“等离子体电子”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6170661个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]选择性控制等离子体的离子组成物的系统和方法-CN201080029436.3有效
发明人：卡莫尔·哈迪德;拉杰许·都蕾;伯纳德·G·琳赛;维克拉姆·辛;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：一种调整等离子体的组成物的方法，用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速，以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子，但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞，造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化，以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
选择性控制等离子体离子组成系统方法

[发明专利]涂层工艺中的以及与涂层工艺有关的改善-CN201880053904.7在审
发明人：维克多·贝利多-冈萨雷斯;伊凡·费尔南德斯;安比恩·温伯格;德莫特·派特克·莫纳汉 -专利权人：基恩科有限公司;纳米4能源有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种在等离子体涂覆设备中消耗等离子体中的电子的设备(1b)和方法。本发明涉及：产生与靶(4)相邻的等离子体，所述等离子体包括离子(9)、颗粒材料(5)和电子(6)；形成等离子体陷阱(52)，以将等离子体约束在靶(4)附近，并通过以下方式消耗等离子体中的电子：提供另外的磁场(8b)，该另外的磁场叠加在等离子体陷阱(3、52)的磁场上，该另外的磁场延伸超出等离子体陷阱的边界层(52)，并牵引来自等离子体陷阱的边界层(52)的或者等离子体陷阱的边界层附近的电子(6)远离靶(4另外的磁场(8b)消耗等离子体中的电子，使得当向靶(4)施加电压脉冲(13b)时，可以从等离子体中喷射出离子(9)，其中减少了电子屏蔽。已经表明这改善了离子轰击并减少不利的电子轰击影响。
涂层工艺中的以及有关改善

[发明专利]一种等离子体鞘套地面模拟电磁实验装置及使用方法-CN202011367717.1有效
发明人：包为民;刘彦明;刘东林;李小平;张佳;孙超;白博文 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体鞘套地面模拟电磁实验装置及使用方法，实验装置包括：等离子体发生器，用于将中性气体电离产生高温等离子体；喷管，用于将等离子体利用气动力学原理进行加速，并对真空暗室内等离子体射流的截面进行塑形；等离子体诊断系统，通过非接触的方法对等离子体射流的电子密度进行实时诊断，并反馈给综合控制器，综合控制器根据实测的电子密度大小与预设的电子密度值进行比较，通过反馈调节等离子体发生器的电源输出功率实现等离子体射流的电子密度连续稳定控制本发明产生的等离子体射流稳定可控、电子密度范围宽、碰撞频率范围宽、长度大、组分纯净，能够实现等离子体电子密度非均匀性分布的调控。
一种等离子体地面模拟电磁实验装置使用方法

[发明专利]用于原子精度蚀刻的独立控制等离子体密度、自由基组成及离子能量的低电子温度蚀刻腔室-CN201680061298.4在审
发明人： L·多尔夫;K·S·柯林斯;S·拉乌夫;K·拉马斯瓦米;J·D·卡达希;H·塔瓦索里;O·瑞吉尔曼;Y·张 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开关于操作等离子体反应器的方法，该等离子体反应器具有电子束等离子体源以独立调整电子束密度、等离子体离子能量及自由基总数。本公开进一步关于用于等离子体反应器的电子束源，该等离子体反应器具有RF驱动电极以产生电子束。
等离子体反应器电子束自由基等离子体电子束等离子体蚀刻等离子体离子电子束源独立调整独立控制离子能量蚀刻腔室电极

[发明专利]一种等离子体装置-CN201710325963.2有效
发明人：韦刚;苏恒毅;杨京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及等离子体装置。该装置包括反应腔室和设置于其中的承载装置，还包括栅网和与栅网电连接的栅网电源，栅网设置于承载装置的上方且与反应腔室的腔室壁绝缘，用于将反应腔室隔离为等离子体产生区和等离子体工艺区；且栅网的电位小于等离子体工艺区的电位、等离子体工艺区的电位小于等离子体产生区的电位。该装置可对等离子体产生区中的电子产生减速场，有效降低到达等离子体工艺区的电子的能量，从而有效降低等离子体工艺区等离子体中的电子温度，保证稳定的等离子体源和较高的等离子体密度；该等离子体装置采用连续波产生的等离子体，能降低等离子体产生和射频源匹配控制的难度，保证较大的工艺窗口。
一种等离子体装置

