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[发明专利]一种冲击电压下介质击穿特性分析方法和相关装置-CN202010299448.3有效
发明人：孙文星;蔡玲珑;杨贤;马志钦;靳宇晖;饶章权;欧阳旭东;林春耀;周丹;江丹宇 -专利权人：广东电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种冲击电压下介质击穿特性分析方法和相关装置，利用冲击电压击穿时的击穿电压、电流和击穿持续时间计算击穿能量损失，并以击穿起始时刻为横轴，击穿能量损失为纵轴绘制曲线，生成冲击电压下击穿能量分布曲线，通过分析击穿能量分布曲线得到绝缘介质击穿特性分析结果，同时考虑了击穿电压、击穿电流和击穿持续时间的因素，从而使得冲击电压下绝缘介质击穿特性的表征更为全面，解决了现有的冲击压下介质击穿特性分析方法不能全面地表征击穿特性的技术问题
一种冲击压下介质击穿特性分析方法相关装置

[发明专利]一种电子陶瓷材料高压击穿评估方法和装置-CN202211282241.0在审
发明人：万莉莉;熊政伟;高志鹏;竹文坤 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子陶瓷材料高压击穿评估方法和装置，包括：使用微秒脉冲高压发生装置对陶瓷样品进行脉冲电压加载，实时监控陶瓷样品在电压击穿过程中的电压和电流信号，通过测量陶瓷样品等效电阻的变化来表征击穿的产生和发展过程；分析陶瓷样品电流/电压‑时间曲线，获得击穿电压幅值、击穿电压变化率、电压平均上升斜率、击穿电压弛豫时间；分析陶瓷样品电流/电压随时间阶段变化的过程，揭示陶瓷材料结构因子对电击穿过程的影响规律。本发明可以对所有电子陶瓷进行高电压击穿实验，并给出电子陶瓷高电压击穿的结构判据，揭示电子陶瓷的电击穿机理，为电子陶瓷电击穿行为的评估提供了科学方法。
一种电子陶瓷材料高压击穿评估方法装置

[发明专利]检测半导体器件介质层可靠性的方法和装置-CN201010154824.6有效
发明人：简维廷;赵永;韩坤 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种检测半导体器件介质层可靠性的方法和装置，其中，所述方法包括：基于斜坡电压测试和时间相关介质击穿测试的介质层击穿过程，确定介质层的斜坡击穿电压和时间相关介质击穿时间之间的转换关系；利用斜坡电压测试，测试一组样品的介质层的斜坡击穿电压Vbd1，Vbd2......Vbdn；利用韦伯分布对所述斜坡击穿电压Vbd1，Vbd2......Vbdn进行拟合；基于所述拟合结果，确定与预定斜坡电压击穿累积失效率对应的斜坡击穿电压；利用所述介质层的斜坡击穿电压和时间相关介质击穿时间之间的转换关系，将所述确定的斜坡击穿电压转换为时间相关介质击穿时间。
检测半导体器件介质可靠性方法装置

[发明专利]电极空气间隙击穿电压的预测方法-CN201310752299.1有效
发明人：阮江军;舒胜文;黄道春;普子恒 -专利权人：武汉大学
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电极空气间隙击穿电压的预测方法，首先，测量不同结构典型电极空气间隙的击穿电压值，并定义耐受电压区间和击穿电压区间；然后，对不同结构典型电极间隙进行电场计算并提取电场特征量，构建训练样本集；接着，基于训练样本集构建击穿电压预测模型，该击穿电压预测模型以电场特征量为输入、以耐受电压区间和击穿电压区间为输出；最后，采用击穿电压预测模型预测电极空气间隙的击穿电压。
电极空气间隙击穿电压预测方法

[发明专利]基于深度学习的真空击穿类型甄别方法-CN202310569343.9在审
发明人：李世民;徐勋晨;张潮海 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F18/2415 文献下载
摘要：本发明涉及真空击穿技术，具体公开基于深度学习的真空击穿类型甄别方法，属于计算、推算或计数的技术领域。该方法测量击穿电压数据与击穿电流数据，获取击穿电压‑电流数据；获取击穿电压‑电流数据后分类标记得到真空击穿样本；将真空击穿样本划分为训练集、验证集和测试集；构建包括击穿时刻定位模块、预击穿过程提取模块和图像处理模块、基于卷积神经网络的特征提取与识别模块的真空击穿类型甄别模型；训练并测试真空击穿类型甄别模型；输入击穿电压电流数据至真空击穿类型甄别模型进行真空击穿类型甄别。本发明仅需利用击穿电压电流数据即可完成真空击穿类型甄别，实现简易准确快速甄别真空击穿类型的目的。
基于深度学习真空击穿类型甄别方法

