型组件,阻挡P功函数金属层扩散往N型组件,有效改善降低金属栅极边界影响。
- hkmg器件及其制造方法
- [实用新型]一种带抽头的双面胶带-CN202122301912.0有效
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沈治全
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重庆彦辰新材料科技有限公司
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2021-09-23
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2022-03-04
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C09J7/29
- 本实用新型涉及双面胶带技术领域,具体为一种带抽头的双面胶带,包括主粘接层,所述主粘接层的顶部固定连接有第一隔离层,所述第一隔离层的顶部固定连接有第二隔离层,所述第一隔离层的一侧固定连接有连接抽头,本实用新型通过设有的第一隔离层、第二隔离层、连接抽头、连接块和隔离抽头,便于在使用过程中,将连接抽头和隔离抽头向上进行翻转,同时将隔离抽头与连接抽头之间进行分离,将隔离抽头带动连接块进行移动,从而带动第二隔离层撕开,并且将连接抽头拉动带动第一隔离层进行移动,从而撕开,并且将第一隔离层进行收卷,方便进行回收,防止第一隔离层散落一地,不方便进行清理。
- 一种抽头双面胶带
- [实用新型]一种能耐高温的隔离装置-CN202022081762.2有效
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盛国峰
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杭州朝丽科技有限公司
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2020-09-21
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2021-07-06
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B65D6/24
- 本实用新型公开了一种能耐高温的隔离装置,属于隔离设备技术领域。一种能耐高温的隔离装置,包括外壳和保温防护层,所述外壳内壁与保温防护层外壁固定连接,所述保温防护层内壁卡接有第一隔离层,所述第一隔离层内壁卡接有第二隔离层,所述第二隔离层内壁卡接有第三隔离层,所述保温防护层内壁顶部和底部均设有第一凸条,所述第一隔离层外壁顶部与底部均设有第一凹槽,所述第一凸条与第一凹槽相适配,所述第一隔离层内壁顶部与底部均设有第三凸条。本实用新型通过使用卡接结构,能够更快速的实现隔离装置的拆卸与安装,有利于在不同的场合使用隔离装置,通过使用多层不同材质的隔离材料,使隔离更加彻底。
- 一种能耐高温隔离装置
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