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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种电解电极及其制备方法、电解装置、衣物处理设备-CN201910415321.0在审
发明人：杨青波;周存玲;熊明;吴登军 -专利权人：无锡小天鹅电器有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种电解电极及其制备方法、电解装置、衣物处理设备；电解电极包括基体、过渡层以及电极催化材料层，过渡层附着于基体表面，电极催化材料层附着于过渡层表面，其中，过渡层的厚度满足：电子能够穿过过渡层本申请实施例的电解电极，过渡层比较薄，能使得电子由于量子隧穿效应能够穿过过渡层，如此，基本不影响电解电极的电催化性能；再者，过渡层起到了过渡连接的作用，能够极大地改善现有技术中因基体和电极催化材料层之间膨胀系数的差异引起的电极催化材料层出现裂纹的现象，提升电解电极的寿命。
一种电解电极及其制备方法装置衣物处理设备

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置-CN201210181618.3有效
发明人：刘翔;李禹奉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：其中，该薄膜晶体管阵列基板包括：由第一金属氧化物层形成的有源层；由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电极过渡层和漏电极过渡层；由源漏金属层形成的源电极、漏电极；其中，源电极过渡层位于所述有源层和所述源电极之间，所述漏电极过渡层位于所述有源层和所述漏电极之间。
薄膜晶体管阵列及其制造方法显示面板显示装置

[实用新型]薄膜晶体管阵列基板、显示面板、显示装置-CN201220261684.7有效
发明人：刘翔;李禹奉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：其中，该薄膜晶体管阵列基板包括：由第一金属氧化物层形成的有源层；由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电极过渡层和漏电极过渡层；由源漏金属层形成的源电极、漏电极；其中，源电极过渡层位于所述有源层和所述源电极之间，所述漏电极过渡层位于所述有源层和所述漏电极之间。
薄膜晶体管阵列显示面板显示装置

[发明专利]电阻式存储器元件及其制作方法-CN201810232230.9在审
发明人：曾柏皓;李峰旻 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电阻式存储器元件(resistive memory)包括：第一电极层、第一过渡金属氧化物层、第二过渡金属氧化物层以及第二电极层。其中，第一电极层包括钨(Tungsten，W)。第一过渡金属氧化物(transition metal oxides，TMO)层位于第一电极层上，且包括钛(Titanium，Ti)。第二过渡金属氧化物层，位于第一过渡金属氧化物层上，且包括硅(Silicon，Si)。第二电极层，位于第二过渡金属氧化物层上，且不包括钨。第一过渡金属氧化物层具有大于该第二过渡金属氧化物层的介电常数(dielectric constant)。
过渡金属氧化物层第一电极电阻式存储器元件第二电极过渡金属氧化物介电常数制作

[发明专利]一种高温静电卡盘及其制作方法-CN201810275868.0有效
发明人：王迪平;孙雪平;彭立波;张赛 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种高温静电卡盘，包括基座，基座上方依次设有上过渡层、吸附电极层和上绝缘层，基座下方依次设有下过渡层、加热电极层和下绝缘层，吸附电极层包括双吸附电极，吸附晶片时双电极分别通以幅度相同、极性相反且相位相差180°的直流脉冲电压，释放晶片时双电极的正负极性互换，加热电极层包括至少两个加热区，各加热区的圆心重合并均匀布置且加热功率独立控制。卡盘的制作方法，包括步骤：采用磁控镀膜在基座的上、下表面分别沉积上过渡层和下过渡层；在下过渡层背面沉积加热电极层；在加热电极层背面沉积下绝缘层；在上过渡层正面沉积吸附电极层；在吸附电极层正面沉积上绝缘层
一种高温静电卡盘及其制作方法

