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[发明专利]沟槽型功率器件及其高反向耐压终端边缘的制备方法-CN202310574737.3在审
发明人：黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型功率器件及其高反向耐压终端边缘的制备方法，所述方法包括：获取第一沟槽型功率器件中沟槽栅极的电场分布以及沟槽宽度；基于沟槽栅极的电场分布，当判定某一沟槽栅极的终端边缘的电场强度大于第一阈值时，调整所对应沟槽栅极的沟槽宽度，根据调整后的沟槽栅极设计沟槽光罩。本发明根据沟槽栅极的终端边缘的电场强度对沟槽栅极的沟槽宽度进行调整，最终能够提高沟槽型功率器件终端边缘的反向耐压能力。
沟槽功率器件及其反向耐压终端边缘制备方法

[实用新型]研磨垫及研磨系统-CN201620831364.9有效
发明人：陈科文;游世明 -专利权人：智胜科技股份有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种研磨垫及研磨系统，所述研磨垫包括研磨层，其中研磨层包括中心区域、边缘区域以及位于中心区域以及边缘区域之间的主要研磨区域。至少一环状沟槽位于研磨层的主要研磨区域中。边缘沟槽位于研磨层的边缘区域中，且边缘沟槽包括格状沟槽。至少一径向延伸沟槽位于研磨层的主要研磨区域，且至少一径向延伸沟槽与至少一环状沟槽相连接。本申请技术方案通过环状沟槽、边缘沟槽以及径向延伸沟槽的特别配置，可以使研磨液具有不同的流场分布，进而使特定研磨制程具有较均匀的研磨率。
研磨系统

[发明专利]低成本高可靠性的功率半导体器件及其制备方法-CN201910729788.2有效
发明人：杨飞;白玉明;吴凯;朱阳军 -专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低成本高可靠性的功率半导体器件及其制备方法，其有源区内的元胞采用沟槽结构；有源区内包括衬底元胞沟槽以及元胞边缘沟槽，元胞边缘沟槽的宽度大于衬底元胞沟槽的宽度；在元胞边缘沟槽槽底的正下方设置元胞边缘沟槽第二导电类型掺杂区，在元胞边缘沟槽的两侧设置衬底第二导电类型体区；在元胞边缘沟槽内填充有边缘沟槽导电多晶硅以及衬底绝缘介质层，衬底源极金属层支撑在衬底绝缘介质层上，衬底源极金属层与衬底第二导电类型基区、衬底第一导电类型源区以及元胞边缘沟槽两侧的衬底第二导电类型体区欧姆接触
低成本可靠性功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]摩擦盘冷却槽-CN201510315627.0在审
发明人：斯蒂芬·P·佛斯伯格 -专利权人：迪尔公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： F16D65/853 文献下载
摘要：一种用于摩擦作用装置的摩擦盘，包括具有内边缘和外边缘的环形摩擦表面。径向延伸的内沟槽形成在所述摩擦表面中。每一个所述内沟槽都与所述内边缘连通。径向延伸的外沟槽形成在所述摩擦表面中。每一个所述外沟槽都与所述外边缘连通。多个分支沟槽也形成在所述环形摩擦表面中。所述分支沟槽将每一个所述内沟槽与一对所述外沟槽连通，并且所述分支沟槽将每一个所述外沟槽与一对所述内沟槽连通。每一个内沟槽与对应的外沟槽对齐。每一个分支沟槽与多个分支沟槽中的另一个相交。每一个内沟槽具有大于对应的外沟槽的宽度。
摩擦冷却

[发明专利]摩擦部件-CN201880019696.9有效
发明人：菲利普·泰珀;德克·霍夫斯特 -专利权人：舍弗勒技术股份两合公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： F16D13/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于摩擦接合式工作的装置的摩擦部件(1)，摩擦部件具有环形的摩擦面(20)，摩擦面具有内边缘(18)和外边缘(19)，其中，在摩擦面(20)中设有至少一个沟槽组，至少一个沟槽组具有第一沟槽(8、9)、第二沟槽(14)和第三沟槽(15)，第一沟槽从内边缘(18)延伸至内边缘(18)和外边缘(19)之间的分支部位(21、22)，第二沟槽和第三沟槽从分支部位(21、22)起始。为了改进摩擦部件，尤其摩擦部件的功能性，第二沟槽(14)和第四沟槽(13)通入第一连接部位(23)，其中，第三沟槽(15)和第五沟槽(16)通入第二连接部位(24)。
摩擦部件

