专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]集成电路-CN201910814741.6在审
  • 卢麒友;江庭玮;庄惠中;苏品岱;高章瑞;苏郁迪;马伟翔;黄俊嘉 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-08-30 - 2020-03-10 - H01L27/092
  • 一种集成电路包括第一类型晶体管、第二类型晶体管、第三类型晶体管、及第四类型晶体管。第一类型晶体管及第三类型晶体管是在类型一主动区域的第一部分中。集成电路包括在类型二主动区域的第一部分中的第一类型晶体管。第一类型晶体管具有栅极,此栅极设置为具有第一电源的第一电源电压。第一类型晶体管具有栅极,此栅极设置为具有第一电源的第二电源电压。第三类型晶体管具有栅极,此栅极设置为具有第二电源的第一电源电压。第三类型晶体管具有与第一类型晶体管的主动区域导电地连接的第一主动区域。
  • 集成电路
  • [发明专利]半导体发光装置-CN200780012074.5无效
  • 尺田幸男 - 罗姆股份有限公司
  • 2007-04-03 - 2009-04-22 - H01L33/00
  • 在基板上,多个晶体管排列为多列而形成。各晶体管具有第一导电类型区以及在该列方向的两侧的第二导电类型区,并且在各第二导电类型区的基板一侧具有活性层。在彼此相邻的2列间,通过第一布线,电连接在一列上配置的所述晶体管的列方向的一侧的所述第二导电类型区、相对于该晶体管与列方向的一侧相邻的晶体管的列方向的另一侧的第二导电类型区和在另一列上配置的晶体管的第一导电类型区此外,通过第二布线,电连接在另一列上配置的晶体管的列方向的一侧的第二导电类型区、相对于该晶体管与列方向的一侧相邻的晶体管的列方向的另一侧的第二导电类型区和在一列上配置的晶体管的第一导电类型区。
  • 半导体发光装置
  • [发明专利]显示装置-CN200610159909.7有效
  • 仲尾贵之;佐藤秀夫;槙正博 - 株式会社日立显示器
  • 2006-09-27 - 2007-04-04 - G09G3/36
  • CMOS移位寄存器的基本电路,具有第1导电类型的第1晶体管与第2导电类型的第2晶体管的串联电路、第1导电类型的第3晶体管与第2导电类型的第4晶体管的串联电路、第1导电类型的第5晶体管与第2导电类型的第6晶体管的串联电路,第1晶体管的第2电极连接在第4晶体管的控制电极上,第3晶体管的控制电极连接在第5晶体管的第2电极上,在第1晶体管的第1电极上施加时钟信号,在第1晶体管、第2晶体管以及第5晶体管的控制电极上施加输入信号,第1晶体管的第2电极的电压成为扫描电路输出,第3晶体管的第2电极的电压成为传送输出。
  • 显示装置
  • [发明专利]电荷泵架构-CN202111227580.4在审
  • O·阿克尔;马可·帕塞里尼 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-10-21 - 2022-08-05 - G05F3/02
  • 本文公开了仅通过NMOS类型晶体管连接相邻级的升压电容器的电荷泵架构,并且该电荷泵架构包括:接收第一电压并输出内部电压的第一级;接收内部电压并且在输出端子处输出第二电压的第二级;以及连接至输出端子的辅助级,第一级和第二级包括:将来自输入节点的电压传送至内部升压节点并交叉联接的第一类型的MOS晶体管;具有由第三类型的MOS晶体管和第四类型的MOS晶体管偏置的栅极的第二类型的MOS晶体管;连接第二类型的MOS晶体管的栅极的第三类型的MOS晶体管;以及连接第二类型的MOS晶体管的栅极的第四类型的MOS晶体管。
  • 电荷架构
  • [发明专利]复制电路及其应用-CN201210068247.8无效
  • 新林幸司 - 捷鼐讯有限公司
  • 2012-03-15 - 2012-09-19 - G11C16/06
  • 本发明提供能够准确地复制电流的复制电路,其特征在于具备:第一导电类型的第一晶体管(MP10);第一电流路径,串联连接有第一导电类型的第二晶体管(MP12)和第二导电类型的第三晶体管(MN11);第二电流路径,串联连接有以流过与流过第一晶体管的电流相当的电流的方式构成的第一导电类型的第四晶体管(MP11)和以流过与流过第三晶体管的电流相当的电流的方式构成的第二导电类型的第五晶体管(MN10);以流过与流过第三晶体管的电流相当的电流的方式构成的第二导电类型的第六晶体管(MP12);第一控制单元(AMP10),控制第一晶体管的栅极电压以便向第一晶体管的漏极提供参考电压;第二控制单元(AMP11),控制第二晶体管的栅极电压以便向第四晶体管的漏极提供参考电压。
  • 复制电路及其应用
  • [发明专利]SOI体接触MOS晶体管的测试结构及测试方法-CN201110000453.0有效
  • 李乐 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2011-01-04 - 2012-07-04 - H01L23/544
  • 一种SOI体接触MOS晶体管的测试结构,包括:SOI衬底,所述SOI衬底上形成有多个第一类型体接触MOS晶体管,所述SOI衬底上还包含有一个或多个第二类型体接触MOS晶体管,所述第二类型体接触MOS晶体管包含有第一体接触区与第二体接触区,所述第一体接触区与第二体接触区对称分布于所述第二类型体接触MOS晶体管的导电沟道两侧;所述第一类型体接触MOS晶体管与第二类型体接触MOS晶体管的导电沟道具有相同的沟道长度与沟道宽度,且具有相同的导电类型所述测试结构以较为简便的方法实现了对SOI衬底上MOS晶体管体区电阻的检测。
  • soi接触mos晶体管测试结构方法

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