专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种制备锂晶片的方法-CN201310481244.1无效
  • 刘子骥;梁志清;郑兴;黎威志;于云飞;谢佳林;李宁亮 - 电子科技大学
  • 2013-10-15 - 2014-02-26 - C30B33/10
  • 本发明实施例公开了一种制备锂晶片的方法,包括:获取锂基片;清洗锂基片;将锂基片置于腐蚀溶液中,并且在锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液,使锂基片在腐蚀溶液中腐蚀第一时间,获得锂晶片;清洗并干燥锂晶片。本发明的实施例的方法中,对锂基片进行腐蚀时,在锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液,通过对该加热位置的控制,实现了对锂基片表面的温度分布的控制,进而控制了腐蚀速率,从而可以控制腐蚀后的表面粗糙度和均匀性该方法制备的锂晶片的表面均匀性好,表面粗糙度小,并且背侵、背花等问题得到改善。
  • 一种制备钽酸锂晶片方法
  • [发明专利]一种氧化铌和氧化的制备方法-CN202110995803.5在审
  • 石波;李石凤;邓朝勇;李超;李斌;梁原 - 稀美资源(广东)有限公司
  • 2021-08-27 - 2021-12-17 - C01G35/00
  • 一种氧化铌或氧化的制备方法,涉及铌湿法冶炼领域;用铌液(氟铌或氟氧铌溶液)或液(氟溶液)与硼酸反应得到铌;过滤铌后的母液用于制备氟硼酸钾;与铌行业用氨中和铌液或液制备氢氧化铌或氢氧化的传统方法相比,不产生含氟含氨废水,实现清洁化生产,同时得到锑、铜等杂质元素含量低的高纯度氧化铌或氧化产品。本发明采用全新的方法制备氧化铌或氧化,解决了传统铌湿法冶炼产生大量含氟含氨碱性废水及铌氧化物产品中杂质元素锑难分离的问题,同时得到高纯度的氧化铌或氧化产品,并进一步制取氟硼酸钾实现氟资源的回收。
  • 一种氧化制备方法
  • [发明专利]一种锂晶片的抛光方法-CN201710880312.X有效
  • 沈浩;顾鑫怡;徐秋峰;归欢焕;丁孙杰 - 天通控股股份有限公司
  • 2017-09-26 - 2019-03-22 - B24B1/00
  • 本发明公开了一种锂晶片的抛光方法,包括如下步骤:a)将切割后的锂晶片,用粒度为5~20um的磨料研磨,获得表面具有粗糙结构的锂研磨片;b)将锂研磨片在盛有硝酸和氢氟酸混合的密闭容器中直接进行化学腐蚀,使锂晶片的粗糙度<200nm,平坦度<5um,获得表面随机无序凹坑结构的锂腐蚀片;c)将锂腐蚀片用单抛机和抛光液进行单面抛光,抛光压力为0.005~1MPa,使锂晶片的粗糙度<0.5nm,平坦度<3um,获得锂单抛片。本发明一次抛光,批量生产,抛光效率高,生产的锂晶片表面平坦度高,这一特征决定了锂晶片在器件应用中不易破碎,材料利用率高,加工成品率高。
  • 一种钽酸锂基片抛光方法
  • [发明专利]一种铌矿清洁转化方法-CN200310100023.1无效
  • 周宏明;郑诗礼;张懿 - 中国科学院过程工程研究所
  • 2003-10-08 - 2005-04-13 - C22B3/12
  • 本发明涉及一种铌矿清洁转化方法,该方法包括KOH亚熔盐分解铌矿,分解产物经稀释分离得到高浓KOH碱液和含(铌)钾的固相,经热水浸出分离得到六(铌)钾溶液和含不溶性偏(铌)钾的铁锰渣沉淀。六(铌)钾溶液经调碱结晶得到六(铌)钾结晶和结晶母液,结晶母液返回亚熔盐分解步骤,偏(铌)钾和铁锰渣经HCl分解沉淀出偏(铌)钾结晶。本方法与现有的高浓高毒性HF(>60%)分解法相比,能实现从源头削减F的污染,并使难分解铌矿的分解率提高15%以上,达到接近100%的矿石分解率,具有良好的经济效益和环境效益,并可制得(铌)钾,作为制备系列、铌产品的中间体。
  • 一种钽铌矿清洁转化方法
  • [发明专利]一种硅基锂压电单晶薄膜衬底的制备方法-CN202010645103.9有效
  • 欧欣;鄢有泉 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2020-07-07 - 2021-10-19 - H01L41/253
  • 本发明涉及材料制备技术领域,特别涉及一种硅基锂压电单晶薄膜衬底的制备方法,包括:获取锂单晶晶圆片;在所述锂单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层,对所述热膨胀抑制层和所述锂单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构,在所述锂单晶晶圆片内形成离子注入损伤层;本申请实施例所述的硅基锂压电单晶薄膜衬底的制备方法,在对锂单晶晶圆片离子注入前先在其表面制作一层热膨胀抑制层,热膨胀抑制层在离子注入的过程中能够抑制锂的各向异性热膨胀形变,减小锂的弯曲幅度,提高离子注入的深度均匀性,并最终提高剥离的锂单晶薄膜的厚度均匀性。
  • 一种硅基钽酸锂压电薄膜衬底制备方法
  • [发明专利]一种动态结晶方式生产氟钾的方法-CN202311011830.X在审
  • 杨博;刘小敏;张洋 - 稀美资源(广东)有限公司
  • 2023-08-11 - 2023-10-27 - C01G35/00
  • 本发明属于氟钾生产技术领域,涉及一种动态结晶方式生产氟钾的方法。把氟溶液放入动态结晶转化槽,搅拌加热至沸腾;添加HF溶液和KCl溶液;继续加热至沸腾,待溶液清亮后停止加热,自然冷却0‑8h,强制冷却,从溶液清亮停止加热时计时至36‑48h结束,停止搅拌。本发明方法能生产出符合电容器级粉要求的氟钾,降低细粉率,氟钾颗粒更均匀,夹带母液较少,洗涤容易,生产的氟钾的纯度较高,动态结晶法生产的氟钾晶体内位错少,表面能低,形成晶簇会夹带杂质大幅减少,形貌均匀,这些因素会导致粉的物理特性、电化学特性较稳定;动态结晶的氟钾较稳定,不容易分解,纯度较高。
  • 一种动态结晶方式生产氟钽酸钾方法
  • [发明专利]高纯氟钾的制备方法-CN201810786881.2有效
  • 鲁东;焦红忠;郑培生;张伟宁;颉维平;闫青虎;聂全兴 - 宁夏东方钽业股份有限公司
  • 2018-07-18 - 2021-01-15 - C01G35/00
  • 本发明涉及一种高纯氟钾的制备方法。其特点是,包括如下步骤:(1)分解:将铌矿物加入至氢氟酸和硫酸中分解;(2)矿浆萃取:利用MIBK溶剂或者仲辛醇溶剂进行逆流萃取,将氟铌和氟萃取至溶剂中;(3)酸洗:采用硫酸溶液逆流与步骤(2)萃取后得到的溶剂接触;(4)反铌提:利用硫酸溶液与得到的溶剂在萃取槽逆流萃取,提取氟铌至水相中,形成氟铌水溶液;(5)反:将剩余有机溶液在另一个萃取槽中,利用纯水将氟有机溶液反萃取至纯水中,形成氟水溶液;(6)合成:(7)冷却结晶。本发明提供了一种分段反萃取和分段结晶方法制备出高纯度氟钾的方法,可以有效去除氟钾中的杂质。
  • 高纯氟钽酸钾制备方法

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