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[发明专利]边缘耦合设备制造-CN201580018130.0有效
发明人：潘华璞;刘宗荣;魏红振;陈宏民 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：提供了一种制造边缘耦合设备的方法和一种边缘耦合设备。
边缘耦合设备制造

[发明专利]用于可调/可更换边缘耦合环的检测系统-CN201880035873.2在审
发明人：乔恩·麦克切斯尼;王雨后;达蒙·蒂龙·格内蒂;亚历山大·帕特森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：边缘耦合环被布置成邻近基座并且围绕衬底的径向外边缘。致动器配置成相对于衬底选择性地移动边缘耦合环以改变边缘耦合环的边缘耦合轮廓。衬底处理系统包括基于相机的检测系统，其指示致动器调节边缘耦合环的位置。响应于来自相机的边缘耦合环状况信息，控制器操作致动器以竖直移动边缘耦合环。响应于来自相机的边缘耦合环位置信息，控制器操作致动器以水平移动边缘耦合环。
边缘耦合相机致动器衬底处理系统控制器操作衬底径向外边缘控制器调节控制器通信致动器调节检测系统竖直移动状况信息环位置响应配置邻近焦点移动

[发明专利]半导体组件及其形成方法以及光耦合系统-CN202210030543.2在审
发明人：徐敏翔;卓联洲;周淳朴;陈建宏;汤承哲;洪勇智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：一种半导体组件及其形成方法以及光耦合系统。公开具有高耦合效率和低偏振相关损耗的边缘耦合器，以及制造边缘耦合器的方法。在一个实施例中，公开用于光耦合的半导体组件。多个层包括设置在半导体组件的边缘的多个耦合柱。多个耦合柱形成边缘耦合器，其被配置为将光波导光学耦合到位于半导体组件的边缘的光纤。
半导体组件及其形成方法以及耦合系统

[发明专利]具有到多个表面或边缘耦合器的光交换路径的光扫描器-CN201980034826.0有效
发明人：穆罕默德·迈赫迪·曼苏里·拉德;帕特瑞克·杜麦思;多米尼克·约翰·古德威尔;艾瑞克·伯尼尔 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G02F1/313 文献下载
摘要：不同的第二端口连接到不同的表面/边缘耦合器。上述表面/边缘耦合器中的每个表面/边缘耦合器在不同的相应方向上耦合来自该装置的光或将光耦合到该装置。表面/边缘耦合器可以是光栅耦合器。根据表面/边缘耦合器的方向及其光栅周期(在适当情况下)配置光耦合的方向。表面/边缘耦合器可以以圆形图案或同心环图案布置。光栅耦合器可以是细长形的。
具有到多个表面边缘耦合器交换路径扫描器

[实用新型]容性耦合夹-CN202121370135.9有效
发明人：邓颖宁 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种容性耦合夹，包括：底座；下耦合板，设置于所述底座上；上耦合板组，包括多个顺序铰接的子耦合板，所述子耦合板的数量为三个以上，所述上耦合板组的第一侧边缘与所述下耦合板的一侧边缘铰接；以及锁紧结构，用于将所述上耦合板组的第二侧边缘与所述下耦合板锁紧，所述上耦合板组的第二侧边缘与所述第一侧边缘相对。本申请增大了试验过程中上耦合板组和下耦合板两者与被测连接线之间的分布电容，从而提高了试验结果的可靠性。
耦合

[发明专利]具有表面光栅耦合器和边缘耦合器的光开关-CN201680035879.0有效
发明人：帕特瑞克·杜麦思 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：光子集成电路(PIC)(600)包括：光开关(650)、多个输入边缘耦合器(620)，包括第一输入边缘耦合器(620)并耦合至所述光开关(650)、多个输入表面光栅耦合器(SGC)(630)，包括第一输入SGC(630)并耦合至所述光开关(650)、多个输出边缘耦合器(620)，包括第一输出边缘耦合器(620)并耦合至所述光开关(650)、以及多个输出SGC(630)，包括第一输出SGC(630)并耦合至所述光开关制造PIC(600)的方法(1100)包括：图案化和蚀刻硅衬底，以产生第一光开关(650)、耦合至所述第一光开关(650)的第一表面光栅耦合器(SGC)(630)以及耦合至所述第一光开关(650)的第一边缘耦合器
具有表面光栅耦合器边缘开关

[发明专利]实现晶圆探测和测试的硅光子器件架构-CN201880033588.7有效
发明人： A·H·莱西 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本文的实施例描述了用于使用光栅耦合器(220)测试或对准光子芯片(200)中的光学部件(205，225)的技术。在一个实施例中，光子芯片(200)可以包括边缘耦合器(205)和光栅耦合器(220)，以用于将光子芯片光学地耦合到外部光纤电缆(920)。边缘耦合器(205)可以被布置在光子芯片的一侧或边缘上，而光栅耦合器(220)位于光子芯片的上部或一侧上。在制造期间，边缘耦合器(205)可能不可访问。代替使用边缘耦合器(205)来测试该光子芯片，测试装置(805)可以使用光栅耦合器(220)以及分光器(215)来在光子芯片中的光学部件(例如，调制器或检测器)与光学地耦合到光栅耦合器(220)的测试探针
实现探测测试光子器件架构