[发明专利]柔性压力传感及其制备方法-CN201911348848.2有效
发明人：冯雪;王志建;刘兰兰;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：柔性压力传感及其制备方法，该柔性压力传感器包括，第一电极层、第二电极层、介电层、设置于介电层与第一电极层之间的第一过渡层及设置于介电层与第二电极层之间的第二过渡层，第一过渡层由第一电极层材料及介电层材料混合而成，第二过渡层由第二电极层材料及第二过渡层材料混合而成。
柔性压力传感及其制备方法

[发明专利]一种复合电极材料及其制备方法与应用-CN202210422909.0有效
发明人：王慧;谢纪伟;吴植文;陆峻瀚;蒋铭泉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明提供一种复合电极材料及其制备方法与应用，所述复合电极材料包括铜基底、活性层和过渡层，所述过渡层生长于所述铜基底上，所述活性层生长于所述过渡层上且所述过渡层部分嵌入所述活性层；所述活性层包括梯度NixCoy‑LDH材料；所述过渡层包括Cu纳米棒阵列。本发明的复合电极材料通过在电极活性材料与基体材料界面结合处预先形成铜纳米棒阵列过渡层，加固二者之间的界面结合，提高电极的循环稳定性；同时纳米棒阵列深入电极活性材料沉积层内部，能有效降低整个电极的阻抗；进而也可以实现在基体上高负载活性材料
一种复合电极材料及其制备方法应用

[实用新型]一种新型平板显示器件-CN201922394553.0有效
发明人：张家 -专利权人：深圳瀚凯科技有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种新型平板显示器件，包括前玻璃、背玻璃、前电极、背电极、过渡电极、封接边、液晶、偏光片、后偏光层、定向层、过渡层和反射层，封接边呈对称设置设于前玻璃背部，偏光片设于前玻璃背面且设于封接边之间，过渡电极呈对称设置设于偏光片背部且设于封接边之间，过渡电极设于液晶和封接边之间，前电极、液晶、背电极、后偏光层、定向层、背玻璃和过渡层依次设于偏光片背部且设于过渡电极之间，反射层设于过渡层背部且设于封接边之间本实用新型属于平板显示器件技术领域，具体是一种具备两侧封接边包住内部各层，对内部各层两侧均匀用力；通过过渡层辅助反射层增加漫反射效果，从而实现提高显示效果的新型平板显示器件。
一种新型平板显示器件

[发明专利]紫外LED及其制作方法-CN202080097534.4在审
发明人：程凯;刘撰 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种紫外LED及其制作方法，制作方法中，在电子提供层上形成N型过渡层和/或在空穴提供层上形成P型过渡层，电子提供层与空穴提供层的材料都至少包括Al、Ga、N三种元素，N型过渡层与P型过渡层的材料为GaN；在N型过渡层上形成N电极，N型过渡层与N电极之间形成欧姆接触；在P型过渡层上形成P电极，P型过渡层与P电极之间形成欧姆接触。相对于在含铝GaN基材料上直接形成欧姆接触电极，可以避免退火，以及避免退火过程中的高温造成电子提供层性能下降，有源层中电子空穴复合率降低。
紫外 led 及其制作方法

[发明专利]存储单元及其制程-CN200710181113.6无效
发明人：李明道;何家骅;赖二琨;谢光宇 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-09-30 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：此制程是先于位于基底上方的导体层上形成第一电极层。然后，于第一电极层上形成过渡金属层。接着，对过渡金属层进行等离子体氧化步骤，以形成作为数据储存层的前驱物的过渡金属氧化物层。之后，于过渡金属氧化物层上形成第二电极层。在分别将第二电极层、过渡金属氧化物层与第一电极层图案化成第二电极、数据储存层与第一电极之后，形成了存储单元。
存储单元及其

