专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]服务器及其工作方法-CN201110327326.1有效
  • 曹强;黄建忠;万胜刚;周旭;崔慎杰;谢长生 - 华中科技大学
  • 2011-10-25 - 2012-06-27 - G06F9/50
  • 本发明提供了一种服务器的工作方法,包括以下步骤:开启计时器,并设置其初始持续时间t=0,判断当前负载队列的深度是否介于低负载阈值与高负载阈值之间,若当前负载队列的深度不是介于低负载阈值与高负载阈值之间,则判断当前负载队列的深度是否小于低负载阈值,若当前负载队列的深度小于低负载阈值,则判断计时器的持续时间t是否大于低负载时间阈值,若计数器的持续时间t大于低负载时间阈值,则由当前的计算模块切换到另一更低能级的计算模块,更低能级的计算模块开始接收新的负载
  • 服务器及其工作方法
  • [发明专利]一种深度负载可调的刻蚀方法-CN201510263208.7有效
  • 符雅丽 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2015-05-21 - 2019-02-19 - H01L21/311
  • 本发明公开了一种深度负载可调的刻蚀方法,涉及半导体技术领域,能够在不增加工艺的前提下,调节硅片的深度负载效应。该深度负载可调的刻蚀方法包括硬掩膜刻蚀步骤、深度负载效应调节步骤和浅沟槽刻蚀步骤;在所述硬掩膜刻蚀步骤中,对大开口处和小开口处的硬掩膜进行刻蚀,直至所述大开口处的硬掩膜完全去除,所述小开口处的硬掩膜部分残留;在所述深度负载效应调节步骤中,对所述小开口处的硬掩膜进行刻蚀,直至所述小开口处的硬掩膜完全去除,对所述大开口处的硅进行刻蚀,所述大开口处的刻蚀深度和所述小开口处的刻蚀深度之间的差异可调;在所述浅沟槽刻蚀步骤中
  • 一种深度负载可调刻蚀方法

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