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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]键形成-CN201310067627.4有效
发明人： D.O.惠特三世;T.C.肖;C.H.斯托姆博斯;J.L.佩利;M.D.米克尔森;J.A.伊施哈拉;H.王;K.阿加德;R.格雷内;R.华拉 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G06F3/02 文献下载
摘要：描述键形成技术。在一种或多种实现方式中，输入设备包括键组件，其包括可用来针对计算设备启动各自输入的多个键；连接部份，其被配置来可移除地、物理且通信地连接到计算设备，以传送由多个键生成的信号到计算设备；以及外层，其被配置来覆盖键组件的多个键，外层具有在其上面浮雕的指示各自所述键的一个或多个边界的多个区域。
形成

[发明专利]键座、键板以及键座形成方法-CN200680052512.6无效
发明人：吉田实;镰田义隆 -专利权人：三箭有限公司
申请日： 2006-08-23 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01H13/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供可以薄型化的键座、键板以及键座形成方法。本发明的键座(1)具备具有柔软性的膜片(1a)和分别设置在期望的位置的多个压件(1b)。压件(1b)在膜片(1a)的背面使用非加热固化型材料与上述膜片(1a)一体化地形成。具有柔软性的膜片(1a)是例如利用厚度0.05mm左右的热可塑性的聚氨酯膜来实现的。
键座以及形成方法

[发明专利]碳-碳键形成方法-CN202080035833.5在审
发明人：中村慎司;高田仁;佐治木弘尚;泽间善成;山田强 -专利权人：奥加诺株式会社
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C07B37/04 文献下载
摘要：一种碳‑碳键形成方法，其中，通过将铂族金属负载催化剂填充于填充容器，以连续流通式将原料液通液至铂族金属负载催化剂，从而进行反应，该铂族金属负载催化剂是在非颗粒状有机多孔离子交换体中负载有平均粒径1～100nm根据本发明，提供一种用于形成碳‑碳键而得到期望的化合物的碳‑碳键的形成方法，其目标生成物的选择性高。另外，能够提供一种用于形成碳‑碳键而得到目标生成物的碳‑碳键的形成方法，其反应时间短且收率高。
形成方法

[发明专利]键形成酶的活性测定-CN201580068541.0有效
发明人： M·伯尼茨-杜拉特;E·科佩茨基;P·克拉奇;M·沙特 -专利权人：豪夫迈·罗氏有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C12Q1/37 文献下载
摘要：本文报道了用于检测样品中分选酶的方法，其包括以下步骤：a)将样品与包含固定标签的第一底物和包含可检测标记的第二底物孵育，由此在样品中分选酶的存在下，形成包含固定标签和可检测标记的缀合物，b)通过/使用固定标签将步骤
形成活性测定

[发明专利]键合装置、键合装置的形成方法及键合方法-CN202310693688.5在审
发明人：骆中伟;蓝天;华文宇 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种键合装置、键合装置的形成方法及键合方法，其中键合装置用于键合芯片和第一晶圆，所述第一晶圆包括若干芯片区，且各芯片区内具有待键合区，所述键合装置包括：衬底晶圆，所述衬底晶圆包括若干单元格区，当所述第一晶圆与所述衬底晶圆表面相贴合时各所述单元格区与各所述芯片区重合；位于所述衬底晶圆表面的辅助层，各单元格区上的所述辅助层内具有凹槽，所述凹槽底部暴露出所述衬底晶圆表面，所述凹槽用于容纳所述芯片，所述凹槽相对其所在的单元格区的位置与所述待键合区相对所述芯片区的位置一致，降低了若干所述芯片与第一晶圆之间的对准难度，有利于提高对准精度，提高键合获取的结构性能。
装置形成方法

[发明专利]键合结构及其形成方法-CN201310697669.6在审
发明人：王晓东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种键合结构及其形成方法，所述键合结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括介质层和位于所述介质层内的金属互连线，并且所述金属互连线的表面与介质层表面齐平；在所述基底表面形成焊垫金属层，所述焊垫金属层包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于金属互连线上方，第二区域位于所述金属互连线一侧的介质层上方，且第一区域和第二区域连接；在所述焊垫金属层的第二区域内形成凹槽，所述凹槽的深度小于焊垫金属层的厚度。上述方法可以提高键合结构的可靠性。
结构及其形成方法

[发明专利]测试键结构及其形成方法-CN201310542821.3在审
发明人：陈建奇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种测试键结构，包括：第一浮栅，第二浮栅、浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构表面的氧化物—氮化硅—氧化物膜，位于所述氧化物—氮化硅—氧化物膜表面的控制栅，在所述测试键结构中，氧化物—氮化硅—氧化物膜覆盖于所述浮栅上表面
测试结构及其形成方法