[发明专利]基于多电子束与等离子体相互作用的太赫兹辐射产生方法-CN202110109421.8有效
发明人：杨生鹏;宫玉彬;王少萌;王战亮 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多电子束与等离子体相互作用的太赫兹辐射产生方法，先利用等离子体源电离中性气体，在真空腔内产生一定密度范围的等离子体；再将多个(两个或两个以上)电子束以一定的发射夹角注入等离子体中，通过预先调节电子束之间的发射夹角，使多个电子束在等离子体内部形成会聚点，当多个电子束在等离子体内部会聚到一点，将在此会聚点处激发等离子体波；最后等离子体波将引起电子束会聚点处的电子振荡，从而激发频率位于等离子体频率及其倍频的高功率太赫兹辐射
基于电子束等离子体相互作用赫兹辐射产生方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201180037725.2有效
发明人：节原裕一;江部明宪 -专利权人：国立大学法人大阪大学;EMD株式会社
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够根据离解的气体分子的种类或其离解能来容易地控制等离子体中的电子的能量分布的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置(10)具备：等离子体处理室(11)；与等离子体处理室(11)连通的等离子体生成室(12)；用于生成等离子体的高频天线(16)；用于控制等离子体中的电子的能量的等离子体控制板(17)；用于调整等离子体控制板(17)的位置的操作棒(171)及移动机构(172)。在该等离子体处理装置(10)中，仅通过利用移动机构(172)使操作棒(171)沿着长度方向移动来调整高频天线(16)与等离子体控制板(17)之间的距离，就能够控制在等离子体生成室(12)内生成的等离子体的电子的能量分布，因此能够容易地进行与离解的气体分子的种类或其离解能对应的等离子体处理。
等离子体处理装置

[实用新型]一种液体瀑布式处理的介质阻挡低温等离子体装置-CN202020465416.1有效
发明人：余莉萍;沈中增;唐田田;窦凤玲;李玲玲 -专利权人：苏州敬天爱人环境科技有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及等离子体技术领域，特别涉及一种液体瀑布式处理的介质阻挡低温等离子体装置，包括等离子体装置本体，等离子体装置本体的下表面固定设置有等离子体装置底板，等离子体装置底板的上表面焊接设置有等离子体装置主承轴等离子体装置主承轴采用不锈钢材料制成，本实用新型通过设计的等离子体介质阻挡器可在电子离开原子核时进行阻挡，使得电离的过程中离子中正负电荷总量相等，通过设计的等离子体介质阻挡控制按钮可有效对介质阻挡进行控制，等离子体低温调节器可有效使得离子体装置就需要在低温环境下进行，使得外层电子摆脱原子核的束缚成为自由电子稳定，通过设计的等离子体装置电源开关可有效控制等离子体装置开关。
一种液体瀑布处理介质阻挡低温等离子体装置

[发明专利]电子束等离子体源辅助等离子体源的磁约束系统及方法-CN202010824473.9有效
发明人：叶孜崇;张炜;靳琛垚;徐国盛 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子束等离子体源辅助等离子体源的磁约束系统及方法，包括：主电子束等离子体源，通过真空法兰连接到辅助等离子体源；所述辅助等离子体源包括一个介质真空腔、射频天线、磁体支撑机构、以及一个或多个磁体；所述辅助等离子体源通过射频加热激发产生等离子体；所述介质真空腔外围包裹着射频天线，用于加热激发等离子体；所述的介质真空腔外围还设置有磁体支撑机构，其上设置有所述磁体，用于制造磁场对激发等离子体加以约束，磁体支撑机构通过垂直调节机构对磁体与磁体之间及磁体与腔体之间的距离的调节；使磁力线不进入主电子束等离子体源范围，从而在实现辅助等离子体源补充自由基的同时，不影响主电子束等离子体源的整体电势。
电子束等离子体辅助约束系统方法

[发明专利]针对用于等离子体加热的电子束的系统、装置和方法-CN202180089586.1在审
发明人： A·特卡乔夫;S·科雷帕诺夫 -专利权人：阿尔法能源技术公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H05H1/16 文献下载
摘要：用于等离子体加热的带有等离子体发射器的长脉冲高功率电子束。该电子束包括电弧等离子体源、由加速栅的系统构成的电子光学系统、包括磁系统的束线、等离子体发生器线圈、等离子体发射器线圈、透镜线圈和束传输线圈，该磁系统用于提供有效的电子束形成、传输和向感兴趣的等离子体约束装置中的最终注入
针对用于等离子体加热电子束系统装置方法

