专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种IGCT的栅极驱动装置和电器设备-CN202020407130.8有效
  • 贺小林;宋政璋;伍玉行;杨帆;黄伟;林浩贤 - 珠海格力电器股份有限公司
  • 2020-03-26 - 2020-10-09 - H03K17/06
  • 本实用新型公开了一种IGCT的栅极驱动装置和电器设备,该装置包括:检测单元,检测IGCT的电流,并在检测到的IGCT的电流达到IGCT的设定开通电流的情况下,生成IGCT的开通信号;控制单元,根据IGCT的开通信号,控制IGCT开通;检测单元,还在继续检测到的IGCT的电流小于IGCT的设定开通维持电流的情况下,生成IGCT的开通维持信号;控制单元,还根据IGCT的开通维持信号,调节IGCT的电流以维持IGCT继续开通。该方案,可以解决IGCT导通后若电流小于维持电流则会产生误关断的问题,达到避免IGCT导通后由于电流小于维持电流而误关断的效果。
  • 一种igct栅极驱动装置电器设备
  • [发明专利]一种驱动电路-CN202111176848.6在审
  • 张军明;王勋;何杨;罗成;刘勇 - 伊顿智能动力有限公司
  • 2021-10-09 - 2023-04-14 - H03K17/082
  • 提供一种驱动电路,包括:n个并联的开关器件,并且选择n个开关器件中的一个作为基准开关器件,其中,n为大于1的整数;n个电流变化率采样电路,分别用于采样n个开关器件的电流变化率;n‑1个注入电流源,分别连接在除基准开关器件之外的n‑1个开关器件的和源之间,用于向开关器件的注入电流;n‑1个抽取电流源,分别连接在除基准开关器件之外的n‑1个开关器件的和源之间,用于从开关器件的抽取电流;将n‑1个开关器件的电流变化率分别与基准开关器件的电流变化率相比较,并根据比较结果从n‑1个开关器件的抽取或注入电流,以使得n‑1个开关器件的电流变化率与基准开关器件的电流变化率相一致。
  • 一种驱动电路
  • [发明专利]集成换流晶闸管驱动及续流回路的参数提取方法-CN201610959929.6有效
  • 王佳蕊;孔力;周亚星 - 中国科学院电工研究所
  • 2016-11-03 - 2019-12-20 - G06F17/50
  • 一种集成换流晶闸管驱动及续流回路的参数提取方法,步骤为:1、分析集成换流晶闸管驱动电路及续流回路运行特性,提出集成换流晶闸管关断暂态续流过程等效电路;2、根据步骤1得到的等效电路推导集成电流晶闸管在不同状态时端电压的表达式;3、进行集成换流晶闸管单管测试实验,借助特定箝位电压与关断电流时集成换流晶闸管关断暂态过程集成换流晶闸管及续流回路各电气量实验结果,提出集成换流晶闸管驱动关断电路及续流回路的参数提取方法;4、针对集成换流晶闸管进行不同电压等级及关断电流实验,通过对不同实验结果的处理,确定集成换流晶闸管驱动关断电路及续流回路的参数值。
  • 用于集成换流晶闸管驱动断电回路参数提取方法
  • [发明专利]一种集成换流晶闸管-CN201710131429.8有效
  • 唐龙谷;刘可安;陈芳林;陈勇民;郭润庆;高建宁 - 株洲中车时代电气股份有限公司
  • 2017-03-07 - 2020-04-21 - H01L29/417
  • 本发明公开了一种集成换流晶闸管,包括电极和多个环绕电极设置的阴极梳条结构,阴极梳条结构包括至少两层台阶的阴极结,阴极结的最低层台阶设置在阴极梳条结构的P区内,最低层台阶的宽度随着与门电极的间距增加而减少所述集成换流晶闸管,通过在阴极梳条结构设置至少两层台阶的阴极结,阴极结的最低层台阶设置在阴极梳条结构的P区内形成深台阶,并且最低层台阶的宽度随着与门电极的间距增加而减少,使得稳态时电流密度分布满足离电极越近电流密度越大,关断时电流快速从距离电极近的梳条抽取出去,减少关断延迟转移到边缘梳条的电流,避免了关断过程中损耗集中于边缘梳条,提高了可靠性。
