专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [其他]相位相器-CN101985000007517在审
  • 池田明宽 - 日本电气株式会社
  • 1985-10-10 - 1988-04-27 -
  • 相位相器,包括一90°的混合电路,一矢量组合器和两个含有PIN二极管的衰减器,其中的衰减器含有DC运算放大器,运算放大器供给PIN二极管直流电流,相位相器还包括有一偏压电路,利用单一的可变电阻控制两运算放大器
  • 相位移相器
  • [发明专利]相位光罩缺陷补偿方法、装置及相位光罩-CN201811044352.1有效
  • 请求不公布姓名 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2018-09-07 - 2023-09-01 - G03F1/72
  • 本发明涉及一种相位光罩缺陷补偿方法、装置及相位光罩,方法包括:根据提供的相位光罩,获取相位光罩的参数;根据相位光罩的参数建立检测模型;通过检测模型结合照明条件以及晶圆的光刻胶性质,计算出相位光罩中的相位垫层图案上的缺陷区域;缺陷区域为相位光罩曝光时导致晶圆的表面出现破口的区域;根据缺陷区域的边界,确定需要覆盖在缺陷区域上的不透光层的边界;不透光层覆盖缺陷区域。本发明实施例通过检测相位垫层图案中的缺陷区域,并在缺陷区域上覆盖不透光层,实现在通过相位光罩对晶圆曝光时,在不透光层的作用下,与缺陷区域对应的晶圆表面位置处不再出现破口。
  • 相位移光罩缺陷补偿方法装置
  • [发明专利]光学光刻方法-CN03155531.4有效
  • 赖俊丞 - 力晶半导体股份有限公司
  • 2003-08-28 - 2005-03-09 - G03F1/16
  • 提供一相位掩模,其包括多个第一、二相位透光区域和一非相位区域。第一、二相位透光区域呈有规律性的交错阵列排列。并且第一、二相位透光区域被非相位区域分隔。进行一曝光工艺以在光致抗蚀剂层内形成分别对应于第一、二相位透光区域的封闭图案。
  • 光学光刻方法
  • [发明专利]一种相位选择器和相位选择信号输出方法-CN202111025426.9在审
  • 曲维淼;郭玉;傅懿斌 - 青岛信芯微电子科技股份有限公司
  • 2021-09-02 - 2022-01-04 - H03H11/16
  • 本发明公开了一种相位选择器和相位选择信号输出方法,用以提高相位选择器的灵活性和移植性。相位选择器包括移位信号产生电路、移位电路和相位选择电路,移位信号产生电路在相位动标志信号的控制下,对相位选择信号进行计数,并将得到的计数信号与移位个数信号进行比较,根据比较结果、相位动标志信号和相位选择信号输出相位动信号,移位电路在相位动信号的控制下,改变相位选择开关信号,相位选择电路根据改变后的相位选择信号,从n个具有不同相位的数据信号中选择一个数据信号作为相位选择信号。由于在相位动信号的控制下,改变相位选择开关,选择不同相位的数据信号作为相位选择信号,从而可以提高相位选择器的灵活性和可移植性。
  • 一种相位选择器选择信号输出方法

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