[发明专利]键合结构及其形成方法-CN202111600312.2在审
发明人：范鲁明;刘毅华;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合结构及其形成方法，所述键合结构的形成方法包括：提供第一基底，所述第一基底内形成有电接触部，所述第一基底具有相对的第一表面和第二表面，所述电接触部表面与所述第一基底的第一表面齐平；提供第二基底，所述第二基底具有相对的第一表面和第二表面，其中所述第二基底的第一表面形成有单晶硅层和键合介质层，所述键合介质层形成于所述单晶硅层表面；将所述第二基底通过所述键合介质层与所述第一基底的第一表面键合；所述第二基底与所述第一基底键合之后，从所述第二基底的第二表面减薄所述第二基底，暴露出所述单晶硅层表面；在所述单晶硅层表面形成半导体器件。所述键合结构的键合质量得到提高。
结构及其形成方法

[发明专利]铜球键合界面结构和形成-CN201410696435.4有效
发明人：图-昂·N·德兰;约翰·G·阿瑟;区彦敬;李巨钟;熊正德;宋美江;叶嘉琳;马修·J·萨皮科 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了铜球键合界面结构和形成。提供了具有铜球(32)的集成电路铜引线键合连接，铜球(32)直接键合到形成于低‑k介电层(30)上的铝键合盘(31)以形成所述铜球的键合界面结构，其特征在于用于提供热循环可靠性的第一多个几何特征，包括位于所述铜球下面的外围位置(42)以防止铝键合盘中裂纹形成或扩展的铝最小值特征(Z1、Z2)。
铜球键合界面结构形成

[发明专利]键合结构及其形成方法-CN201410199435.3有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请公开了一种键合结构及其形成方法，该键合结构包括：键合层，键合层包括键合金属和晶粒细化材料，晶粒细化材料用于细化键合金属的晶粒。本申请为了解决现有技术中的键合层的机械强度较差的问题，使键合层包括键合金属和用于细化键合金属晶粒的晶粒细化材料，这样，便可以使键合金属的晶粒细化，进而可以提高键合层的机械强度，使得键合层的结构更加稳固，有效地避免了出现键合结构的键合层容易松动、脱落的问题。
结构及其形成方法

[发明专利]形成电极键合结构的方法-CN201310495708.4有效
发明人：丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成电极键合结构的方法，依次包括如下步骤：（1）在发光二极管上形成平坦电极；（2）在平坦电极上蒸镀金属材料层，对该金属材料层进行图案化以形成第一金属电极和第三金属电极；（3）在第一金属电极和第三金属电极之间蒸镀金以形成第二金属电极；（4）将键合金丝至于第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极上，通过键合压块将键合金丝压合到第一、第二和第三金属电极上，完成电极键合结构。
形成电极结构方法

[发明专利]键合结构及其形成方法-CN201910116433.6有效
发明人：范鲁明;刘毅华;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合结构及其形成方法，所述键合结构的形成方法包括：提供第一基底，所述第一基底内形成有电接触部，所述第一基底具有相对的第一表面和第二表面，所述电接触部表面与所述第一基底的第一表面齐平；提供第二基底，所述第二基底的一侧表面形成有键合介质层；将所述第二基底通过所述键合介质层与所述第一基底的第一表面键合；在所述第二基底的另一侧表面形成半导体器件。所述键合结构的键合质量得到提高。
结构及其形成方法

[发明专利]键合结构及其形成方法-CN201910002425.9有效
发明人：王先彬;肖莉红;李涌伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合结构及其形成方法，包括：提供两个基底，每个基底均包括介质层和形成于所述介质层内的暴露顶部表面的金属互连部；在两个基底相对键合位置处的金属互连部表面形成阻挡层，且当两个基底相对键合位置处均设置有金属互连部时，至少在其中较大尺寸的金属互连部的顶部表面形成阻挡层，所述阻挡层为导电材料且能够阻挡金属原子的扩散；将所述两个基底的表面相对键合，所述阻挡层位于两个基底的金属互连部之间。所述阻挡层能够阻挡金属互连部内的金属原子向邻近介质层的扩散，避免金属原子扩散引起器件的电学性能下降和可靠性变差，提高键合器件的可靠性。
结构及其形成方法

[发明专利]键合结构的形成方法-CN201910116443.X有效
发明人：范鲁明;刘毅华;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合结构的形成方法，包括：提供第一基底，所述第一基底内形成有电接触部，所述第一基底具有相对的第一表面和第二表面，所述电接触部表面与所述第一基底的第一表面齐平，所述第一基底表面通过一键合介质层键合有一第二基底，所述第二基底与键合面相对的另一侧表面形成有半导体器件以及覆盖所述半导体器件和第二基底表面的层间介质层；形成贯穿所述层间介质层、所述第二基底和所述键合介质层的贯穿接触部，所述贯穿接触部与所述电接触部电连接
结构形成方法

[发明专利]形成键合焊盘的方法和键合焊盘-CN201510798841.6在审
发明人： M.霍伊尔;P.舍尔;M.施尼冈斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及形成键合焊盘的方法和键合焊盘。各种实施例提供形成键合焊盘的方法，其中所述方法包括提供原键合焊盘，并且在原键合焊盘的接触表面处形成下凹结构，其中所述下凹结构包括关于接触表面倾斜的侧壁。
形成键合焊盘方法

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