  • 一种集成换流晶闸管
  • [发明专利]一种用于测试电流的功率半导体器件-CN202010783194.2有效
  • 赵彪;周文鹏;曾嵘;余占清;陈政宇;刘佳鹏 - 清华大学
  • 2020-08-06 - 2021-08-31 - G01R19/00
  • 本发明公开了一种用于测试电流的功率半导体器件,包括功率半导体芯片和管壳,所述功率半导体芯片包括多个第一绝缘层和多个子环形电极,所述第一绝缘层将功率半导体芯片的公共金属区分割为多个子公共金属区,所述多个子公共金属区分别与多个子环形电极一一对应连接;所述管壳包括多个子接触环和多个子绝缘座内金属环,并均与所述多个子环形电极一一对应设置;所述管壳槽外侧的阴极铜块上设置有多个方形槽,所述多个方形槽中均设置有门引出条,以分别引出相应子环形电极上的电流。上述功率半导体器件能够有效地引出对功率半导体芯片内部不同阴极条形区域的电流,从而达到测量的目的。
  • 一种用于测试电流功率半导体器件
  • [实用新型]一种用于测试电流的功率半导体器件-CN202021616431.8有效
  • 赵彪;周文鹏;曾嵘;余占清;陈政宇;刘佳鹏 - 清华大学
  • 2020-08-06 - 2021-05-11 - G01R19/00
  • 本实用新型公开了一种用于测试电流的功率半导体器件,包括功率半导体芯片和管壳,所述功率半导体芯片包括多个第一绝缘层和多个子环形电极,所述第一绝缘层将功率半导体芯片的公共金属区分割为多个子公共金属区,所述多个子公共金属区分别与多个子环形电极一一对应连接;所述管壳包括多个子接触环和多个子绝缘座内金属环,并均与所述多个子环形电极一一对应设置;所述管壳槽外侧的阴极铜块上设置有多个方形槽,所述多个方形槽中均设置有门引出条,以分别引出相应子环形电极上的电流。上述功率半导体器件能够有效地引出对功率半导体芯片内部不同阴极条形区域的电流,从而达到测量的目的。
  • 一种用于测试电流功率半导体器件
  • [发明专利]主动控制电路、方法及SiC MOSFET主动控制系统-CN202080002583.5有效
  • 耿程飞;王国建;吴轩钦;周志达 - 深圳市英威腾电气股份有限公司
  • 2020-10-30 - 2022-08-23 - H02M1/08
  • 一种主动控制电路、方法及SiC MOSFET主动控制系统,包括可编程模块、电位计模块、4选1模拟开关和电流调控电路;可编程模块的输出端与半导体开关器件的连接,电位计模块的输入端连接电源电压端,电位计模块的输出端与4选1模拟开关的输入端连接,可编程模块的控制端与4选1模拟开关的受控端连接,4选1模拟开关的输出端与门电流调控电路的输入端连接,电流调控电路的输出端与半导体开关器件的连接通过可编程模块、电位计模块、4选1模拟开关和电流调控电路的控制,配置为对半导体开关器件进行开通暂态调控、关断暂态调控、软关断调控;降低主动控制电路的硬件成本、调试复杂度,同时提升了控制灵活性、可靠性
  • 主动控制电路方法sicmosfet控制系统
  • [发明专利]非易失性存储器-CN02141863.2无效
  • 林庆源 - 力旺电子股份有限公司
  • 2002-08-27 - 2004-03-03 - G11C16/06
  • 所述存储单元连接于所述位线,用来输出一对应于存储数据的存储单元电流,而所述参考单元连接于所述参考位线,用来输出一参考电流。所述参考单元包含有一控制,以及一浮动,而所述浮动电连接于所述控制用来使所述控制与所述浮动均趋近同一电压电平。所述检测放大电路则连接于所述位线与所述参考位线,用来检测所述存储单元电流与所述参考单元电流之间的差值以决定存储于所述存储单元的数据。
  • 非易失性存储器

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