专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]封装结构及封装方法-CN201210041079.3有效
  • 王之奇;王宥军;俞国庆;王琦;喻琼;王蔚 - 苏州晶方半导体科技股份有限公司
  • 2012-02-22 - 2012-07-18 - H01L21/603
  • 一种封装结构及封装方法,其中,封装方法包括:提供待封装衬底,所述待封装衬底表面具有焊垫,焊垫表面具有;在所述待封装衬底表面形成覆盖所述的异向导电胶层;提供PCB板,所述PCB板具有突出PCB板表面的电极,所述电极位置与位置对应;将PCB板与待封装衬底压合,使得所述电极与所述位置正对并且PCB板表面与异向导电胶层表面接触,其中,位于所述与所述电极间的异向导电胶层受到垂直所述封装衬底表面的压力本发明实施例的封装方法工艺简便,本发明实施例的封装结构封装质量高。
  • 封装结构方法
  • [发明专利]工艺-CN201110423999.7有效
  • 郭志明;戴华安;林政帆;邱奕钏;谢永伟 - 颀邦科技股份有限公司
  • 2011-12-13 - 2013-06-19 - H01L21/60
  • 本发明是有关于一种工艺,其包含提供一硅基板;形成一含钛金属层在该硅基板,且该含钛金属层是具有多个第一区及多个第二区;形成一光阻层在该含钛金属层;图案化该光阻层以形成多个开槽,所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区;形成多个铜在所述开槽;进行一加热步骤;形成多个隔离层在所述铜;形成多个接合层在所述隔离层;移除该光阻层;以及移除该含钛金属层的所述第二区,并使各该第一区形成为一下金属层。
  • 工艺
  • [发明专利]制程-CN200810095842.4有效
  • 余瑞益;戴丰成 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2008-04-30 - 2008-09-17 - H01L21/60
  • 本发明提供一种制程,是提供一晶片,该晶片具有一主动表面且该主动表面上具有至少一接垫,再覆盖一保护层于晶片的主动表面上,并裸露出接垫,接着形成一下金属层于接垫上,再配置一胶膜于保护层上,并覆盖下金属层接着对胶膜进行选择性的曝光,使得位于下金属层上方的胶膜受到曝光,并移除胶膜的曝光部分,使得下金属层裸露。分布一锡膏于下金属层上,并移除晶片上剩余的胶膜,再借助回焊制程使锡膏形成一金属
  • 凸块制程
  • [发明专利]制程-CN200610064835.9有效
  • 王俊恒 - 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
  • 2006-03-14 - 2007-09-19 - G03F7/20
  • 一种制程包括下列步骤。首先提供一具有多个接点的本体。然后形成具有多个第一开口的一保护层于本体上,其中这些第一开口暴露出本体的多个接点。接着于保护层与这些接点上形成一球底金属层。然后对应这些接点而形成多个于第二开口内,其中这些的远离保护层的表面低于图案化光阻层远离保护层的表面。接着对这些进行蚀刻,以平坦化这些的表面。然后移除图案化光阻层以及移除球底金属层的不为这些所覆盖的部份。
  • 凸块制程
  • [发明专利]复合-CN200510135282.7无效
  • 林基正;林耀生;张世明;陆苏财;郑仙志;陈泰宏 - 财团法人工业技术研究院
  • 2005-12-29 - 2007-07-04 - H01L23/48
  • 本发明提出一种复合,其适于设置在基板的焊垫上。此复合主要包括弹性主体以及外导电层,其中弹性主体的热膨胀系数介于5ppm/℃与200ppm/℃之间,而外导电层覆盖弹性主体,并与焊垫电连接。复合内的弹性主体可在接合时提供应力缓冲的效果,且由于弹性主体的热膨胀系数位于较佳的范围内,因此有助于降低热应力的作用,进而提高接合效果。
  • 复合
  • [实用新型]结构-CN201220003015.X有效
  • 郭志明;邱奕钏;何荣华 - 颀邦科技股份有限公司
  • 2012-01-05 - 2012-08-15 - H01L23/498
  • 本实用新型是有关于一种结构,包含一硅基板、多个下金属层、多个铜、多个隔离层以及多个接合层,该硅基板具有一表面、多个设置于该表面的焊垫及一设置于该表面的保护层,该保护层具有多个开口,且所述开口显露所述焊垫,所述下金属层形成于所述焊垫,所述铜形成于所述下金属层上,各该铜具有一第一顶面及一第一环壁,所述隔离层包覆各该铜的该第一顶面及该第一环壁,且各该隔离层具有一第二顶面,所述接合层形成于所述隔离层的所述第二顶面
  • 结构
  • [实用新型]油缸-CN200720200964.6无效
  • 杜和来;金伟 - 攀枝花新钢钒股份有限公司
  • 2007-09-05 - 2008-08-20 - F15B15/14
  • 本实用新型公开了一种轧机油缸,该油缸,包括缸体和活塞杆,活塞杆安装于缸体的缸腔内,在缸体与活塞杆之间设置有对中定位的密封装置,密封装置的内孔套装在活塞杆上并与其滑动配合,密封装置安装在缸体的缸腔开口处利用可对中定位的密封装置,可以保证活塞杆在装配时与缸腔对中,从而实现同轴装配,实现在线迅速更换密封,其优点在于不需要拆卸轧机牌坊上的,在线更换时间短,轧线恢复时间快;其次,减少因频繁拆卸造成与相连的螺栓孔磨损,同时也减少了牌坊上与相连接的键槽的损伤,也减少了针对各种型号的备有的备件数量。
  • 凸块油缸
  • [发明专利]修正尺寸的方法及其结构-CN200810213645.8无效
  • 齐中邦 - 南茂科技股份有限公司
  • 2008-08-19 - 2010-02-24 - G03F1/14
  • 本发明是一种修正尺寸的方法,包括:提供一晶片且具有一主动面;形成一光致抗蚀剂层在晶片的主动面上;提供具有一图案的光掩模层,其中该图案为一几何形状;执行一第一曝光工序,使得光掩模层的图案转移到光致抗蚀剂层上;执行一显影及蚀刻步骤,以移除部份光致抗蚀剂层且在光致抗蚀剂层内形成具有几何形状的多个开口;填满金属层在具有几何形状的多个开口内;及移除光致抗蚀剂层,以形成具有几何形状的多个在晶片的主动面上。
  • 修正尺寸方法及其结构

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