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[发明专利]电阻变化元件的制造方法及电阻变化元件-CN201880025658.4在审
发明人：宫口有典;神保武人;真仁田峻;太田俊平;安炯祐 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明的课题在于成本低且电特性优异的电阻变化元件的制造。电阻变化元件的制造方法包括如下工序：在基板上形成第一氮化钛电极层。在上述第一氮化钛电极层上形成具有第一电阻率的第一金属氧化物层。在上述第一金属氧化物层上形成具有与上述第一电阻率不同的第二电阻率的第二金属氧化物层。在对上述基板施加偏置电压的同时，在上述第二金属氧化物层上通过溅射法形成第二氮化钛电极层。
金属氧化物层氮化钛电极层电阻率电阻变化元件基板偏置电压电特性溅射法制造施加

[发明专利]电阻变化型元件、电阻变化型存储装置和电阻变化型装置-CN200780048350.3无效
发明人：村冈俊作;小佐野浩一;藤井觉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：提供电阻变化型元件(10)、电阻变化型存储装置以及电阻变化型装置，其包括第一电极(2)、第二电极(4)、和配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其具有如下性质，即，电阻变化层(3)包含具有用(Ni_XFe_1-X)Fe₂O₄的化学式表示的尖晶石结构的材料，X大于等于0.35小于等于0.9，通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加具有第一电压的第一电压脉冲，使第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻降低，通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加具有极性与第一电压不同的第二电压的第二电压脉冲，使第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升。
电阻变化元件存储装置

[发明专利]存储装置-CN201110401835.4有效
发明人：対马朋人;北川真;椎本恒则;中岛智恵子;吉原宏;小方宪太郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储装置，其包括多个存储单元，每个存储单元包含第一电阻变化元件；以及读出电路，其通过比较从多个存储单元中选择的存储单元的电阻状态与基准存储单元的电阻状态，以判定第一电阻变化元件的电阻值的大小；其中，所述基准存储单元包含第二电阻变化元件，第二电阻变化元件相对于所施加电压的电阻值小于第一电阻变化元件在高电阻状态下的电阻值，并且第二电阻变化元件呈现出与第一电阻变化元件相同的电阻变化特性。本发明可精确地判定存储单元的电阻值大小，即，不考虑读出电压等级而判定所述状态是写入状态还是擦除状态。
存储装置

[发明专利]电阻变化型元件和电阻变化型存储装置-CN200780029617.4有效
发明人：村冈俊作;小佐野浩一;藤井觉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供电阻变化型元件和使用它的电阻变化型存储装置，电阻变化型元件(10)包括：第一电极；第二电极；以及配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其中，电阻变化层(3)包含具有以(Zn_xFe_1-x)Fe₂O₄的化学式表示的尖晶石结构的材料，并且该电阻变化型元件(10)具有下述特性：通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加第一电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升；通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加极性与第一电压脉冲相同的第二电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻下降。
电阻变化元件存储装置

[发明专利]存储装置-CN201910093751.5在审
发明人：佐贯朋也 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：实施方式的存储装置包含第1导电体、第1电阻变化元件、第2导电体、第2电阻变化元件、第3导电体、第1开关元件、及第2开关元件。第1开关元件与多个第1电阻变化元件中的2个及第2导电体连接，并且第2开关元件与多个第2电阻变化元件中的2个及第3导电体连接。或者，第1开关元件与多个第1电阻变化元件中的2个及第2导电体连接，并且第2开关元件与多个第2电阻变化元件中的2个及第2导电体连接。或者，第1开关元件与多个第1电阻变化元件中的2个及第1导电体连接，并且第2开关元件与多个第2电阻变化元件中的2个及第3导电体连接。
存储装置

