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[发明专利]电阻变化型非易失性存储器件及其操作方法、半导体器件-CN201210339422.2有效
发明人：寺井真之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及电阻变化型非易失性存储器件及其操作方法、半导体器件。提出一种电阻变化型非易失性存储器件，其能够执行低压和高速切换行为，同时抑制变化。该电阻变化型非易失性存储器件具备第一电极；设置在第一电极上的电阻变化部；以及设置在电阻变化部上的第二电极。电阻变化部具备设置在第一电极上并通过施加的电压经历电阻变化的电阻变化层以及设置在电阻变化层上并形成细丝的稳定层。电阻变化层和稳定层由彼此不同的金属氧化物制成。电阻变化层的氧化物形成能高于稳定层的氧化物形成能。电阻变化层具有如下膜厚，使得允许电阻变化部在断开状态下的电阻处于由该膜厚确定的范围内。
电阻变化非易失性存储器及其操作方法半导体器件

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法-CN201280004090.0有效
发明人：藤井觉;伊藤理;三河巧 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：提供一种非易失性半导体存储装置，具备减小了构成电阻变化元件的下部电极和电阻变化层之间的寄生电阻的电阻变化元件。该非易失性半导体存储装置具备：基板（201）；以及电阻变化元件（208），形成于基板（201）上；电阻变化元件（208）具有：下部电极层（202），形成于基板（201）上；电阻变化层（203），形成于下部电极层（202）上；以及上部电极层（204），形成于电阻变化层（203）上；下部电极层（202）至少包括：第1导电层（202a）；以及第2导电层（202c），形成于第1导电层（202a）上，与电阻变化层（203）相接；在第1导电层（202a）的上表面形成有第1导电层（202a）被氧化而成的层、即氧化变质层（202b）。
非易失性半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]电阻变化元件及其制造方法-CN201280001934.6有效
发明人：魏志强;高木刚;三谷觉;川岛良男;高桥一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种电阻变化元件，具有第1电极（107）、第2电极（105）、以及介于第1、第2电极（107、105）间并与第1、第2电极（107、105）相接而设置、基于施加的电信号而电阻值可逆地变化的电阻变化层（106）；电阻变化层（106）通过由氧不足型的第1金属氧化物构成的第1电阻变化层（106b）、和由氧不足度比第1电阻变化层（106b）的氧不足度小的第2过渡金属氧化物构成的第2电阻变化层（106a）的层叠构造而构成；第2电极（105）在与第2电阻变化层（106a）之间的界面处仅具有一个针状部；第2电阻变化层（106a）介于第1电阻变化层（106b）与第2电极（105）之间并与第1电阻变化层（106b）和第2电极（
电阻变化元件及其制造方法

[发明专利]电阻变化元件及其制造方法-CN201080001717.8无效
发明人：辻清孝 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供电阻变化元件，该电阻变化元件提高电阻变化动作的稳定性，且能降低刚制造后的初始状态的电阻变化元件最初进行低电阻化所需的电流。电阻变化元件包括：第一电极(101)；在第一电极上形成的存储器单元孔(150)；第一电阻变化层(201)，形成为覆盖存储器单元孔(150)的底部，且覆盖第一电极(101)的上面；第二电阻变化层(202)，形成为覆盖第一电阻变化层(201)；以及在存储器单元孔(150)上形成的第二电极(102)。第一电阻变化层(201)的在存储器单元孔(150)底的膜厚向存储器单元孔(150)的周边部连续减小，并在存储器单元孔(150)周边部附近成为极小值，并且第一电阻变化层(201)中的氧浓度比第二电阻变化层
电阻变化元件及其制造方法

