专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高纯、高分散性纳米氧化的生产工艺-CN202310061656.3在审
  • 竹文坤;何嵘;陈涛;刘欢欢 - 西南科技大学
  • 2023-01-17 - 2023-04-25 - C01F7/30
  • 本发明公开了一种高纯、高分散性纳米氧化的生产工艺,包括:用铝盐水解制得水合氧化沉淀,向水合氧化沉淀中加入分散剂A,调节体系pH至碱性,超声分散后得到水合氧化浆料;将水合氧化浆料高温高压水热细化得到纳米水合氧化浆料,降温、陈化,固液分离,将洗涤、过滤得到的纳米水合氧化浆料投入至乙二醇溶液中,加热,向乙二醇溶液中加入分散剂B,超声分散,得到纳米水合氧化分散浆料;固液分离出纳米水合氧化分散浆料,经过洗涤、过滤、干燥得到纳米水合氧化固体粉末;使用高压氮气或二氧化碳对冲、真空焙烧得到纳米氧化粉末。本发明制备得到的纳米氧化具有分散性好、纯度高的特点,可用于制备氧化陶瓷基板。
  • 一种高纯分散性纳米氧化铝生产工艺
  • [发明专利]纳米氧化晶种的制备方法、高纯氧化纳米晶的制备方法-CN202110944051.X有效
  • 卢胜波;范光磊;李刚;王修慧 - 苏瓷纳米技术(苏州)有限公司
  • 2021-08-17 - 2023-07-11 - C01F7/02
  • 本发明公开的纳米氧化晶种、高纯氧化纳米晶的制备方法,属于氧化制备技术领域。其中,制备纳米氧化晶种时将拟薄水铝石经高压水热处理、干燥、低温煅烧、高温煅烧、加酸球磨、离心分离后制得含有纳米氧化晶种的透明上清液,上清液中所含有的氧化晶种粒径小而且均匀。制备高纯氧化纳米晶时,在铝醇盐中加入上清液获得水解反应液,水解反应液经高压水热处理获取含有纳米氧化晶种和勃姆石的混合物,混合物经干燥、煅烧制成高纯氧化纳米晶,获得的氧化纳米晶纯度高≧99.99%,平均晶粒尺寸≦30nm,最大晶粒尺寸≦50nm,晶粒分散性更好、平均粒径更小更均匀,而且α氧化转化率高于97%。
  • 纳米氧化铝制备方法高纯
  • [发明专利]一种纳米α-氧化的制备方法-CN201010517339.0无效
  • 周继承;肖伶俐;孙若力 - 湘潭大学
  • 2010-10-25 - 2011-07-27 - C01F7/44
  • 一种纳米α-氧化的制备方法,该方法包括对纳米拟薄水铝石或纳米水合氧化前躯体进行煅烧,所述对纳米拟薄水铝石或纳米水合氧化前躯体进行的煅烧是在微波场下进行的。纳米水合氧化前躯体是纳米级的一水合氧化和/或三水合氧化。煅烧阶段的微波的频率为500-2450MHz,煅烧温度为1150-1250摄氏度,煅烧时间10-240分钟。纳米α-氧化终产品的平均颗粒直径为10-20纳米。本发明的方法中利用微波高温煅烧制备纳米α-氧化,工序简单易行。可使制备得到的α-氧化平均颗粒直径为10-20纳米,颗粒直径分布窄,结晶度高且结晶纹路清晰,晶型完整。
  • 一种纳米氧化铝制备方法
  • [发明专利]纳米氧化材料的制造方法-CN03129084.1无效
  • 张良苗;陈念贻;陆文聪 - 上海大学
  • 2003-06-05 - 2004-02-25 - C01F7/14
  • 本发明涉及一种纳米氧化材料。它是用氧化厂大量存在的铝酸钠和碳酸氢钠两种溶液直接进行反应,然后经过滤、分散、洗涤,并加酸进行拍散和老化后制得制备纳米氧化材料的透明溶胶。由该溶胶可直接制造纳米氧化粉或纳米氧化陶瓷滤膜。由于采用氧化厂现成、廉价的原料铝酸钠和碳酸氢钠溶液,主要物料能循环使用,除拍散解胶耗少量酸外,既不耗碱也不耗酸,成本远低于现有纳米氧化粉或纳米氧化陶瓷滤膜的制造,适合于大量生产。