[发明专利]电阻变化型存储器件-CN200880008210.8有效
发明人：加藤佳一;岛川一彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻变化型存储器件。本发明的电阻变化型存储器件(10)包括：电阻变化型元件(1)，当超过第一电压时向高电阻状态变化，当超过第二电压时向低电阻状态变化；控制装置(4)；与电阻变化型元件(1)串联连接的电压限制有源元件(2)；和通过电压限制有源元件(2)与电阻变化型元件(1)串联连接的电流限制有源元件(3)，控制装置(4)，在向高电阻状态变化的情况下，对电流限制有源元件(3)进行控制使得电流和第一电阻值的积在第一电压以上，并且对电压限制有源元件(2)进行控制使得电极间电压不足第二电压，且在向低电阻状态变化的情况下，对电流有源元件(3)进行控制使得电流和第二电阻值的积的绝对值在第二电压以上且电流和第一电阻值的积的绝对值不足第一电压。
电阻变化存储器件

[发明专利]电阻变化型非易失性存储元件的写入方法和电阻变化型非易失性存储装置-CN201080001861.1有效
发明人：东亮太郎;岛川一彦;村冈俊作;河合贤 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种即使是能出现半LR的状态的电阻变化元件也能修正为正常的低电阻状态并能最大限确保电阻变化窗口的电阻变化元件的写入方法。一种针对根据所施加的电压的极性而可逆地转变高电阻状态与低电阻状态的电阻变化元件(10a)的数据的写入方法，其包括：高电阻化写入步骤(405)，作为以下部电极(14t)为基准施加于上部电极(11)的电压，施加正的电压以使电阻变化元件(10a)成为高电阻状态(401)；低电阻化写入步骤(406)和(408)，施加负的电压以使电阻变化元件(10a)成为低电阻状态(403)和(402)；以及低电阻稳定化写入步骤(404)，通过在由低电阻化写入步骤(408)施加了负的电压之后施加正的电压，从而使电阻变化元件(10a)经过低电阻状态成为高电阻状态(401)。
电阻变化型非易失性存储元件写入方法装置

[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置及其写入方法-CN202180043696.4在审
发明人：河合贤;片山幸治 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2021-06-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：电阻变化型非易失性存储装置具备：电阻变化元件(RSE)，能够可逆地变化为高电阻状态和低电阻状态；以及电流供给电路(24)，对电阻变化元件通电用于使电阻变化元件从高电阻状态变化为低电阻状态的低电阻化电流，低电阻化电流的电流波形在时间轴上具有第1期间和接着第1期间的第2期间，低电阻化电流在第1期间对电阻变化元件施加第1电流，在第2期间对电阻变化元件施加比第1电流小的第2电流，第1期间结束时的第1电流不为0
电阻变化型非易失性存储装置及其写入方法

[发明专利]电阻变化存储器元件-CN201380040723.8在审
发明人：儿子精祐;胜满德;佐藤正幸;笹岛裕一 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2013-08-11 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻变化存储器元件(20A)，其包括：电阻变化绝缘膜(8)；源极电极(17A)，其配置在所述电阻变化绝缘膜的第1主面上；漏极电极(18A)，其配置在所述第1主面上；及栅极电极(19A)，其配置在与所述第1主面上相向的所述电阻变化绝缘膜的第2主面上。
电阻变化存储器元件

[发明专利]电阻变化元件及其制造方法-CN201280001934.6有效
发明人：魏志强;高木刚;三谷觉;川岛良男;高桥一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种电阻变化元件，具有第1电极（107）、第2电极（105）、以及介于第1、第2电极（107、105）间并与第1、第2电极（107、105）相接而设置、基于施加的电信号而电阻值可逆地变化的电阻变化层（106）；电阻变化层（106）通过由氧不足型的第1金属氧化物构成的第1电阻变化层（106b）、和由氧不足度比第1电阻变化层（106b）的氧不足度小的第2过渡金属氧化物构成的第2电阻变化层（106a）的层叠构造而构成；第2电极（105）在与第2电阻变化层（106a）之间的界面处仅具有一个针状部；第2电阻变化层（106a）介于第1电阻变化层（106b）与第2电极（105）之间并与第1电阻变化层（106b）和第2电极（
电阻变化元件及其制造方法

