专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电容-CN202080008561.X在审
  • 永吉麻衣子;藤川信仪 - 京瓷株式会社
  • 2020-01-17 - 2021-08-20 - C04B35/468
  • 本公开的电容包括电介质和内部电极交替地层叠了多层的电容主体。电介质具有晶粒、和金属粒子。金属粒子的平均粒径比晶粒的平均粒径小,且比当中二面间的平均宽度大。在观察电介质的纵剖面时,金属粒子分布在电介质的宽度方向以及厚度方向。
  • 电容器
  • [发明专利]陶瓷电容制备方法-CN03126252.X无效
  • 张锐;王海龙;许红亮;关绍康 - 郑州大学
  • 2003-07-16 - 2004-02-18 - H01G4/12
  • 本发明提供了一种陶瓷电容的制备方法,即选用六方碳化硅或具有半导性的驰豫铁电材料作为陶瓷基体材料,选用氧化铜、氧化铝、氧化镁、氧化硅等组成的低共熔混合物作为高绝缘相,通过颗粒包裹技术实现结构和相分布均匀化,采用一次烧成方式制备陶瓷电容。本发明工艺简单,成本低廉,制备的陶瓷电容体积小、结构均匀、介电常数高(大于20000)、使用可靠性好、抗老化性能优良、实用性强,易于推广。
  • 陶瓷晶界层电容器制备方法
  • [发明专利]半导体陶瓷电容瓷片半导化工艺方法-CN02134851.0无效
  • 章士瀛;王振平;王守士;章仲涛 - 广东南方宏明电子科技股份有限公司
  • 2002-09-29 - 2004-03-31 - H01G4/12
  • 本发明涉及陶瓷电容技术领域,特指表面层半导体陶瓷电容半导体陶瓷电容瓷片半导化工艺方法。此方法采用纯氮和液氨分解出的氮、氢混合气作为半导体瓷片的还原烧结气氛以及表面层半导体瓷片的半导化还原气氛。所述的纯氮气由制氮机制得。所述的半导体瓷片的还原烧结气氛,所含氢气比例为2%~20%。所述的表面层半导体瓷片的半导化还原气氛,所含氢气比例为5%~30%。采用本发明生产半导体陶瓷电容瓷片,生产成本大幅降低,且可自行解决氮气、氢气的供应;可将氢气含量调整控制在30%以内,这样大大降低了因在高温窑炉中氢气浓度较高所带来的危险性,使生产工艺变得安全可靠。
  • 半导体陶瓷电容器瓷片化工方法

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