[发明专利]具有倾斜侧边缘部的成角度的光栅耦合器-CN202211602592.5在审
发明人： J·霍尔特;卞宇生;刘奇志;E·斯特洛 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开涉及具有倾斜侧边缘部的成角度的光栅耦合器。用于光栅耦合器的结构和制造用于光栅耦合器的结构的方法。该结构包括具有中心部和边缘部的光栅耦合器。中心部和边缘部限定侧壁，并且中心部和边缘部具有第一纵轴，边缘部沿第一纵轴以间隔关系排列。每个边缘部相对于第一纵轴以一角度从侧壁突出。波导芯光学耦合到光栅耦合器。
具有倾斜侧边角度光栅耦合器

[发明专利]半导体晶片处理期间控制边缘处理的可移动边缘耦合环-CN201610032252.1有效
发明人：严浩全;罗伯特·格里菲斯·奥尼尔;拉斐尔·卡萨斯;乔恩·麦克切斯尼;亚历克斯·帕特森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：边缘耦合环布置为邻近所述基座的径向外边缘。第一致动器，其配置为选择性地移动所述边缘耦合环至相对于所述基座的提升位置，以在所述边缘耦合环和所述基座之间提供空隙，以允许机器臂将所述边缘耦合环从所述处理腔室移除。
半导体晶片处理期间控制边缘移动耦合

[发明专利]电子装置及雷达装置-CN201510353385.4有效
发明人：萧兴隆;曾建中;吴旻蓉 -专利权人：启碁科技股份有限公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H05K10/00 文献下载
摘要：电子装置包括电路板以及桥状电路板结构；电路板包括第一电路板边缘、第二电路板边缘、第一耦合单元以及第二耦合单元，其中，第一耦合单元位于第一电路板边缘，第二耦合单元位于第二电路板边缘；桥状电路板结构包括第一支撑部、第二支撑部以及平板部、第三耦合单元以及第四耦合单元，其中，第一支撑部设于第一耦合单元之上，第三耦合单元电性连接第一耦合单元，第二支撑部设于第二耦合单元之上，第四耦合单元电性连接第二耦合单元，容置空间形成于平板部与电路板之间
电子装置雷达

[发明专利]用于执行光学邻近校正的方法和使用其制造掩模的方法-CN201910293597.6在审
发明人：崔南柯;郑文奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：提供一种用于执行OPC的方法以及通过使用OPC制造掩模的方法，所述执行OPC的方法通过有效地反映掩模形貌效应或图案的边缘之间的耦合效应来提高掩模图像的精确度。用于执行OPC的方法包括：提取掩模上的图案的布局的边缘；提取边缘中相邻边缘之间的宽度等于或小于特定距离的边缘对；针对边缘对中的每一个边缘对产生耦合边缘；通过将边缘滤波器应用于边缘来产生第一掩模图像；通过将耦合滤波器应用于耦合边缘来校正第一掩模图像
用于执行光学邻近校正方法使用制造

[发明专利]感性耦合边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法-CN202010617800.3在审
发明人：吴堃;杨猛 -专利权人：上海邦芯半导体设备有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种感性耦合边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法，包括：传片系统和刻蚀系统；传片系统包括:位于腔主体中的支撑移动平台,支撑移动平台包括用于水平放置晶圆的晶圆夹持板,晶圆夹持板可围绕垂直晶圆夹持板表面的中心轴进行旋转;刻蚀系统包括:下电极;上层板;位于上层板和下电极之间的射频隔离环;位于上层板顶部的感性耦合射频单元；射频隔离环包括:位于下电极外部区域的下射频隔离环;位于上层板外部区域的上射频隔离环,上射频隔离环和下射频隔离环之间具有间隙所述感性耦合边缘刻蚀反应装置能够提高边缘刻蚀区域的刻蚀费效比。
感性耦合边缘刻蚀反应装置方法

[实用新型]感性耦合边缘刻蚀反应装置-CN202021252850.8有效
发明人：吴堃;杨猛 -专利权人：上海邦芯半导体设备有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种感性耦合边缘刻蚀反应装置，包括：传片系统和刻蚀系统；传片系统包括:位于腔主体中的支撑移动平台,支撑移动平台包括用于水平放置晶圆的晶圆夹持板,晶圆夹持板可围绕垂直晶圆夹持板表面的中心轴进行旋转;刻蚀系统包括:下电极;上层板;位于上层板和下电极之间的射频隔离环;位于上层板顶部的感性耦合射频单元；射频隔离环包括:位于下电极外部区域的下射频隔离环;位于上层板外部区域的上射频隔离环,上射频隔离环和下射频隔离环之间具有间隙所述感性耦合边缘刻蚀反应装置能够提高边缘刻蚀区域的刻蚀费效比。
感性耦合边缘刻蚀反应装置

[发明专利]一种直接耦合光器件及其封装方法-CN202110087668.4在审
发明人：周奇;郑俊守;王宗旺;黄小伟;夏晓亮 -专利权人：杭州芯耘光电科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明通过设计多波导结构的边缘耦合器，在边缘耦合器内部设计光模斑转换结构，使激光器出射光依次通过边缘耦合器的条形波导阵列、异形波导、倒锥形波导以及出光波导，并采用先进的封装工艺，将激光器、边缘耦合器、硅光芯片封装于管壳内
一种直接耦合器件及其封装方法

[发明专利]具有堆叠层的边缘耦合器-CN202110327052.X有效
发明人：卞宇生;R·A·安葛尔;米歇尔·拉科斯基;K·J·吉旺特;K·努米;K·K·德兹富良;彭博 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及具有堆叠层的边缘耦合器，揭示包括边缘耦合器的结构以及制造包括边缘耦合器的结构的方法。该边缘耦合器包括波导芯，以及位于该波导芯的部分上方的成形层。
具有堆叠边缘耦合器

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