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201110452030.2无效
发明人：成军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底；栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括互不相邻的第一过渡区和第二过渡区以及所述第一过渡区和第二过渡区之间的沟道区；以及所述第一过渡区和所述第二过渡区上的源电极层和漏电极层，其中，所述第一过渡区和所述第二过渡区的电阻率低于所述沟道区的电阻率，并且所述第一过渡区与所述源电极层之间形成欧姆接触，所述第二过渡区与所述漏电极层之间形成欧姆接触
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种内置电容及其制备方法-CN201210282288.7在审
发明人：陈冲;刘德波;彭勤卫;孔令文 -专利权人：深南电路有限公司
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01G4/002 文献下载
摘要：本发明公开了一种内置式电容，其包括第一电极、第二电极和设于第一电极和第二电极之间的介电层，介电层和第一电极之间设有第一过渡层，介电层和第二电极之间设有第二过渡层，介电层的材料为无机介电材料，第一过渡层和第二过渡层的材料均为环氧树脂或聚酰亚胺由于本发明在介电层和电极之间设有过渡层，过渡层和介电层没有采用无机/有机复合材料，省去了制备复合材料的环节，降低了原材料混入杂质的可能性，有利于制备高品质电容。另一方面，本发明可以采用喷墨打印的工艺制备过渡层，以及采用磁控溅射的工艺制备介电层，使得过渡层和介电层的厚度可以得到精确控制，提高了生产高品质内置电容的成品率。
一种内置电容及其制备方法

[发明专利]一种高介电常数的纳米叠层介电薄膜及其制备方法-CN202311181156.X在审
发明人：林全;王锋;苏子生;潘淼 -专利权人：泉州师范学院
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数的纳米叠层介电薄膜及其制备方法，属于介电薄膜材料技术领域。本发明纳米叠层介电薄膜其结构包括自下而上设置的硅基底、底电极保护层和过渡金属硫族化合物纳米叠层以及顶电极，硅基底与底电极保护层之间设置有底电极，过渡金属硫族化合物纳米叠层设置在底电极保护层的上方，过渡金属硫族化合物纳米叠层与顶电极之间设置有顶电极保护层；该过渡金属硫族化合物纳米叠层由两种或者三种过渡金属硫族化合物堆叠而成；顶电极保护层和底电极保护层的材料均采用硅铝混合物薄膜，过渡金属硫族化合物纳米叠层材料采用原子层淀积方法制备。
一种介电常数纳米叠层介电薄膜及其制备方法

[发明专利]非易失性存储元件和使用该元件的非易失性存储装置-CN200980101132.0无效
发明人：二宫健生;有田浩二;三河巧;藤井觉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储元件，其包括在基板(101)上形成的第一电极(103)、电阻变化层(108)和第二电极(107)，电阻变化层具有多层结构，该多层结构包括第一过渡金属氧化物层(104)、氧浓度高于第一过渡金属氧化物层(104)的第二过渡金属氧化物层(106)、过渡金属氧氮化物层(105)的至少3层。第二过渡金属氧化物层(106)与第一电极(103)或第二电极(107)中的任一个相接，过渡金属氧氮化物层(105)存在于第一过渡金属氧化物层(104)和第二过渡金属氧化物层(106)之间。
非易失性存储元件使用装置

[实用新型]一种新型压敏电阻芯片-CN201820374917.1有效
发明人：唐秋平;陈桥党;李万华;邓志勇;李绪友 -专利权人：东莞市东邦电子科技有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01C1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型压敏电阻芯片，包括基片，电极，并且，基片设置为圆片状结构，基片上下两侧均设置有电极，电极包括电极一和电极二，基片和电极一之间设置有过渡金属层一，并且，过渡金属层一的下端附着在基片顶端上，过渡金属层一的上端附着有电极一上，基片和电极二之间设置有过渡金属层二，并且，过渡金属层二的下端附着在基片顶端上，过渡金属层二的上端附着有电极二上，电极一的顶端设置有平面一，电极二的顶端设置有平面二，平面一与平面二上均设置有焊接座
电极过渡金属层附着压敏电阻芯片顶端设置基片顶端上端下端本实用新型圆片状结构上下两侧传统的焊接座通流量组合波减小

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