[发明专利]电阻变化元件的制造方法-CN201180030286.2有效
发明人：有田浩二;三河巧 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：电阻变化元件的制造方法包括：在基板上的层间绝缘膜中形成导电性塞柱的工序(1000~1004)；以将在上述导电性塞柱周围产生的上述层间绝缘膜的凹部及跨多个上述导电性塞柱产生的上述层间绝缘膜的凹部除去，并使上述导电性塞柱的上部从上述层间绝缘膜上表面突出的方式；在上述层间绝缘膜及上述导电性塞柱上，形成与上述导电性塞柱电连接的下部电极层的工序(1006)；将上述下部电极层上表面的突出部除去，使上述下部电极层上表面平坦的工序(1007)；在上述下部电极层上形成电阻变化层的工序(1008)；在上述电阻变化层上形成上部电极层的工序(1008)；及加工形成下部电极、电阻变化层及上部电极的工序(1009)。
电阻变化元件制造方法

[发明专利]电阻变化元件及其制造方法-CN200580001365.5有效
发明人：小田川明弘;杉田康成;菅野勉;酒井章裕;足立秀明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-09-07 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种具有与现有技术元件不同的结构，电阻变化特性优良的电阻变化元件。其存在电阻值不同的两种以上的状态，通过施加规定电压或者电流，可以从在上述两种以上的状态中选择的一种状态向另一种状态变化的电阻变化元件，其中，包括上部电极和下部电极以及由上述双方电极夹持的电阻变化层的多层构造体被配置在基板上，电阻变化层具有尖晶石结构，上述下部电极的上述电阻变化层的表面被氧化。这种电阻变化元件可在400℃以下的制造过程中制造。
电阻变化元件及其制造方法

[发明专利]电阻变化元件及其制造方法-CN201080001717.8无效
发明人：辻清孝 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供电阻变化元件，该电阻变化元件提高电阻变化动作的稳定性，且能降低刚制造后的初始状态的电阻变化元件最初进行低电阻化所需的电流。电阻变化元件包括：第一电极(101)；在第一电极上形成的存储器单元孔(150)；第一电阻变化层(201)，形成为覆盖存储器单元孔(150)的底部，且覆盖第一电极(101)的上面；第二电阻变化层(202)，形成为覆盖第一电阻变化层(201)；以及在存储器单元孔(150)上形成的第二电极(102)。第一电阻变化层(201)的在存储器单元孔(150)底的膜厚向存储器单元孔(150)的周边部连续减小，并在存储器单元孔(150)周边部附近成为极小值，并且第一电阻变化层(201)中的氧浓度比第二电阻变化层
电阻变化元件及其制造方法

[发明专利]电阻变化元件及其制造方法-CN200980111679.9无效
发明人：三谷觉;村冈俊作;神泽好彦;片山幸治;宫永良子;藤井觉;高木刚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法，该电阻变化元件的特征在于，包括：第一电极(103)；第二电极(107)；以及，设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间，并与第一电极(103)和第二电极(107)相接，能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层，其中，电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成，第二电极(107)由具有微小突起(108
电阻变化元件及其制造方法

[发明专利]存储元件及其驱动方法以及存储装置-CN201110193088.X有效
发明人：紫牟田雅之;角野润;保田周一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够通过改进高电阻状态的电阻分布而增大容量的存储元件、该存储元件的驱动方法以及一种存储装置。该存储元件包括：第一电极和第二电极；以及多个电阻变化元件，它们串联地电连接于第一电极和第二电极之间，所述多个电阻变化元件的电阻值响应于对第一电极和第二电极的电压施加而可逆变化，并且相对于电压施加而可变化为相同的电阻状态通过改进高电阻状态的电阻分布，本发明可实现容量的增大。
存储元件及其驱动方法以及装置

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