[发明专利]一种绝缘介质击穿实验装置及方法-CN202010700888.5在审
发明人：李化;林福昌;朱庆东;方田;国江;马跃;唐乐天;齐亮;严飞;黄想 -专利权人：华中科技大学;国网山东省电力公司电力科学研究院
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明属于高压绝缘领域，具体涉及一种绝缘介质击穿实验装置及方法，包括：工频电压发生电路，谐波电压发生电路，待击穿的绝缘介质，以及电压测量电路；工频电压发生电路和谐波电压发生电路分别用于对应产生幅值可调的工频电压和频率、幅值均可调的谐波电压，并叠加于绝缘介质的两端，电压测量电路用于测量绝缘介质两端的电压，以获得绝缘介质的击穿电压；在绝缘介质击穿后所产生的击穿电流通过工频电压发生电路和谐波电压发生电路而分别构成回路。本发明绝缘介质击穿试验平台，工频电压幅值可调，谐波电压频率、幅值均可调，可以输出足够介质击穿的电压和频率，同时使得在绝缘介质击穿后能可靠地保护设备不受到损坏。
一种绝缘介质击穿实验装置方法

[发明专利]一种射频信号放大电路和通信装置-CN202211703448.0在审
发明人：蒋桂云;牛旭;侯阳 -专利权人：广州慧智微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种射频信号放大电路和通信装置，该射频信号放大电路包括：击穿电压保护电路和用于放大射频信号的晶体管；击穿电压保护电路的一端与晶体管的输入端连接；击穿电压保护电路的另一端接地；晶体管的输出端用于输出放大的射频信号；击穿电压保护电路在晶体管的输入端输入的射频信号的电压值大于或等于击穿电压保护电路的导通电压值的情况下导通，且击穿电压保护电路的阻值随电压值的增大而减小，晶体管的击穿电压增大；击穿电压保护电路在晶体管的输入端输入的射频信号的电压值小于导通电压值的情况下截止
一种射频信号放大电路通信装置

[发明专利]一种检测高分子清洗剂击穿电压的方法-CN201210174056.X无效
发明人：熊鸣翔;龚秋霖 -专利权人：上海市电力公司;华东电力试验研究院有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测高分子清洗剂击穿电压的方法，采用可编程的击穿电压测定仪对高分子清洗剂的击穿电压进行检测，将被测高分子清洗剂沿杯壁倒入试验杯中，设定击穿电压测定仪的检测程序，控制升压速度为2kV/s，到电压升高到击穿电压时流过击穿电压测定仪的电流会突然升高点的电压即为击穿电压，重复上述步骤，测量6次后取检测数据的平均值即为被测的高分子清洗剂的击穿电压值。与现有技术相比，本发明使用可编程的仪器加压测定的方式，解决了对高分子带电清洗剂击穿电压测定的问题，通过计算机进行控制升压并对采集得到的数据进行分析处理，操作简单，获得的检测结果也比较精确。
一种检测高分子洗剂击穿电压方法

[发明专利]一种高电压瞬态电压抑制器芯片及生产工艺-CN201110441644.0有效
发明人：薄勇;王军明;刘长蔚;刘宁;白树军;王维;卢凯;刘振宇 -专利权人：天津中环半导体股份有限公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种高电压瞬态电压抑制器芯片及生产工艺，采用增加辅助击穿扩散结的芯片结构，芯片主体结可使击穿电压达到250V-400V，而在芯片台面沟槽附近区域设计的辅助PN结，其击穿电压高于主体结击穿电压，使主体结区域先击穿，漏电流分布于主体结区域，而辅助结区域不发生击穿，从而解决了单扩散结结构在生产高电压芯片时的漏电大，击穿电压低，易损坏的问题，提高了高电压瞬态电压抑制器的耐压性能，同时提高瞬态电压抑制器的抗浪涌能力及可靠性
一种电压瞬态抑制器芯片生产工艺

[实用新型]用于检测隔膜击穿电压的测试装置-CN201920913490.2有效
发明人：左浩峰;张叶青;张翰林;翁星星;陈朝晖;贡晶晶 -专利权人：江苏厚生新能源科技有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于检测隔膜击穿电压的测试装置，本测试装置包括：上、下电极板和升压测试电路；所述升压测试电路与上、下电极板电性相连；所述升压测试电路适于通过上、下电极板对放置在上电极板和下电极板之间的隔膜施加上升电压，以对隔膜进行击穿；以及所述升压测试电路适于检测隔膜在被击穿时的击穿电压值；本实用新型通过对两电极板之间的隔膜进行隔膜击穿并检测击穿电压值，实现了对一卷隔膜所测试的区域击穿电压数据快速检测的功能，并能够统计隔膜的面区域内最低击穿电压，同时能够用于固定电压击穿点统计，在保持不断电压的情况下提起上电极板，移动隔膜测试区域，判断隔膜在某一电压下的全区域击穿情况。
用于检测隔膜击穿电压测试装置