  • 纳米氧化铝材料制造方法
  • [发明专利]一种复合纳米氧化的制备方法-CN202210881044.4在审
  • 徐进;徐勇 - 宣城市晶纳环保科技有限公司
  • 2022-07-26 - 2022-09-16 - C01F7/30
  • 本发明公开了一种复合纳米氧化的制备方法,本发明将铝盐通过醇水解反应并加入分散剂分散得到水合氧化浆料,将复合物质溶于水中制得复合物质溶液;将水合氧化浆料与复合物质溶液、碱液通过水热反应得到水合复合氧化浆料,再通过高温高压水热细化得到纳米水合复合氧化浆料;将纳米水合复合氧化浆料陈化后进行固液分离,再经超滤、纳滤、高压反渗透膜过滤、水洗和固液分离得到提纯后的复合纳米氧化湿胶;将复合纳米氧化湿胶进行干燥,将干燥粉末进行旋喷粉碎和自由落体焙烧,得到复合纳米氧化成品。本发明制备的复合纳米氧化的粒度均一,颗粒感好,粒度小,复合性好,相容性更高,应用更加稳定。
  • 一种复合纳米氧化铝制备方法
  • [发明专利]一种纳米α相氧化材料的制备方法-CN202010042490.7在审
  • 孙韬 - 珠海琴晟新材料有限公司
  • 2020-01-15 - 2020-05-19 - C01F7/02
  • 本发明公开了一种纳米α相氧化材料的制备方法,其包括以下步骤:S1:称取氧化原料,并进行砂磨操作,得到纳米氧化;S2:在焙烧炉中快速升温至1200℃,保持5~15min,然后快速降温,得到含有α相氧化微晶的氧化粉体;S3:重新升温至850~950℃,在该温度范围保持恒温2~6h,然后降温,得到转化率大于90%的α相氧化;S4:将α相氧化分散在载体液中,得到α相氧化悬浮液,通过高速碰撞设备在高速碰撞条件下进行破碎,反复循环多次,批量制备得到超高纯纳米α相氧化。本发明的纳米α相氧化材料的制备方法,不引入其他任何工艺杂质,其制备过程绿色环保,尤其适用于纳米α相氧化的批量生产与制备。
  • 一种纳米氧化铝材料制备方法
  • [发明专利]一种基于n型氮化镓的GAA-HEMT反相器的制备方法-CN202211559928.4在审
  • 陈增发;高麟飞;蒋忠伟;黄双武;贺威;黎晓华;刘新科 - 深圳大学
  • 2022-12-06 - 2023-06-23 - H01L21/335
  • 本发明公开基于n型氮化镓的GAA‑HEMT反相器的制备方法,包括:S1在GaN单晶衬底生长氧化,制作阻挡层刻蚀中部并沉积金属栅极;S2刻蚀栅极中部形成凹槽,沉积氧化,刻蚀氧化的中间和两边,在刻蚀区域生长GaN纳米片以及生长AlGaN纳米片后掺入Si,生长GaN纳米片掺入Mg形成p‑GaN纳米片;S3刻蚀p‑GaN纳米片使其宽度和栅极相同,在两层纳米片的厚度方向蒸镀金属膜制备源极和漏极,在器件表面生长氧化覆盖p‑GaN纳米片和AlGaN纳米片,沉积金属栅极覆盖氧化形成E‑mode GaN;S4生长氧化,刻蚀氧化中部沉积金属栅极,并按S2和S3的方式在制备GaN纳米片、AlGaN纳米片、源极和漏极,生长氧化覆盖AlGaN纳米片,沉积金属栅极覆盖氧化形成GAA结构的D‑mode GaN。
  • 一种基于氮化gaahemt反相器制备方法

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