专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板-CN201610008575.7有效
  • 舒适;冯京;徐传祥;何晓龙;王久石 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2016-01-07 - 2019-03-22 - H01L21/77
  • 一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板,该制作方法包括:在衬底基板上形成栅金属层和栅极绝缘层的图形;形成半导体层的图形,半导体层的图形包括有源层区域和像素电极区域的图形,半导体层包括重叠设置的绝缘氧化层和半导体性氧化层,绝缘氧化层位于栅极绝缘层和半导体性氧化层之间;形成源漏金属层的图形;对像素电极区域的半导体性氧化层进行等离子体处理,使得像素电极区域的半导体性氧化层转化为导体。由于半导体性氧化层与栅极绝缘层之间设置绝缘氧化层,绝缘氧化层与半导体性氧化层晶格结构匹配度好,可改善界面缺陷。同时,通过一次构图工艺同时形成有源层和像素电极,可降低阵列基板的成产成本。
  • 一种阵列制作方法显示面板
  • [发明专利]半导体装置-CN201210447666.2有效
  • 山崎舜平 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2012-11-09 - 2018-10-19 - H01L29/786
  • 本发明的目的之一是提供一种可靠高的半导体装置。在沟道被形成的氧化半导体层上形成使用其绝缘高于该氧化半导体层的绝缘氧化半导体材料的绝缘层。作为绝缘高的氧化半导体材料,使用包含元素M的以化学式InMZnOx(X>0)表示的材料或包含元素M1及元素M2的以化学式半导体装置
  • [发明专利]一种侧墙结构及闪存器件的制备方法-CN202310321929.3在审
  • 曹子贵 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-03-29 - 2023-06-02 - H01L21/28
  • 由于本发明所提供的闪存器件的制造方法中,其形成ONO侧墙结构时,是利用HTO工艺形成致密绝缘较好的所述第一氧化层,并进一步地对所述第一氧化层进行RTO退火工艺,以通过所述RTO退火工艺提供的能量修复所述第一氧化层的缺陷,从而利用HTO工艺形成致密绝缘较好的第一氧化层之后,再次提高所述第一氧化层的致密绝缘,进而在保证形成的侧墙结构的膜厚和热度均不变的情况下,最终避免了存储结构内的电子通过位于其侧壁上的ONO侧墙结构中的第一氧化层遂层穿至外部所造成的器件漏电的问题,即保证了闪存器件的性能。
  • 一种结构闪存器件制备方法

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