[发明专利]振荡型冲击电压下绝缘介质击穿特性分析方法和装置-CN201410802595.2有效
发明人：陆国俊;熊俊;王斯斯;李智宁;敖昌民;李军浩;谢剑翔;钟少泉;吴晓桂;曾植榆;李晓 -专利权人：广州供电局有限公司;西安交通大学
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：一种振荡型冲击电压下绝缘介质击穿特性分析方法及装置，该方法包括步骤：采用具有相同特性的振荡型冲击电压信号进行预设次数的击穿试验；记录各次击穿试验中绝缘介质在振荡型冲击电压的波形下击穿时的击穿信号；根据振荡型冲击电压信号的振荡频率确定振荡型冲击电压信号的振荡周期，确定各振荡周期的持续时间；根据记录的各击穿信号，统计确定各次击穿试验中总的击穿次数，根据各振荡周期的持续时间计算各振荡周期内的击穿次数；根据各振荡周期的击穿次数、总的击穿次数，确定各振荡周期的击穿概率；根据振荡周期数、各振荡周期的击穿概率，形成振荡周期放电概率曲线。本发明实施例方案可以有效地对振荡型冲击电压对绝缘介质的影响进行分析。
振荡冲击压下绝缘介质击穿特性分析方法装置

[发明专利]一种短空气间隙击穿电压的预测方法、系统及存储介质-CN202010773861.9有效
发明人：赵勇军;白力源;廖圣 -专利权人：云南电力技术有限责任公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明提供一种短空气间隙击穿电压的预测方法、系统及存储介质，所述方法包括对短空气间隙进行击穿试验和耐压试验，多次采集短空气间隙击穿状态和耐受状态下的电压值、温度值和相对湿度值，得到多个短空气间隙击穿状态和耐受状态下的电压值、温度值和相对湿度值；根据多个短空气间隙击穿状态和耐受状态下的电压值、温度值和相对湿度值，构建样本数据集后抽取部分样本数据集，得到训练样本集；根据训练样本集，通过分类算法构建击穿电压预测模型；根据击穿电压预测模型，预测短空气间隙的击穿电压。本发明短空气间隙击穿电压的预测方法提高了预测的精准度，仅仅需要少量数据，就能实现对不同温度值和不同相对湿度值下短空气间隙击穿电压的预测。
一种空气间隙击穿电压预测方法系统存储介质

[发明专利]高击穿电压的双栅极半导体器件-CN201210529769.3有效
发明人： D·A·马斯利阿;A·G·布拉卡尔;F·C·休恩;P·J·巴劳尔 -专利权人： ACCO半导体公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击穿电压是MOS栅极和结栅极的击穿电压之和。由于单独的结栅极具有本征高击穿电压，所以双栅极半导体器件的击穿电压大于单独的MOS栅极的击穿电压。双栅极半导体器件与常规晶体管器件相比除了在更高功率水平的可操作性之外还提供改进的RF能力。
击穿电压栅极半导体器件

[发明专利]高击穿电压的双栅极半导体器件-CN200880128225.8有效
发明人： D·A·马斯利阿;A·G·布拉卡尔;F·C·休恩;P·J·巴劳尔 -专利权人： ACCO半导体公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击穿电压是MOS栅极和结栅极的击穿电压之和。由于单独的结栅极具有本征高击穿电压，所以双栅极半导体器件的击穿电压大于单独的MOS栅极的击穿电压。双栅极半导体器件与常规晶体管器件相比除了在更高功率水平的可操作性之外还提供改进的RF能力。
击穿电压栅极半导体器件

[发明专利]基于击穿时刻和击穿电压判断老炼饱和的方法-CN202210086212.0在审
发明人：李世民;江希茜;李镇廷;杨威;杜昭启;张潮海 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：一种基于击穿时刻和击穿电压判断老炼饱和的方法，通过测量、提取数值、描图、判断是否老炼和停止老炼的步骤，利用脉冲电压老炼过程中击穿时刻的击穿电压或击穿电场强度波形图，结合击穿时刻和击穿电压或击穿电场强度数值来即时判断老炼所处阶段并判别老炼是否进入了饱和阶段
基于击穿时刻电压判断饱和方法

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