[发明专利]一种等离子体制氢的方法-CN201710528309.1有效
发明人：黄民双 -专利权人：北京石油化工学院
申请日： 2017-07-01 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C01B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体制氢的方法，具体包括：以水为介质，利用激光诱导水击穿产生等离子体为接触辉光放电提供种子电子；所述接触辉光放电产生的等离子体同时为所述激光诱导水击穿提供种子电子，使之建立雪崩击穿水产生等离子体，以维持激光电离通道的电子密度，实现水接触辉光放电等离子体的持续产生；利用水接触辉光放电所产生的等离子体来制氢。上述方法可用较低的光能和电能产生接触低温等离子体，解决水中接触辉光放电产生等离子体的困难，从而实现以水为原料的低温等离子体制氢。
一种等离子体制方法

[发明专利]基于等离子体的电子捕获解离装置以及相关系统和方法-CN201410638382.0有效
发明人： T·里斯特夫;M·丹宁;K·R·牛顿;G·帕特里奇 -专利权人：安捷伦科技有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：在此公开基于等离子体的电子捕获解离装置以及相关系统和方法。所述电子捕获解离(ECD)装置(100；200；400；500；600；806；906；1006；1106，1206；1306)包括等离子体源(102；202；402；502)，其用于生成等离子体。在等离子体源内部或外部，分析物离子在ECD互作用区域(110；210；410；510)中暴露于等离子体。所述装置可以包括用于在准备与所述分析物离子的互作用中提纯所述等离子体的一个或多个设备。提纯可以必需从等离子体(例如光子、亚稳颗粒、中性颗粒和/或不适合于ECD的高能量电子)移除不想要的核素和/或控制所述等离子体中的低能量电子的密度。
基于等离子体电子捕获解离装置以及相关系统方法

[发明专利]一种产生无鞘层等离子体的设备及方法-CN201810232924.2有效
发明人：赵海龙;郑薇薇;林忠英 -专利权人：台州学院
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种产生无鞘层等离子体的设备及方法，通过在等离子体产生区域的外围设置使等离子体区域外围形成涡旋气流的装置，使等离子体区域向外运动的电子与等离子体区域外围的高密度中性气体气流碰撞损失能量并与离子中和，进而形成无鞘层等离子体。设备包括在等离子体区域的外围均匀排布的多个气体射流源，多个气体射流源使等离子体区域外围形成涡旋气流。本发明通过在等离子体产生区域外围设置涡旋生成设备，通过高密度的中性气体流来碰撞向外运动的电子，通过碰撞中和电子，进而避免在壁面产生鞘层的情况，从而产生无鞘层边界的等离子体，本发明可以与各种等离子体发生设备相结合，为等离子体特性的研究及应用提供条件。
一种产生无鞘层等离子体设备方法

[发明专利]一种基于电流驱动技术反场位形结构的高密度等离子体射流发生装置-CN201910625548.8有效
发明人：张仲麟;孙宇飞 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：一种基于电流驱动技术反场位形结构的高密度等离子体射流发生装置，属于低温等离子体的应用技术领域，本发明为解决射频感应耦合等离子体源在模式转换时存在不稳定放电阶段，导致等离子密度、电子能量分布、气体宏观温度以及均匀性很难同时满足要求的问题本发明包括圆台型的石英腔体；石英腔体沿轴向分成两部分，靠近小端口的首端区域为等离子体产生区，靠近大端口的尾端区域为等离子体加速区；工作气体在等离子体产生区被击穿生成种子电子，所述种子电子在旋转磁场作用下生成高密度等离子体；所述等离子被拉伸至等离子体加速区进行加速形成等离子体射流，并向真空腔气室喷射。
一种基于电流驱动技术反场位形结构高密度等离子体射流发生装置

[发明专利]用于处理工件的等离子体反应装置-CN201710407698.2在审
发明人：李兴存 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用于处理工件的等离子体反应装置，其包括电子束产生腔、过滤装置和工艺腔，其中，电子束产生腔位于工艺腔的外部，且通过过滤装置与工艺腔相连通，并且电子束产生腔包括电感耦合等离子体源，该电感耦合等离子体源用于产生第一等离子体；过滤装置用于使第一等离子体在经过过滤装置进入工艺腔时，形成电子束，该电子束用于激励工艺腔内的工艺气体产生第二等离子体，该第二等离子体用于处理工件。本发明提供的用于处理工件的等离子体反应装置，其可以降低电子温度，从而可以解决因电子温度过高引起的晶片表面损伤的问题。
工艺腔等离子体处理工件过滤装置等离子体反应装置电子束产生电子束电感耦合等离子体源工艺气体晶片表面温度过高损伤外部

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条