[发明专利]一种具有偏移沟槽的抛光垫-CN202211411039.3在审
发明人：张莉娟;杨波 -专利权人：上海芯谦集成电路有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有偏移沟槽的抛光垫，包括抛光层，所述抛光层表面设置有同心圆沟槽和径向沟槽，所述同心圆沟槽的圆心偏置设于所述抛光垫的圆心的一旁，所述同心圆沟槽包括位于中央的无沟槽区域和包围无沟槽区域的环形槽，所述径向沟槽分布于所述无沟槽区域的边缘和所述抛光垫的圆周边缘之间。与现有技术相比，本发明在进行抛光作业时，无沟槽区域会和晶圆片的边缘接触，从而减小晶圆片边缘区域的抛光液流量，避免晶圆片边缘区域过度磨损，提高晶圆片抛光后的平坦度。
一种具有偏移沟槽抛光

[发明专利]包括机械锁定装置的镶板和包括所述镶板的组装产品-CN201680070561.6有效
发明人： P·德雷洛夫 -专利权人：瓦林格创新股份有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： F16B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种镶板组件，其包括具有第一边缘和第一主平面的第一镶板(6)、具有第二边缘和基本垂直于第一主平面的第二主平面的第二镶板(4)、以及用于将第一边缘锁定到第二边缘的锁定装置(60)。锁定装置(60)包括在第一边缘处的边缘沟槽(21)和在第二边缘处的榫舌沟槽(10)。构造为与榫舌沟槽(10)配合的柔性榫舌(30)设置在边缘沟槽(21)的第一侧的插入沟槽(20)中，以用于在垂直于第一主平面的第一方向(D1)上锁定第一和第二边缘。所述边缘沟槽(21)包括设置在插入沟槽(20)的两侧的第一和第二沟槽表面(51，53)，其构造为与设置在所述第二边缘和榫舌沟槽(10)的两侧的第一和第二边缘表面(52，54)配合以用于在垂直于第二主平面的第二方向所述锁定装置(60)构造成通过将工具(90)插入榫舌沟槽(10)中而被解锁。为了有助于拆卸，第一沟槽表面(51)布置成在第二方向(D2)上相对于第二沟槽表面(53)偏离第一距离(41)。
包括机械锁定装置镶板组装产品

[发明专利]半导体元件及制造方法-CN200910206805.0有效
发明人： P·温卡特拉曼;Z·豪森 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种包括边缘终止结构的半导体元件和制造该半导体元件的方法。一种半导体材料具有半导体器件区和边缘终止区。可以在所述半导体器件区中形成一个或多个器件沟槽并在所述边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在邻近于终止沟槽的底面的一部分终止沟槽中形成源电极并在邻近于终止沟槽的嘴的那部分终止沟槽中形成浮动电极终止结构。可以在所述边缘终止区中形成第二终止沟槽且可以在所述第二终止沟槽中形成非浮动电极。或者，可以省略第二终止沟槽且可以在所述边缘终止区中形成无沟槽的非浮动电极。
半导体元件制造方法

[发明专利]透明导电膜-CN201310044167.3有效
发明人：杨广舟;曹淼倩;高育龙;孙超 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：一种透明导电膜，包括:基底或基底以及粘接在所述基底上压印胶层；在所述基底上设有网线状沟槽或在所述压印胶层上设有网线状沟槽，所述网线状沟槽形成网格；在所述网线状沟槽网格内填充导电材料，形成导电层；所述网线状沟槽的边缘线为使导电材料和沟槽边缘的接触面积增大的曲线或折线上述的透明导电膜中，通过网线状沟槽形成网格，网线状沟槽的边缘线为曲线或折线，采用非直线型的边缘线使得在同样面积的导电区，导电材料和沟槽边缘的接触面积增大，摩擦力增加，致使导电材料的附着力变大，保证透明导电膜具有稳定的优良性能
透明导电

[实用新型]透明导电膜-CN201320063928.5有效
发明人：杨广舟;曹淼倩;高育龙;孙超 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：一种透明导电膜，包括：基底或基底以及粘接在所述基底上压印胶层；在所述基底上设有网线状沟槽或在所述压印胶层上设有网线状沟槽，所述网线状沟槽形成网格；在所述网线状沟槽网格内填充导电材料，形成导电层；所述网线状沟槽的边缘线为使导电材料和沟槽边缘的接触面积增大的曲线或折线上述的透明导电膜中，通过网线状沟槽形成网格，网线状沟槽的边缘线为曲线或折线，采用非直线型的边缘线使得在同样面积的导电区，导电材料和沟槽边缘的接触面积增大，摩擦力增加，致使导电材料的附着力变大，保证透明导电膜具有稳定的优良性能
透明导电

