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- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780091245.1有效
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上野贵宽;玉田尚久;北川宽士
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三菱电机株式会社
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2017-06-01
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2023-07-14
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H01L21/027
- 为了抑制缺陷等的发生等并缩小电极图案的尺寸,半导体装置的制造方法具有以下工序,即:在衬底(10)的上表面(11)涂敷抗蚀层;在抗蚀层形成开口部(13);收缩剂涂敷工序,在抗蚀层(12)之上涂敷热收缩的收缩剂,将开口部(13)填埋;收缩工序,通过加热收缩剂使其热收缩,从而将开口部(13)的宽度变窄;去除工序,在收缩工序之后去除收缩剂;金属层形成工序,在去除工序后,在抗蚀层(12)之上和开口部(13)形成金属层(18);以及去除金属层(18)中的位于抗蚀层(12)之上的部分和抗蚀层(12),在收缩工序中,使得形成开口部(13)的抗蚀层(12)的侧面形成在抗蚀层(12)的厚度方向的中央部朝向开口部(13)的中心部而凸出的曲面
- 半导体装置制造方法
- [实用新型]一种高强度耐摩擦POF热收缩膜-CN202222099389.2有效
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尚军虎;牛宣建
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山东华业包装科技股份有限公司
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2022-08-10
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2022-11-22
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B32B3/24
- 本实用新型公开一种高强度耐摩擦POF热收缩膜,包括:热收缩膜基体、第一耐磨层和透气孔,所述热收缩膜基体一侧连接有第一抗拉层。该高强度耐摩擦POF热收缩膜,通过在第二抗拉层的两侧设置连接第一抗拉层与第二抗拉层,加强POF热收缩膜的抗拉性能,防止POF热收缩膜在使用时因为拉扯力较大导致POF热收缩膜从中间撕裂,第一抗拉层与第二抗拉层的一侧分别连接的第一耐磨层与第二耐磨层,可加强POF热收缩膜的耐摩擦性能,防止POF热收缩膜遭到磨损后产生损毁,第一耐磨层一侧的抗紫外线层直接与外界接触,对外界的紫外线进行阻隔,减缓POF热收缩膜的老化速度,如此通过上述操作可便于加强POF热收缩膜的使用强度,延长POF热收缩膜的使用时间。
- 一种强度摩擦pof收缩
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