[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法-CN200980148572.1无效
发明人：三河巧;川岛良男;姬野敦史 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种在低电压下稳定地发生电阻变化，适合微细化的电阻变化型非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：基板(100)；第一电极(101)；层间绝缘层(102)；形成于层间绝缘层的存储器单元孔(103)；第一电阻变化层(104a)，其形成于存储器单元孔的至少底部，与第一电极连接；第二电阻变化层(104b)，其形成于存储器单元孔(103)内的第一电阻变化层(104a)上；和第二电极(105)，第一电阻变化层(104a)和第二电阻变化层(104b)由同种金属氧化物构成，第一电阻变化层(104a)的氧含有率比第二电阻变化层(104b)的氧含有率高。
非易失性存储装置及其制造方法

[发明专利]存储装置和用于制造存储装置的方法-CN201010511478.2无效
发明人：角野润;保田周一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明提供一种存储装置和用于制造存储装置的方法，所述存储装置包括电阻变化型存储元件，且该存储装置包括：第一存储元件，其包括第一电阻变化层和连接至所述第一电阻变化层的第一电极；以及第二存储元件，其包括第二电阻变化层和连接至所述第二电阻变化层的第二电极，其中，所述第二电阻变化层的厚度和材料以及所述第二电极与所述第二电阻变化层的接触面积中的至少一者，不同于所述第一电阻变化层的厚度和材料以及所述第一电极与所述第一电阻变化层的接触面积中的对应的一者。
存储装置用于制造方法

[发明专利]一次性编程电阻式存储器-CN201510326415.2有效
发明人：陈达;林孟弘;王炳琨;廖绍憬 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种一次性编程电阻式存储器，包括：基底；第一电极，设于基底上；电阻变化层，设于第一电极上，其中电阻变化层为2^N‑1层的电阻转态层，N为1以上的正整数；及第二电极，设于电阻变化层上，其中一次性编程电阻式存储器不包括对应至电阻变化层的存取晶体管。本发明通过使一次性编程电阻式存储器不具有对应至每一电阻变化层的存取晶体管及/或使用多层的电阻转态层作为其电阻变化层，可使一次性编程电阻式存储器更进一步微小化以提升其存储器密度，并可更进一步降低其操作电压
一次性编程电阻存储器

[发明专利]非易失性存储元件及其制造方法-CN201180007789.8有效
发明人：米田慎一;三河巧 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明的非易失性存储元件具有：电阻变化元件（104a），其具有第1电极（103）、第2电极（105）和电阻变化层（104），该电阻变化层（104）介于第1电极（103）和第2电极（105）之间，并且电阻值根据提供到第1电极（103）和第2电极（105）之间的电信号而可逆地变化；以及固定电阻层（108），其具有规定的电阻值，被层叠于电阻变化层（104），电阻变化层（104）具有缺氧型的第1过渡金属氧化物层（106）、和具有比第1过渡金属氧化物层（106）高的含氧率的第2过渡金属氧化物绝缘层（107），规定的电阻值为70Ω以上且1000Ω以下。
非易失性存储元件及其制造方法

[发明专利]非易失性存储元件及其制造方法-CN200980148805.8有效
发明人：川岛良男;三河巧;魏志强;姬野敦史 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明的非易失性存储元件(10)包括：基板(11)；在基板(11)上按顺序形成的下部电极层(15)和电阻层(16)；在电阻层(16)上形成的电阻变化层(31)；在下部电极层(15)的上方形成的配线层(20)；介于基板(11)与配线层(20)之间，以从配线层(20)到达电阻变化层(31)的方式形成的接触孔(26)且至少覆盖下部电极层(15)和电阻层(16)的层间绝缘层(17)；在接触孔(26)中以与电阻变化层(31)和配线层(20)连接的方式形成的上部电极层(19)，电阻变化层(31)的电阻值通过在下部电极层(15)与上部电极层(19)之间施加电脉冲而可逆地变化。
非易失性存储元件及其制造方法