[发明专利]具有改进的沟槽终端区和屏蔽栅沟槽接触区的功率器件-CN202211632365.7在审
发明人：冷德武;徐琳 -专利权人：无锡瑞科维半导体有限公司;娜美半导体有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅沟槽与终端沟槽分隔开的屏蔽栅沟槽式MOSFETs，其中终端沟槽围绕栅沟槽的外部边缘且不围绕栅金属垫片区，临近栅沟槽的沟槽末端的第一终端沟槽的内部边缘，在两相邻栅沟槽的沟槽末端之间的区域具有多个波形部分，而外部边缘具有直线形状，以降低漏‑源极之间的漏电流。每个栅沟槽内都包括至少一个连至屏蔽栅极的屏蔽栅沟槽接触区，且所述屏蔽栅沟槽接触区与任何一个栅金属导线之间的距离均大于100μm。
具有改进沟槽终端屏蔽接触功率器件

[发明专利]一种具有放射状沟槽的抛光垫-CN202310121336.2在审
发明人：杨波;张莉娟 -专利权人：上海芯谦集成电路有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有放射状沟槽的抛光垫，抛光垫上设有抛光面，抛光面上设有中心圆形区域、多个第一射线沟槽和多个沟槽单元，第一射线沟槽和沟槽单元绕抛光面的圆心呈放射状间隔设置，第一射线沟槽一端连接中心圆形区域的边缘，另一端连接抛光面的边缘；沟槽单元内设有第二射线沟槽，第二射线沟槽的一端与中心圆形区域的边缘之间具有一定间隙，另一端连接抛光面的边缘。与现有技术相比，本发明抛光垫上同时设置了第一射线沟槽由中心圆形区域向外延伸，第二射线沟槽由与中心圆形区域边缘有一定距离的位置向外延伸，因此抛光垫上可以容纳更多的射线沟槽，避免射线沟槽过多而破坏抛光垫中心区域的强度
一种具有放射沟槽抛光

[发明专利]嵌入式场极板场效应晶体管-CN201910125073.6有效
发明人： K·W·索科 -专利权人： IXYS有限责任公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：沟槽N沟道场效应晶体管具有有效区域和边缘区域。第一对平行延伸的深沟槽与管芯的侧边缘平行延伸。第二对平行延伸的深沟槽与侧边缘垂直地朝向侧边缘延伸，使得第二对的每个沟槽终止到第一对的内侧深沟槽中。嵌入式场极板结构嵌入在这些沟槽中。多个浮动P型阱区整体布置于第二对深沟槽之间，在有效区域与第一对的内侧深沟槽之间。使用这种边缘区域结构，因为与不具有浮动P型阱区的相同结构相比较，边缘区域的击穿电压增加，所以总体设备的击穿电压BVDSS增加。
嵌入式极板场效应晶体管

[实用新型]一种电极片及电池-CN202222216194.1有效
发明人：张爱莲;余正发 -专利权人：珠海冠宇电池股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01M4/131 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电极片及电池，所述电极片包括极片本体，极片本体上设置有至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽，至少一个第一沟槽位于极片本体的中间位置，第二沟槽自极片本体的至少一边缘延伸至第一沟槽，第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度通过在极片本体的中间位置设置第一沟槽，并在极片本体的边缘位置设置第二沟槽，使得第二沟槽自极片本体的至少一边缘延伸至第一沟槽，且第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度，便于位于极片本体边缘位置的电解液通过第二沟槽流向第一沟槽，以充分利用边缘位置的电解液对极片本体中间位置的电解液进行补充，从而减少在极片本体中间位置电解液不足而导致产生黑斑析锂的情况，提高了电池的循环寿命。
一种电极电池

[发明专利]对超厚金属沟槽边缘的过刻蚀深度进行监测的方法-CN200910201493.4有效
发明人：王贵明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了对超厚金属沟槽边缘的过刻蚀深度进行监测的方法，包括：在形成第一层之后，在第二层中形成第一层与第三层的超厚金属沟槽之间的中心通孔，在中心通孔中填入金属构成中心连线，并形成第一层与第三层的超厚金属沟槽边缘的过刻蚀处之间的边缘通孔，在边缘通孔中填入金属构成边缘连线，所述中心连线和所述边缘连线具有相同的横截面积和相同的高度；在第三层中刻蚀超厚金属沟槽，在刻蚀的超厚金属沟槽中填入金属；分别测出中心连线电阻和边缘连线未被包裹部分电阻；根据测出的中心连线电阻和边缘连线未被包裹部分电阻，计算得到超厚金属沟槽边缘过刻蚀的深度。本发明方案能够监测出超厚金属沟槽边缘的过刻蚀深度。
金属沟槽边缘刻蚀深度进行监测方法

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