[发明专利]具有电阻变化层的非易失性存储器件及其操作方法-CN202010889134.9在审
发明人：韩在贤;李世昊;刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：根据实施例的非易失性存储器件包括衬底、设置在衬底上的电阻变化层、设置在电阻变化层上的栅电极层、以及设置在衬底中并接触电阻变化层的不同部分的第一电极图案层和第二电极图案层。电阻变化层包括可移动氧空位和可移动金属离子。
具有电阻变化非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211389344.7在审
发明人：李雨哲;具元泰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开涉及包括电阻变化层和嵌入金属离子的金属有机框架层的半导体器件及其制造方法。根据本公开的实施方式的半导体器件包括第一电极、设置在第一电极上的第一电阻变化层、设置在第一电阻变化层上的导电控制层、设置在导电控制层上的第二电阻变化层以及设置在第二电阻变化层上的第二电极。导电控制层包括金属有机框架层和嵌设在金属有机框架层中金属粒子。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法-CN201080003184.7无效
发明人：三河巧;川岛良男 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明的目的在于，通过降低用于使电阻变化的击穿电压且抑制其不均匀，从而实现存储器的微细化·大容量化。本发明的非易失性存储装置(10)具备：下部电极(105)，形成在基板(100)上；第1电阻变化层(106a)，形成在下部电极(105)上，由过渡金属氧化物构成；第2电阻变化层(106b)，形成在第1电阻变化层(106a)上，由含氧量比第1电阻变化层(106a)的过渡金属氧化物高的过渡金属氧化物构成；以及上部电极(107)，形成在第2电阻变化层(106b)上；在第1电阻变化层(106a)与第2电阻变化层(106b第2电阻变化层(106b)覆盖该台阶(106ax)形成，且在台阶(106ax)的上方具有弯曲部(106bx)。
非易失性存储装置及其制造方法

[发明专利]非挥发性存储元件、非挥发性存储装置及非挥发性存储元件的写入方法-CN201280003077.3有效
发明人：村冈俊作;魏志强;高木刚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种非挥发性存储元件，其中，在电脉冲的电压值具有V2＞V1＞0V＞V3＞V4的关系、电阻变化层的电阻值具有R3＞R2＞R4＞R1的关系的情况下，在对电极间外加电压值为V2以上的电脉冲时，电阻变化层为R2，在对电极间外加电压值为V4以下的电脉冲时，电阻变化层为R4，当电阻变化层的电阻值为R2时，在对电极间外加电压值为V3的电脉冲时，电阻变化层为R3，当电阻变化层的电阻值为R4时，在对电极间外加电压值为V1的电脉冲时，电阻变化层为R1。
挥发性存储元件装置写入方法

[发明专利]电阻变化型非易失性存储元件的写入方法-CN201280001911.5有效
发明人：片山幸治;三谷觉;高木刚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法具有：基于第一电极（1），对第二电极（2）施加负第一电压，而使电阻变化层（3）成为低电阻状态的步骤（S11）；以及使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S12其中，使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S12）具有：基于第一电极（1）对第二电极（2）施加正的第二电压的步骤（S121）；在基于第一电极（1）对第二电极（2）施加正的第二电压步骤（S121）之后，通过基于第一电极（1），对第二电极施加使电阻变化层（3）从高电阻状态变化为低电阻状态的比负的阈值电压的绝对值小的负的第三电压，从而使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S122）。
电阻变化型非易失性存储元件写入方法

[发明专利]非易失性存储元件、其制造方法、其设计辅助方法及非易失性存储装置-CN201180002106.X有效
发明人：早川幸夫;三河巧;川岛良男;二宫健生 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种能够进行低电压下的初始化的非易失性存储元件，具备电阻变化层(116)，介于下部电极(105)和上部电极(107)之间，根据给两个电极间供应的电信号其电阻值可逆地变化。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(第2过渡金属氧化物(116a)的缺氧率比第1过渡金属氧化物(116b)的缺氧率及第3过渡金属氧化物(116c)的缺氧率的任一个都高，第2过渡金属氧化物(116a)及第3过渡金属氧化物(116c)和第1电阻变化层
非易失性存储元件制造方法设计辅助装置

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